15NM65N-VB TO220一款N-Channel沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 一、产品简介

**15NM65N-VB TO220**是VBsemi公司生产的高性能N沟道MOSFET产品。该产品采用TO220封装形式，具有单N通道配置，适用于中高压电源管理和开关应用。15NM65N-VB采用了SJ_Multi-EPI技术，具有较低的导通电阻和较高的漏极电流承载能力，在中高压和高电流条件下表现出色。

### 二、详细参数说明

- **封装形式**：TO220
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：650V
- **栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：220mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流（ID）**：15A
- **技术类型**：SJ_Multi-EPI

### 三、应用领域和模块

**15NM65N-VB TO220**适用于以下领域和模块，以提供中高压电源管理和开关功能：

1. **电源逆变器模块**：适用于家庭电器、UPS系统和太阳能逆变器等设备中的电源逆变器模块，提供稳定的电力转换和高效的能源利用率。
   - **示例**：在太阳能逆变器中，15NM65N-VB可用作电源开关，确保太阳能电池板向电网输送的电能转换效率高并保持稳定。

2. **电动汽车充电模块**：用于电动汽车充电桩中的功率开关模块，提供快速、高效的充电功能。
   - **示例**：在电动汽车充电桩中，15NM65N-VB可用作充电器的功率开关，确保充电效率高、稳定性能好。

3. **高压直流稳压器模块**：适用于工业控制和电信设备中的高压直流稳压器模块，提供可靠的稳压和电流控制。
   - **示例**：在工业控制设备中，15NM65N-VB可用作稳压器模块的功率开关，确保设备的稳定运行和高效能。

通过在这些领域和模块中的应用，15NM65N-VB TO220能够为各种设备提供高效的中高压电源管理和开关功能，同时提高设备的性能和可靠性。