10N03LB-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

10N03LB-VB是VBsemi推出的TO220封装单路N沟道MOSFET产品。以下是该产品的详细参数说明：

- **包装：** TO220
- **配置：** 单路N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 30V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 10mΩ @ VGS=4.5V, 7mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）：** 70A
- **技术：** Trench

该产品适用于以下领域和模块：
1. **电源管理模块：** 由于其较高的漏极-源极电压（VDS）和漏极电流（ID）能力，适用于电源管理模块的开关和控制。
2. **电池保护模块：** 可用于电池保护模块中的开关和控制，具有较低的导通电阻和较高的电流能力。
3. **电动工具驱动模块：** 适用于电动工具的驱动模块，具有较低的导通电阻和较高的电流能力。
4. **汽车电子模块：** 可用于汽车电子模块中的开关和控制，具有良好的稳定性和可靠性。
5. **LED照明驱动模块：** 作为LED照明驱动模块的开关元件，具有较低的导通电阻和较高的漏极-源极电压能力。

以上是10N03LB-VB MOSFET产品的详细介绍和应用领域说明。