### 产品简介
**10N62K3-VB MOSFET** 是一款单 N-沟道 MOSFET,封装为 TO220F。它具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),并且在正负30V的栅极-源极电压(VGS)下工作。这款 MOSFET 的阈值电压(Vth)为3.5V,漏极-源极导通电阻(RDS(ON))为680mΩ(在VGS=10V时),漏极电流(ID)为12A。采用 Plannar 技术制造,适用于各种领域和模块。
### 参数说明
- **封装类型:** TO220F
- **器件类型:** 单 N-沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±30V
- **Vth(阈值电压):** 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻):** 680mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 12A
- **技术:** Plannar
### 应用领域和模块示例
1. **工业自动化:** 10N62K3-VB 可用于工业电源系统中的开关电源和逆变器模块,实现高效率的电能转换。
2. **电动汽车充电桩:** 在电动汽车充电桩中,这款 MOSFET 可以用作开关器件,控制充电桩的电能转换和充电过程。
3. **太阳能逆变器:** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻,适用于太阳能逆变器中的 DC-AC 转换器模块,提高能量转换效率。
4. **电源管理:** 在各种电源管理模块中,如 DC-DC 转换器和 AC-DC 变换器中,可用于提高电能转换效率和稳定性。
5. **电力传输:** 可以用于高压直流输电系统中的开关电源模块,实现高效率的电能传输和分配。
以上是对 10N62K3-VB MOSFET 的产品简介、参数说明以及在各个领域和模块中的应用示例。