BSS84LT1G-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

BSS84LT1G-VB 是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，具有以下详细参数：

- 封装：SOT23
- 最大承受电压：-60V
- 最大漏极电流：-0.5A
- 静态漏极-源极电阻：RDS(ON) = 3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth = -1.87V

**应用简介:**
适用于低功耗、小尺寸电子设备，特别是需要P—Channel沟道场效应晶体管的应用场景。

**示例应用领域及模块:**
1. **电源管理模块：** 用于低电压、低功耗的电源开关控制。
2. **信号开关：** 在信号切换和路由控制中发挥作用，保证信号质量。
3. **电池管理：** 用于电池保护和电流控制，延长电池寿命。
4. **LED驱动：** 控制LED的开关，调整亮度。

这些特性使得 BSS84LT1G-VB 适用于各种小型便携设备和低功耗应用，如智能手机、可穿戴设备、便携式医疗设备等。