SI2335DS-T1-E3-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

产品型号: SI2335DS-T1-E3-VB
丝印: VB2355
品牌: VBsemi
参数: SOT23；P—Channel沟道，-30V；-5.6A；RDS(ON)=47mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1V；
封装: SOT23

详细参数说明和应用简介：
SI2335DS-T1-E3-VB 是一款 P-Channel 沟道 MOSFET，采用 SOT23 封装。其主要参数包括最大耐压 -30V，最大漏极电流 -5.6A，漏极-源极电阻 RDS(ON) 在 VGS=10V 和 VGS=20V 时分别为 47mΩ。阈值电压 Vth 为 -1V。

应用领域：
这款产品适用于需要 P-Channel MOSFET 的电路设计，特别是在需要控制负载电流的应用中。常见的应用领域包括电源管理、开关电源和功率放大器等。

注意: 在具体应用前，请仔细阅读产品手册和规格书，以确保正确的使用和性能。