UPA3753GR-E1-AT-VB一款2个N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: UPA3753GR-E1-AT-VB
丝印: VBA3638
品牌: VBsemi
封装: SOP8

详细参数说明:
- 沟道类型: N沟道
- 最大工作电压: 60V
- 最大连续漏极电流: 6A
- 静态漏极-源极电阻: 27mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 门-源阈值电压: 1.5V

应用简介:
UPA3753GR-E1-AT-VB是一款N沟道MOSFET功率器件，具有高电压和大电流的特点，适用于各种功率电子应用。其低静态漏极-源极电阻和低门-源阈值电压保证了其在各种工作条件下的可靠性和稳定性。

应用示例:
1. 电源管理模块: 由于UPA3753GR-E1-AT-VB具有较高的工作电压和电流能力，可用于开关电源、稳压器和电源逆变器等电源管理模块中，实现对电源的高效控制和管理。
2. 驱动器模块: 在电机驱动器和LED驱动器等应用中，UPA3753GR-E1-AT-VB可作为电流控制开关，有效控制驱动器的输出功率和电流。
3. 电机控制模块: 作为电机控制器中的功率开关，UPA3753GR-E1-AT-VB可实现电机的启动、停止和速度控制，广泛应用于家用电器、工业自动化等领域。

总之，UPA3753GR-E1-AT-VB具有广泛的应用领域，适用于电源管理模块、驱动器模块和电机控制模块等多种功率电子应用中。