### 一、2SK1968-VB 产品简介
2SK1968-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 TO3P 封装,适用于高压和中功率应用。这款 MOSFET 具备 600V 的漏源电压 (VDS) 和 11A 的漏极电流 (ID),具有较低的导通电阻和高效率特性,适用于需要高压开关和放大电路的场合。采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,提供卓越的性能和可靠性。
### 二、2SK1968-VB 详细参数说明
- **封装**: TO3P
- **配置**: 单 N-沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 600V
- **栅源电压 (VGS)**: ±30V
- **门限电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 380mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 11A
- **技术**: SJ_Multi-EPI
### 三、应用领域和模块举例
2SK1968-VB 适用于多种高压和中功率应用,包括但不限于:
1. **工业电源**:
- 在工业电源系统中,2SK1968-VB 可用于高功率开关电源、逆变器和稳压器等电路中,其高漏源电压和低导通电阻特性使其成为高功率应用的理想选择。
2. **电动汽车充电桩**:
- 在电动汽车充电桩中,2SK1968-VB 可用于控制和管理充电电路,其高电流和低导通电阻特性确保了充电桩的高效率和可靠性。
3. **工业驱动器**:
- 在工业驱动器中,2SK1968-VB 可用于控制和驱动各种高功率电机和设备,例如大型风机、泵等,其高效率和可靠性保证了系统的稳定运行。
4. **电源逆变器**:
- 在电源逆变器中,2SK1968-VB 可用于将直流电转换为交流电,其高功率和电流能力使其成为逆变器系统中的重要组成部分。
通过以上应用场景,可以看出 2SK1968-VB 具有广泛的适用性,能够满足各种高压和中功率需求的应用场合。