### 产品简介
**型号**: 2SK1299STL-E-VB
**封装**: TO252
**配置**: 单N沟道MOSFET
**技术**: 沟槽型
2SK1299STL-E-VB是一款中功率的单N沟道MOSFET,采用沟槽型技术,封装形式为TO252。具有适中的漏极电压和导通电阻,适用于需要在中等功率条件下工作的应用。
### 详细参数说明
- **漏源电压 (VDS)**: 100V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 114mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 15A
- **封装类型**: TO252
- **工作温度范围**: -55°C 至 150°C
- **功耗 (Ptot)**: 30W
### 应用领域与模块示例
2SK1299STL-E-VB MOSFET 适用于中功率的应用。以下是一些具体的应用领域和模块示例:
1. **电源管理**:
- 在开关电源(SMPS)中用作开关器件,实现高效的电能转换。
- 适用于中功率DC-DC转换器,提升转换效率。
2. **电机驱动**:
- 在中功率电机驱动器中用于电机控制,提供稳定的电流输出。
- 适用于中功率电动工具和家用电器的驱动电路。
3. **LED照明**:
- 在中功率LED驱动器中作为开关器件,用于驱动中功率LED照明系统。
- 适用于室内和商业照明系统,提供高效、节能的照明解决方案。
4. **电池管理**:
- 在充放电控制电路中用于管理电池的充放电过程,确保电池的安全和长寿命。
- 适用于便携式电子设备和电动工具的电池管理系统。
5. **电子开关**:
- 在中功率电子开关电路中用于实现电子设备的开关控制。
- 适用于中功率电子设备和电子玩具等应用场景。
2SK1299STL-E-VB 的中功率特性使其成为各种中功率应用中的理想选择,能够提供稳定可靠的性能。