### 一、产品简介
**型号:25N95K3-VB**
VBsemi的25N95K3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有900V的漏源电压、20A的漏极电流承载能力,适用于高压高功率应用。该产品封装在TO247中,具有优越的热性能和电气特性,适用于各种电力和电子领域。
### 二、详细参数说明
- **型号**:25N95K3-VB
- **封装**:TO247
- **配置**:单N沟道
- **VDS(漏源电压)**:900V
- **VGS(栅源电压)**:±30V
- **Vth(阈值电压)**:3.5V
- **RDS(ON)(导通电阻)**:205mΩ @ VGS=10V
- **ID(漏极电流)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
1. **工业电力系统**
- **高压直流输电**:25N95K3-VB适用于高压直流输电系统中的开关控制,提供稳定的电力输送。
- **变频器**:用于工业变频器中的功率开关控制,实现高效的电机控制和能量转换。
2. **电动汽车充电桩**
- **充电桩**:在电动汽车充电桩中,25N95K3-VB作为关键元件,提供高效的电源管理和充电控制。
- **高压直流充电**:适用于高压直流充电桩中的开关控制,确保电动汽车快速充电和安全运行。
3. **太阳能逆变器**
- **逆变器**:用于太阳能逆变器中的功率开关控制,实现太阳能电能的高效转换和输出。
- **并网逆变器**:适用于并网太阳能逆变器中的开关控制,提供稳定的电力输出和并网运行。
4. **电力电子设备**
- **电力模块**:在各种电力电子设备中,25N95K3-VB作为关键元件,提供稳定可靠的功率开关控制。
- **电力驱动器**:适用于电力驱动器中的功率开关,实现高效的电机驱动和能量转换。
通过以上领域和模块的应用,25N95K3-VB展示了其在高压高功率环境下的稳定性和可靠性,是多种高性能电子设备和系统的理想选择。