2N60L-TF3-T-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管

### VBsemi 2N60L-TF3-T-VB MOSFET 产品概述

VBsemi 2N60L-TF3-T-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于低功率应用。该器件具有稳定的性能和可靠性，适用于各种电子设备和系统。

### 详细规格

- **封装**：TO220F
- **配置**：单 N-Channel
- **VDS（漏源电压）**：650V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **Vth（阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源电阻）**：1700mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）**：2A
- **技术**：Plannar

### 应用示例

1. **低功率电源**：
   2N60L-TF3-T-VB 可用于低功率电源中的功率开关和控制。其稳定的性能和低功率特性使其成为各种低功率应用的理想选择。

2. **电源适配器**：
   该 MOSFET 可用于电源适配器中的功率开关和控制。其稳定的性能和低功率特性有助于提高适配器的效率和稳定性。

3. **LED 驱动器**：
   在 LED 驱动器中，2N60L-TF3-T-VB 可用于功率开关和控制。其稳定的性能和低功率特性使其成为 LED 驱动器的关键组件。

4. **消费电子产品**：
   由于其低功率特性，该器件可用于各种消费电子产品中的功率开关和控制，如电视机、音响系统等。

总的来说，VBsemi 2N60L-TF3-T-VB MOSFET 可在低功率电源、电源适配器、LED 驱动器和消费电子产品等领域中发挥作用，为各种低功率应用提供高效能的功率开关和控制解决方案。