125N2-VB一种N-Channel沟道TO263封装MOS管

### 125N2-VB MOSFET 产品简介

VBsemi的125N2-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装技术。这种MOSFET在30V的漏源电压（VDS）和20V（±V）的栅源电压（VGS）下工作。其开态电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为3.2mΩ，在栅源电压为10V时为2.3mΩ。该器件的额定电流（ID）为150A，采用了Trench技术，具有低导通电阻和高功率承受能力的特点，适用于高功率应用场景。

### 125N2-VB MOSFET 参数说明

- **型号：** 125N2-VB
- **封装：** TO263
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 30V
- **栅源电压（VGS）：** 20（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V：** 3.2mΩ
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 2.3mΩ
- **额定电流（ID）：** 150A
- **技术：** Trench

### 125N2-VB MOSFET 应用领域及模块示例

1. **电源管理：**
   125N2-VB MOSFET适用于高功率的电源管理模块，如服务器电源和电动工具电源。其低导通电阻和高功率承受能力使其能够处理大功率电源管理需求。

2. **电动汽车：**
   在电动汽车中，125N2-VB MOSFET可用于控制电动汽车的电机。其高额定电流和低导通电阻使其能够高效地控制电动汽车的驱动系统。

3. **工业自动化：**
   在工业自动化领域，125N2-VB MOSFET可用于控制各种工业设备的电源和驱动系统。其高功率承受能力和低导通电阻确保了工业设备的稳定运行。

4. **电源逆变器：**
   在电源逆变器中，125N2-VB MOSFET可用于控制逆变器的开关。其高漏源电压和低导通电阻使其能够在逆变器中提供可靠的电源转换。

通过这些应用领域和模块的实例，125N2-VB MOSFET展示了其在高功率需求场景中的适用性，成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。