19N10G-T3P-T-VB一款N-Channel沟道TO247的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

VBsemi 19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET产品简介：

19N10G-T3P-T-VB是一款单N沟道场效应管，具有100V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS）（±V），1.8V的阈值电压（Vth），35mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及85A的漏极电流（ID）。采用了沟道技术（Trench Technology）。

详细参数说明：
- 封装：TO247
- 类型：单N沟道（Single-N-Channel）
- VDS（漏极-源极电压）：100V
- VGS（栅极-源极电压）：20V（±V）
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 导通电阻（RDS(ON)）：35mΩ@VGS=10V
- 漏极电流（ID）：85A
- 技术：沟道技术（Trench）

适用领域和模块示例：
1. 电源模块：19N10G-T3P-T-VB TO247适用于高功率电源模块，如电源逆变器和高功率开关电源设计。
2. 电动工具：可用于电动工具驱动器设计，如电动钻机和电动割草机。
3. 汽车电子：适用于汽车电子模块，如电动汽车控制器和车载电源管理器。
4. 工业控制：在工业自动化和机器人领域，该器件可用于高功率开关电路和电机控制器设计。
5. 太阳能逆变器：用于太阳能逆变器模块，实现太阳能电池板的能量转换和管理。

这些是19N10G-T3P-T-VB TO247 MOSFET在各个领域和模块上的一些示例应用。