VBsemi 19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET产品简介:
19N10G-T3P-T-VB是一款单N沟道场效应管,具有100V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS)(±V),1.8V的阈值电压(Vth),35mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及85A的漏极电流(ID)。采用了沟道技术(Trench Technology)。
详细参数说明:
- 封装:TO247
- 类型:单N沟道(Single-N-Channel)
- VDS(漏极-源极电压):100V
- VGS(栅极-源极电压):20V(±V)
- 阈值电压(Vth):1.8V
- 导通电阻(RDS(ON)):35mΩ@VGS=10V
- 漏极电流(ID):85A
- 技术:沟道技术(Trench)
适用领域和模块示例:
1. 电源模块:19N10G-T3P-T-VB TO247适用于高功率电源模块,如电源逆变器和高功率开关电源设计。
2. 电动工具:可用于电动工具驱动器设计,如电动钻机和电动割草机。
3. 汽车电子:适用于汽车电子模块,如电动汽车控制器和车载电源管理器。
4. 工业控制:在工业自动化和机器人领域,该器件可用于高功率开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器:用于太阳能逆变器模块,实现太阳能电池板的能量转换和管理。
这些是19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。