初学整理（一）CMOS图像传感器（CMOS image sensor, CIS）基本介绍

CCD与CMOS

常用的图像传感器有电感耦合器件（Coupled Charge Device, CCD）与互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor, CMOS）图像传感器。工作原理：半导体的光生伏特效应（内光电效应）。
CCD的像素单元为多个MOS电容（下图）。

当MOS电容的栅压大于电容的阈值电压时，半导体内产生的光电荷会转移至栅极氧化层下进行积累，形成信号电荷包，通过栅压上的驱动脉冲将像素内的电荷包沿行传输，直至末端的电荷检测电路，输出电流或电压。因此，CCD传感器的像素可以同时曝光，再通过MOS电容进行信号存储，将电荷一列列地读出。
CCD优点：集成度高、功耗低。

随着CMOS大规模集成电路（LSI）制造工艺的高速发展，CMOS图像传感器能够与芯片的功能电路集成，以实现智能CMOS图像传感器。同时CMOS图像传感器的集成度大幅提高，单位面积的像素数成倍增长。
所以相较于CCD，CMOS具有更优越的成像性能。

CIS的基本结构与工作模式

CIS的基本结构如