### 10N05-VB 产品简介:
10N05-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 TO263。该器件具有 60V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极电压(VGS,最大值),和 3V 的阈值电压(Vth)。它采用沟槽工艺,具有低导通电阻和优异的性能。
### 10N05-VB 详细参数说明:
- **封装:** TO263
- **通道类型:** 单 N 沟道
- **漏极-源极电压(VDS):** 60V
- **栅极-源极电压(VGS):** 20V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID):** 150A
- **工艺:** 沟槽工艺
### 应用领域和模块举例:
1. **电源模块:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,适用于开关电源和逆变器模块中的高功率开关控制。
2. **电动汽车驱动:** 可用于电动汽车驱动系统中的高功率开关控制器,提供高效率和高性能。
3. **工业自动化:** 适用于工业自动化系统中的开关控制,如工业机器人和自动化生产线。
4. **电池管理:** 可用于电池保护电路和电池充放电控制,实现高效率和安全性。
以上仅为几个示例,10N05-VB 在其它领域和模块中也可能有广泛的应用。