TP0101TS-T1-E3-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**TP0101TS-T1-E3-VB 详细参数说明：**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大承受电压：-20V
  - 最大漏电流：-4A
  - 开态电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压（Vth）：-0.81V

**应用简介：**

TP0101TS-T1-E3-VB是一款P—Channel沟道的SOT23封装场效应晶体管，适用于多种电子模块和应用场景。

**适用领域和模块举例：**

1. **电源管理模块：** 由于其P—Channel沟道和低开态电阻特性，TP0101TS-T1-E3-VB适用于电源开关和调节模块，有助于提高电源效率。

2. **电流控制模块：** 在需要对电流进行精确控制的应用中，如电机驱动和LED照明控制，该器件可以提供可靠的性能。

3. **电池管理模块：** 在便携式电子设备中，TP0101TS-T1-E3-VB可用于电池管理电路，实现对电池电压的有效控制。

总的来说，这款器件在需要P—Channel沟道和低功耗的场合下，特别适用于电源、电流控制和电池管理等模块的设计与应用。