RSR010N10-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**RSR010N10-VB 详细参数说明：**

- **品牌：** VBsemi
- **型号：** RSR010N10-VB
- **丝印：** VB1102M
- **封装：** SOT23
- **沟道类型：** N-Channel
- **最大电压：** 100V
- **最大电流：** 2A
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 246mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- **阈值电压（Vth）：** 2V

**应用简介：**

RSR010N10-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，专为需要高电压和高电流的应用而设计。其SOT23封装适用于空间受限的电路板设计。具有低导通电阻和高性能，适用于高效、可靠的电源和电流控制应用。

**适用领域及模块举例：**

1. **电源开关模块：** RSR010N10-VB适用于电源开关模块，具有较高的最大电压和电流，确保在高压条件下稳定运行。

2. **电动工具驱动模块：** 在需要控制电动工具电机的应用中，RSR010N10-VB可以作为电动工具驱动模块的关键组件，确保高效且可靠的电机驱动。

3. **电源管理模块：** 由于其高电压和低导通电阻特性，适用于电源管理模块，确保电源模块的高效能耗和稳定性。

4. **LED照明控制模块：** RSR010N10-VB可用于LED照明控制模块，通过电流控制，实现LED照明系统的稳定亮度和高效能耗。

总体而言，RSR010N10-VB适用于高电压和高电流的场景，广泛应用于电源开关、电动工具驱动、电源管理和LED照明等领域的模块设计。