Autosar _NVM Management

由于当前项目遇到些NVM 的问题，刚好打算将这些东西整理一下，作为自己的学习笔记，同时其他感兴趣的也可以借鉴，少走一些弯路；
注意： 由于个人能力有限，内容如有错误，还请指证， 共同进步；

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存储的基本知识

如下引用来自

https://blog.csdn.net/u011079613/article/details/114836519

ROM存储器
Read Only Memory，只读存储器，最初代表一种出厂后只能读不能写、不掉电的设备。烧入数据后，无需外加电源来保存数据，且断电数据不丢失。

PROM
PROM，Programmable ROM，可编程ROM。这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0， 以实现对其“编程”的目的。但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。

PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM
EPROM，Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM。这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。

这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。
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EEPROM
EEPROM，Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM。功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

借助于EEPROM芯片的特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。

EEPROM价格很高，而且写入时间很长，写入很慢。

EEPROM和FLASH最大的不同就是EEPROM可以操作的最小单位是字节，也就是可以直接擦除编程一个字节。FLASH的最小擦除单元是扇区，最小编程单元是page页

RAM存储器
Random Access Memory，随机存储器，代表了一种能读、能写、能改的设备。RAM这个词是因为可以按寻址读取和擦写，区别于早期的计算机曾经使用顺序读写的磁鼓和磁带作为内存。他的种类特别多，主要代表有硬件家族中的内存条、CPU的一二级缓冲，设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。

RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。

DRAM
DRAM，Dynamic RAM，动态随机存取存储器，这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

SRAM
SRAM，Static RAM，静态随机存取存储器，内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。从价格上看，SRAM是非常昂贵的。