2N80L-TN3-R-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 产品概述

VBsemi 2N80L-TN3-R-VB 是一款 N-Channel MOSFET，采用 TO252 封装，适用于中功率应用。该器件具有稳定的性能和可靠性，适用于各种电子设备和系统。

### 详细规格

- **封装**：TO252
- **配置**：单 N-Channel
- **VDS（漏源电压）**：800V
- **VGS（栅源电压）**：±30V
- **Vth（阈值电压）**：3.5V
- **RDS(ON)（漏源电阻）**：2600mΩ @ VGS = 10V
- **ID（连续漏极电流）**：2A
- **技术**：SJ_Multi-EPI

### 应用示例

1. **电源开关**：
   2N80L-TN3-R-VB 可用作电源开关，控制中功率电源的开关。其高漏源电压和适中的漏源电阻使其成为电源开关的理想选择。

2. **逆变器**：
   该 MOSFET 可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电。其稳定的性能和高漏源电压使其适用于逆变器应用。

3. **照明控制**：
   在照明控制中，2N80L-TN3-R-VB 可用于控制灯光的开关和亮度。其高电压和适中的电流能力使其成为照明控制的理想选择。

4. **电动车充电器**：
   由于其高漏源电压和适中的电流能力，该器件可用于电动车充电器中的开关和控制电路。

总的来说，VBsemi 2N80L-TN3-R-VB MOSFET 可在电源开关、逆变器、照明控制和电动车充电器等领域中发挥作用，为各种中功率应用提供高效能的解决方案。