TN0201K-T1-E3-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

**详细参数：**
- 封装类型：SOT23
- 极性：N-Channel
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：
  - 24mΩ @ VGS=4.5V
  - 24mΩ @ VGS=8V
- 阈值电压（Vth）：0.45~1V

**应用简介：**
TN0201K-T1-E3-VB 是 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道场效应管，具有高性能特性，适用于多种电源管理和开关电路。

**适用领域和模块：**
1. **电源开关模块：** 由于额定电压为 20V 和高额定电流，可广泛应用于电源开关模块，提供可靠的电源开关功能。
2. **电池管理模块：** 适用于电池充放电管理，具有低漏极-源极电阻，有助于提高效率。
3. **电动工具和电动车辆：** 在电动工具和电动车辆中，可用于电机驱动控制，确保高效且可靠的性能。
4. **电源调节器：** 作为电源调节器的一部分，用于提供稳定的输出电压和电流。

TN0201K-T1-E3-VB 在这些领域和模块中发挥关键作用，通过其卓越的电性能，提供可靠的功率管理和电源控制功能。