13N50H-VB TO220一种N-Channel沟道TO220封装MOS管

### 13N50H-VB TO220 产品简介

**产品概述**：
13N50H-VB 是一款单N沟道功率MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术制造，适用于高压范围内的功率控制应用。其封装为TO220，具有良好的散热性能和高可靠性。

**产品特点**：
- **高电压承受能力**：VDS为650V，适用于高压范围内的应用。
- **高栅极电压**：VGS为±30V，提供设计灵活性。
- **中阈值电压**：Vth为3.5V，适中的驱动要求。
- **低导通电阻**：RDS(ON)为420mΩ@VGS=10V，提高效率，降低功耗。
- **中电流能力**：ID为11A，适用于中等电流应用。

### 13N50H-VB TO220 详细参数说明

- **封装**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **漏源极电压（VDS）**：650V
- **栅源极电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：420mΩ@VGS=10V
- **连续漏极电流（ID）**：11A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用领域和模块

**电源管理**：
13N50H-VB 可用于电源管理模块中的功率开关元件，用于实现高效率的电源转换和稳定的电压输出。适用于工业电源、电力传输等领域。

**电动汽车充电桩**：
在电动汽车充电桩中，可用于控制充电桩的功率开关元件，适用于快充电桩、慢充电桩等领域。

**电力传输**：
适用于高压直流输电系统中的开关元件，控制电力传输和分配。

**电力电子**：
可用于高压电力电子设备中的功率开关元件，如变频器、逆变器等领域。

**医疗设备**：
在医疗设备中，可用于高压电源开关和电机控制，如医疗影像设备、电子治疗设备等领域。

通过以上应用实例，可以看出13N50H-VB 在各个领域和模块中都有广泛的应用前景，能够满足高压范围内的高性能和高可靠性需求。