微控制器存储器介绍

0 前言

本文介绍车用微控制器存储器，无论是寄存器指令还是AUTOSAR的NvM单元，都是以微控制器的存储器硬件为基础

1 存储器硬件分类

1.1 ROM存储器

Read Only Memory，只读存储器，最初代表一种出厂后只能读不能写、不掉电的设备。烧入数据后，无需外加电源来保存数据，且断电数据不丢失。

PROM

PROM，Programmable ROM，可编程ROM。这是一种可以用刻录机将资料写入的ROM内存，但只能写入一次。PROM在出厂时，存储的内容全为1，用户可以根据需要将其中的某些单元写入数据0， 以实现对其“编程”的目的。但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。

PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。

EPROM

EPROM，Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM。这是一种具有可擦除功能，擦除后即可进行再编程的ROM内存，写入前必须先把里面的内容用紫外线照射它的IC卡上的透明视窗的方式来清除掉。

这一类芯片比较容易识别，其封装中包含有“石英玻璃窗”，一个编程后的EPROM芯片的“石英玻璃窗”一般使用黑色不干胶纸盖住， 以防止遭到阳光直射。

EEPROM

EEPROM，Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM。功能与使用方式与EPROM一样，不同之处是清除数据的方式，EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。

借助于EEPROM芯片的特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。

EEPROM价格很高，而且写入时间很长，写入很慢。

Flash

Flash Memory，快闪存储器，具有结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点，而且集成度可以做得很高。

它综合了前面的所有优点：不会断电丢失数据，快速读取，电可擦写可编程，并且很便宜，因此成功地获得了广泛的应用。

缺点是：FLASH必须以扇区为单位清除数据，而不是以Bit或者Byte为单位访问。在写入资料时必须先将原本的资料清除掉，然后才能再写入新的资料，写入资料的速度太慢。

擦除操作
将位0变为1称为擦除，擦除只能按照Flash的扇区进行

写操作
将位1变为0称为写，写可以按地址进行

Flash Emulation EEPROM

EEPROM啥都好，就是太贵，于是人们想到了让便宜的Flash模仿EEPROM，让只能按扇区擦除的Flash具有按地址擦除的能力。

相关内容在Fls模块中介绍AUTOSAR-Fls模块

1.2 RAM存储器

Random Access Memory，随机存储器，代表了一种能读、能写、能改的设备。RAM这个词是因为可以按寻址读取和擦写，区别于早期的计算机曾经使用顺序读写的磁鼓和磁带作为内存。他的种类特别多，主要代表有硬件家族中的内存条、CPU的一二级缓冲，设备断电后，RAM中存储的数据就会丢失。

RAM则用来存取各种动态的输入输出数据、中间计算结果以及与外部存储器交换的数据和暂存数据。运行游戏、程序速度快慢看的是RAM，也就是动态内存，不是看ROM。

DRAM

DRAM，Dynamic RAM，动态随机存取存储器，这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。

SRAM

SRAM，Static RAM，静态随机存取存储器，内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。从价格上看，SRAM是非常昂贵的。

2 存储器功能分类

以英飞凌的TC389芯片为例，介绍ROM和RAM在微控制器中怎样分工。

2.1 CPU内存储器

可以看到，TC389有4个CPU，CPU0上有64KB的PSPR，32KB的PCACHE，240KB的DSPR，96KB的DCACHE。

这里，PSPR为Program Scratch-Pad SRAM，DSPR为Data Scratch-Pad SRAM，是专用于临时存储CPU要用的程序和数据的SRAM。

CPU运算速度极快，需要读写极快的RAM才跟得上，但是读写越快的RAM越贵，为了解决这个问题引入缓存CACHE。CACHE也是SRAM，读写数据快，相应的容量只有32KB和96KB，作为CPU的桥梁。

2.2 CPU外存储器

CPU外部存储器分为PFlash和DFlash，它们都是Flash。

其中PFlash0到PFlash3分别是CPU0到CPU3专有，上面存放着各CPU要执行的代码。
PF0共3MB，分为192个Sector，每个Sector为16KB，PF只能以Sector为单位擦除。

DFlash0是所有CPU共用的数据区，一共512KB的空间。一共分为128个Sector，每个Sector为4KB。

DFlash1是Hardware Security Module的数据区，一共128KB的空间。