FDS4672A-NL-VB一款SOP8封装N—Channel场效应MOS管

本文介绍了VBsemiFDS4672A-NL-VBMOSFET,一款40V/10A的N沟道MOSFET,具备14mΩ的低静态电阻和1.6V阈值电压,适用于电源模块、电机驱动和高效率逆变器设计。
摘要由CSDN通过智能技术生成

VBsemi FDS4672A-NL-VB MOSFET:
- 丝印: VBA1410
- 沟道类型: N-Channel
- 额定电压: 40V
- 额定电流: 10A
- 静态电阻: RDS(ON) = 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压: Vth = 1.6V
- 封装: SOP8

**详细参数说明:**
VBsemi FDS4672A-NL-VB MOSFET是一款N沟道场效应晶体管,适用于工作电压为40V,最大电流为10A的应用场景。在VGS为10V和VGS为20V时,静态电阻为14mΩ,确保高效能的电流传输。阈值电压为1.6V,适用于各种电源控制和开关应用。

**应用简介:**
该器件适用于以下领域和模块:
1. **电源模块:** 由于其低静态电阻和高电流特性,非常适合用于电源开关和调节模块。
2. **电机驱动:** 在需要高电流和低电阻的电机控制应用中表现出色。
3. **电源逆变器:** 适用于要求高效率和高性能的逆变器设计。

这款VBsemi FDS4672A-NL-VB MOSFET可广泛应用于各种需要高性能N沟道MOSFET的电子设备和系统。

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