TN0201T-T1-E3-VB一款SOT23封装N—Channel场效应MOS管

TN0201T-T1-E3-VB 是 VBsemi 公司生产的 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。以下是详细参数和应用简介：

**详细参数：**
- 封装类型：SOT23
- 极性：N-Channel
- 额定电压：20V
- 额定电流：6A
- 静态漏极-源极电阻（RDS(ON)）：
  - 24mΩ @ VGS=4.5V
  - 24mΩ @ VGS=8V
- 阈值电压（Vth）：0.45~1V

**应用简介：**
该器件适用于各种电源管理和开关电路中。主要特性包括低漏极-源极电阻、低阈值电压和高耐压能力，使其在许多应用中都表现优异。

**适用领域和模块：**
1. **电源管理模块：** 由于具有低漏极-源极电阻和高电流能力，可用于电源开关和调节电路。
2. **开关电源模块：** 适用于开关电源中的功率开关部分，提高效率和性能。
3. **驱动模块：** 可作为各种驱动电路中的功率开关元件，确保高效能和可靠性。
4. **电动工具和电动车辆：** 在这些应用中，可用于电池管理和电动机控制。

总体而言，TN0201T-T1-E3-VB 在需要 N-Channel 沟道 MOSFET 的高性能电路中发挥作用，提供可靠的功率开关和调节功能。