### 产品简介:
VBsemi的1NK60Z-VB是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。它采用了Plannar技术,具有出色的性能和可靠性。这款MOSFET的RDS(ON)为10000mΩ@VGS=4.5V和8000mΩ@VGS=10V,ID为1A,适用于一些低功率应用场合。
### 参数说明:
- **型号:** 1NK60Z-VB
- **包装:** SOT223
- **配置:** 单N沟道
- **VDS(漏极-源极电压):** 650V
- **VGS(栅极-源极电压):** 30V(±)
- **阈值电压(Vth):** 3.5V
- **RDS(ON)(@ VGS=4.5V):** 10000mΩ
- **RDS(ON)(@ VGS=10V):** 8000mΩ
- **ID(漏极电流):** 1A
- **技术:** Plannar
### 适用领域和模块:
由于1NK60Z-VB的低功率特性,适用于一些低功率场合,例如:
1. **传感器接口:** 在传感器接口电路中,需要对传感器信号进行放大和处理,1NK60Z-VB可以用作信号放大器的开关元件。
2. **低功率电源开关:** 对于低功率的电源开关,1NK60Z-VB可以提供可靠的开关控制。
3. **LED照明控制:** 在LED照明控制电路中,可以使用1NK60Z-VB作为LED的开关元件,实现对LED灯的控制。
这些是1NK60Z-VB MOSFET的一些应用领域示例,但由于其低功率特性,适用范围相对较窄,主要用于低功率电路中的开关控制。