AM3428N-T1-PF-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
AM3428N-T1-PF-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有30V的漏极-源极电压，最大6A的漏极电流，以及在VGS=10V时的30mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。其丝印为VB7322，封装为SOT23-6。

**详细参数说明：**
- 最大漏极-源极电压（VDS）：30V
- 最大漏极电流（ID）：6A
- 导通电阻（RDS(ON)）：30mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压（Vth）：1.2V
- 封装类型：SOT23-6

**适用领域和模块举例：**
1. **便携式电子产品：** AM3428N-T1-PF-VB适用于便携式电子产品中的电源管理和功率控制模块，如智能手机、平板电脑等，因其小型SOT23-6封装和低电压、低电流特性。
2. **消费类电子：** 可应用于消费类电子产品中的充电管理、电池保护等模块，例如智能手表、音频设备等，提供可靠的电力输出和保护功能。
3. **工业控制：** 在工业控制系统中，AM3428N-T1-PF-VB可用于电机驱动、开关控制等模块，为系统提供稳定的电力支持。
4. **LED照明：** 作为LED驱动器的开关器件，可用于LED灯带、小型照明灯等应用中，实现高效的电力转换和灯光控制功能。

综上所述，AM3428N-T1-PF-VB是一款适用于多种领域的小型N-Channel沟道场效应晶体管，具有低电压、低电流特性，为各种电子产品提供了灵活可靠的功率控制解决方案。