18N50H-VB TO220F一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

### 产品简介：
VBsemi 18N50H-VB TO220F MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET，具有550V的漏极-源极电压（VDS）和30V的最大门极-源极电压（VGS）。采用平面（Plannar）技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。

### 详细参数说明：
- **封装：** TO220F
- **器件类型：** 单N沟道MOSFET
- **漏极-源极电压（VDS）：** 550V
- **最大门极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3V
- **漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）：**
  - VGS = 10V时：260mΩ
- **漏极电流（ID）：** 18A
- **技术：** 平面（Plannar）

### 应用领域和模块示例：
1. **电源模块：** 18N50H-VB TO220F适用于高压开关电源和直流-直流转换器，可用于工业和通信设备中的电源模块。
2. **照明应用：** 在高压LED驱动器中，这款MOSFET可以用作开关器件，实现高效的LED照明系统。
3. **电动汽车充电桩：** 由于其高漏极-源极电压和低导通电阻，18N50H-VB TO220F适用于电动汽车充电桩中的功率开关。
4. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器中，这款MOSFET可以用于直流-交流转换器，提供高效率的能量转换。
5. **电源因素校正器（PFC）：** 18N50H-VB TO220F可用于高功率PFC模块，改善电网和设备之间的功率因素。

这些示例说明了18N50H-VB TO220F MOSFET在高压功率应用中的应用，展示了其在各种领域和模块中的高性能和可靠性。