### 产品简介
2SK2526-01-VB 是一款单 N 通道 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件具有900V漏极-源极电压(VDS),适用于高压应用场合。主要特点包括5A的漏极电流(ID)、1500mΩ @ VGS=10V 的导通电阻(RDS(ON))、3.5V的阈值电压(Vth),以及采用 SJ_Multi-EPI 技术制造,提供优异的开关性能和可靠性。
### 详细参数说明
- **型号**:2SK2526-01-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单 N 通道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:900V
- **栅源电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:1500mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**:5A
- **技术**:SJ_Multi-EPI
### 应用领域和模块
2SK2526-01-VB 适用于高压应用场合。
1. **电源转换器**:由于其高压能力,该器件可用于各种类型的电源转换器和开关电源中,提供高效的电能转换和稳定的输出。
2. **电动车充电桩**:在需要高压和适度电流的电动车充电桩中,2SK2526-01-VB 能够提供稳定的电流控制和高效的能量转换。
3. **电力传输**:在需要高压开关和稳定性的电力传输系统中,该器件可用于开关电路和其他高压应用,提供可靠的性能。
4. **工业控制**:在各种工业控制系统中,2SK2526-01-VB 能够提供稳定的开关性能,适用于高压开关和功率控制。
5. **医疗设备**:在一些需要高压稳定性的医疗设备中,该器件可用于电源管理和其他高压应用。
综上所述,2SK2526-01-VB 是一款适用于高压应用的 MOSFET,具有优异的开关性能和可靠性,适用于电源转换器、电动车充电桩、电力传输、工业控制和医疗设备等领域。