型号:SI2318BDS-T1-GE3-VB
丝印:VB1330
品牌:VBsemi
封装:SOT23
参数:
- N-Channel沟道
- 额定电压(VDS):30V
- 额定电流(ID):6.5A
- 开启电阻(RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.2~2.2V
应用简介:
SI2318BDS-T1-GE3-VB是一款N-Channel MOSFET,采用SOT23封装。具有低开启电阻、适中的阈值电压和较高的额定电流,适用于多种电子应用。
应用领域:
该器件可以广泛应用于各种电子领域,其中一些可能的应用领域包括:
1. **电源模块:** 用于电源开关、稳压器和DC-DC转换器。
2. **驱动模块:** 在电机驱动、LED驱动等方面发挥作用。
3. **通信模块:** 适用于无线通信设备、射频前端模块等。
4. **电源管理:** 用于电池管理电路、电源逆变器等。
请注意,具体的应用和模块取决于设计需求和电路配置。在集成电路设计中,这样的器件通常用于实现开关功能、电流调整等。