2SK1299STL-E-VB一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 产品简介

**型号**: 2SK1299STL-E-VB  
**封装**: TO252  
**配置**: 单N沟道MOSFET  
**技术**: 沟槽型

2SK1299STL-E-VB是一款中功率的单N沟道MOSFET，采用沟槽型技术，封装形式为TO252。具有适中的漏极电压和导通电阻，适用于需要在中等功率条件下工作的应用。

### 详细参数说明

- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
  - 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **封装类型**: TO252
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **功耗 (Ptot)**: 30W

### 应用领域与模块示例

2SK1299STL-E-VB MOSFET 适用于中功率的应用。以下是一些具体的应用领域和模块示例：

1. **电源管理**:
   - 在开关电源（SMPS）中用作开关器件，实现高效的电能转换。
   - 适用于中功率DC-DC转换器，提升转换效率。

2. **电机驱动**:
   - 在中功率电机驱动器中用于电机控制，提供稳定的电流输出。
   - 适用于中功率电动工具和家用电器的驱动电路。

3. **LED照明**:
   - 在中功率LED驱动器中作为开关器件，用于驱动中功率LED照明系统。
   - 适用于室内和商业照明系统，提供高效、节能的照明解决方案。

4. **电池管理**:
   - 在充放电控制电路中用于管理电池的充放电过程，确保电池的安全和长寿命。
   - 适用于便携式电子设备和电动工具的电池管理系统。

5. **电子开关**:
   - 在中功率电子开关电路中用于实现电子设备的开关控制。
   - 适用于中功率电子设备和电子玩具等应用场景。

2SK1299STL-E-VB 的中功率特性使其成为各种中功率应用中的理想选择，能够提供稳定可靠的性能。