### 一、产品简介
VBsemi的2N02-VB是一款N沟道MOSFET,适用于各种低压、中压和高压应用。具有30V的耐压能力和6A的电流承受能力,内部电阻(RDS(ON))为30mΩ(@ VGS=10V)。采用SOT23-6封装,适用于小型电路板应用。
### 二、详细参数说明
- **型号:** 2N02-VB
- **丝印:** VB7322
- **品牌:** VBsemi
- **沟道类型:** N沟道
- **最大耐压:** 30V
- **最大电流:** 6A
- **内部电阻(RDS(ON)):** 30mΩ @ VGS=10V
- **门极-源极阈值电压(Vth):** 1.2V
- **封装:** SOT23-6
### 三、适用领域和模块示例
1. **电源管理模块:**
2N02-VB可用于电源管理模块,如DC-DC转换器和电池充放电管理。其低内部电阻和稳定性能可确保电源管理模块的高效率和可靠性。
2. **电流控制模块:**
作为N沟道MOSFET,2N02-VB可用于电流控制模块,用作电流开关以控制电流的通断。适用于各种电流控制应用。
3. **LED照明驱动模块:**
在LED照明驱动模块中,2N02-VB可用作LED驱动器的电流调节器,通过控制其通断状态来调节LED的亮度。稳定性能和适当的耐压能力可确保LED照明系统的稳定性和长寿命。
4. **电池保护模块:**
由于低内部电阻和稳定性能,2N02-VB可用于电池保护模块,如过充、过放和短路保护。高电流承受能力确保电池系统的安全性和可靠性。
5. **马达驱动模块:**
在马达驱动模块中,2N02-VB可用作电机驱动器的控制开关,用于控制电机的启停和转向。低内部电阻和稳定性能确保马达驱动模块的高效率和可靠性。