BSS84AK-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**BSS84AK-VB Transistor**

- **丝印：** VB264K
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 极性：P—Channel沟道
  - 最大耐压：-60V
  - 最大电流：-0.5A
  - 开通电阻：RDS(ON)=3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：Vth=-1.87V

- **封装：** SOT23

**详细参数说明:**
BSS84AK-VB是一款P—Channel沟道场效应晶体管，具有低阈值电压和适度的耐压。在SOT23封装下，最大耐压为-60V，最大电流为-0.5A。其开通电阻在不同门源电压下分别为3000mΩ（VGS=10V）和3000mΩ（VGS=20V）。阈值电压为-1.87V，适用于各种电路设计。

**应用简介:**
BSS84AK-VB适用于多种电子设备和模块，包括但不限于：
1. **电源管理模块：** 由于其低阈值电压和适度的耐压，适合用于电源管理模块，提供高效的电流控制。
  
2. **信号开关：** 在信号开关电路中，其P—Channel沟道特性使其成为理想的选择，特别是在需要负载开关的场景下。

3. **LED驱动器：** 由于其SOT23封装和适度的电流能力，可用于LED驱动器电路，实现有效的光源控制。

请注意，以上仅为示例，实际应用需根据具体设计要求和电路条件进行调整。