UTM4052L-S08-R-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

型号：UTM4052L-S08-R-VB  
丝印：VBA5638  
品牌：VBsemi  
参数：
- N+P—Channel沟道
- 最大工作电压：±60V
- 最大工作电流：6.5A (正向) / 5A (反向)
- 漏源电阻：RDS(ON)=28mΩ (正向) / 51mΩ (反向) @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压：Vth=±1.9V
封装：SOP8  

**详细参数说明：**
该器件采用N+P—Channel沟道结构，适用于最大±60V的工作电压，可承受6.5A（正向）和5A（反向）的最大工作电流。漏源电阻在VGS=10V和VGS=20V时分别为28mΩ和51mΩ。阈值电压为±1.9V。封装为SOP8。

**应用简介：**
该器件适用于需要高电压和高电流特性的功率控制和开关应用。以下是一些可能的应用领域：
- 电动车电源模块：用于电动车的电池管理系统和电机控制。
- 工业自动化模块：适用于大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 高压开关电路：用于控制高压设备和系统中的开关。
- 医疗设备模块：应用于医疗成像设备的电源管理和功率转换。

**示例应用场景：**
- 在电动车电源管理系统中，用于控制电池充放电和电机驱动。
- 在工业自动化中，用于控制大型机器设备的电源开关和功率调节。
- 在医疗成像设备中，用于控制X射线发生器的电源管理和功率转换。