196N10NS-VB一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

### 产品简介：

VBsemi的196N10NS-VB是一款单N沟道MOSFET，具有高性能和可靠性。采用槽道技术，适用于各种领域和模块的应用。

### 详细参数说明：

- **包装**：DFN8(5X6)
- **结构**：单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）**：100V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：17mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：30A
- **技术**：槽道

### 应用示例：

1. **电源模块**：由于其高导通电阻和高漏极电流，196N10NS-VB适用于高功率电源模块，能够提供稳定的电能转换。

2. **电动汽车控制器**：在电动汽车控制器中，这款MOSFET可以用于控制电机的功率输出，提高电动汽车的性能。

3. **工业电源**：在工业电源设备中，这款MOSFET可以用于开关电源和UPS系统，提供稳定可靠的电力输出。

4. **电机驱动**：在需要大电流输出的电机驱动模块中，这款MOSFET能够提供可靠的开关控制和低损耗的功率转换。

5. **LED照明**：在需要高亮度和高效率的LED照明应用中，这款MOSFET可以用作驱动器，提供稳定的电流输出。

以上是196N10NS-VB的产品简介、详细参数说明和应用示例。