UTM4953L-S08-R-VB一款SOP8封装2个P—Channel场效应MOS管

**UTM4953L-S08-R-VB**

**丝印：** VBA4338

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 沟道类型：2个P—Channel
- 最大承受电压：-30V
- 最大电流：-7A
- 开态电阻：RDS(ON)=35mΩ @ VGS=10V；RDS(ON)=35mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压：Vth=-1.5V

**封装：** SOP8

**详细参数说明：**

UTM4953L-S08-R-VB是一款双P—Channel沟道MOSFET，专为提供卓越的电源和电流控制性能而设计。其设计支持在-30V的最大承受电压下工作，具有-7A的最大电流能力。关键参数包括在VGS=10V和VGS=20V时分别为35mΩ的低开态电阻，以及阈值电压为-1.5V。

**应用简介：**

UTM4953L-S08-R-VB广泛适用于多个领域，为系统提供可靠的电源和电流控制功能。以下是一些典型的应用领域和模块：

1. **电池保护电路：** 由于其P—Channel沟道特性，UTM4953L-S08-R-VB可用于电池保护电路中，用于控制电池充放电过程，提供安全的电池管理。

2. **电源逆变器：** 在电源逆变器模块中，UTM4953L-S08-R-VB可以作为功率开关，用于控制电源逆变和提供高效的电源转换。

3. **LED照明控制：** 在LED照明系统中，UTM4953L-S08-R-VB可用于电源开关和调光电路，实现对LED照明的精确控制。

4. **电动工具：** 在电动工具中，UTM4953L-S08-R-VB可用于电机驱动和功率控制，提供可靠的电源和电流管理。

UTM4953L-S08-R-VB的特性使其成为多种电源和电流控制应用的理想选择，确保系统在不同领域中取得卓越的性能表现。