### 产品简介
VBsemi的13N60M2-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有650V的漏极-源极电压(VDS)和30V的栅极-源极电压(VGS)。该器件的漏极-源极导通电阻(RDS(ON))在VGS=10V时为370mΩ,具有11A的漏极电流(ID)和3.5V的阈值电压(Vth)。
### 参数说明
- **型号**: 13N60M2-VB
- **封装**: TO252
- **结构**: 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压)**: 650V
- **VGS(栅极-源极电压)**: 30V(±)
- **Vth(阈值电压)**: 3.5V
- **RDS(ON)(漏极-源极导通电阻)**:
- VGS=10V时:370mΩ
- **ID(漏极电流)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块示例
1. **电源逆变器**: 由于13N60M2-VB具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流容量,适用于一些逆变器中的功率开关和控制电路。
2. **电动车电机驱动**: 在电动车的电机驱动系统中,MOSFET通常用于控制电机的启停和速度调节。13N60M2-VB可用于电动车的电机驱动器中,提供高效率的功率控制。
3. **LED照明**: 由于其较高的漏极-源极电压和适中的导通电阻,13N60M2-VB适用于LED照明驱动器和控制器,提供稳定的电流和照明控制。
4. **电源管理**: 在一些低功率的电源管理系统中,该器件可用于功率开关和控制电路,提高系统的能量转换效率。
5. **工业控制**: 在工业控制领域,MOSFET通常用于各种控制电路和功率开关。13N60M2-VB可用于工业控制系统中的功率开关和控制电路。
以上领域和模块仅为示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。