SRAM学习笔记

引用自：http://www.52rd.com/Blog/Detail_RD.Blog_wangxg97_6873.html

 

1.SDRAM的burst mode

SDRAM是一种命令型动作的设备，就算读写资料只有一个也要先下命令才可以用，为了增加工作效率，就产生了一种传送一个命令，写多个数据的模式，这就是burst mode。
burst mode是一种利用内部列地址发生器来工作的高速读写模式，只要设置最开始的列地址，后面的地址就可以通过内部的列地址发生器来自动生成。

 

2.为什么要做precharge动作？

关闭正在作用的SDRAM bank，算是一种结束命令，后面可以下新的命令。我想这是和SDRAM内部管理有关。(这是从网上查到的，感觉不够详细，也不太理解)

“SDRAM Precharge －这项指的是SDRAM的预充电。 SDRAM的存储单元可以理解为一个电容。总是倾向于放电，因此必须有定时的刷新周期以避免数据丢失。刷新控制器决定刷新的时间间隔，刷新计数器保证每个 单元都能被刷新。当然，这意味着SDRAM的部分周期必须分配给刷新操作而降低系统性能。SDRAM一般可以采用自动刷新或自刷新。自动刷新实现较为简单 而自刷新功耗更小。

由于SDRAM的寻址具体独占性，所以在进行完读写操作后，如果要对同一L-Bank的另一行进行寻址，就要将原来有效（工作）的行关闭，重新发送行/列 地址。L-Bank关闭现有工作行，准备打开新行的操作就是预充电（Precharge）。预充电可以通过命令控制，也可以通过辅助设定让芯片在每次读写 操作之后自动进行预充电。实际上，预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写，并对行地址进行复位，同时释放S-AMP（重新加入比较电压，一般是电 容电压的1/2，以帮助判断读取数据的逻辑电平，因为S-AMP是通过一个参考电压与存储体位线电压的比较来判断逻辑值的），以准备新行的工作。具体而 言，就是将S-AMP中的数据回写，即使是没有工作过的存储体也会因行选通而使存储电容受到干扰，所以也需要S-AMP进行读后重写。此时，电容的电量 （或者说其产生的电压）将是判断逻辑状态的依据（读取时也需要），为此要设定一个临界值，一般为电容电量的1/2，超过它的为逻辑1，进行重写，否则为逻 辑0，不进行重写（等于放电）。为此，现在基本都将电容的另一端接入一个指定的电压（即1/2电容电压），而不是接地，以帮助重写时的比较与判断。——http://www.eetop.cn/bbs/thread-10715-1-1.html ”

 

3.自动刷新功能？

动态存储器（Dynamic RAM）都存在刷新问题。这里主要采用自动刷新方式，每隔一段时间向SDRAM发一条刷新命令。

 

4.SDRAM的地址线

在我们一般用的什么SRAM啊，PSRAM啊，RAM啊，一般而言都是有多少根地址线，然后可以算出寻址空间，比如有11 根地址线，那寻址空间就是2的11次方减1。但是SDRAM是分列地址和行地址的，行、列地址线是复用的，所以有时候我们看到说寻址空间有多大多大，但是 看看地址线怎么就那么几根啊，呵呵。SDRAM一般还有2根BANK的线，分成4个BANK，在有的处理器的SDRAM控制模块中，这两根线可能映射到地 址线的某两根去。一般芯片常按照以下方式写芯片的配置，比如4Meg x 4 x 16，那这个芯片就是256Mbits。其中16指数据线是16根，中间一个4是只分4个BANK， 每个BANK是4Meg。

 

5.SDRAM的初始化
SDRAM上电后使用前必须要经过一段初始化操作才可以使用。这个操作过程是标准的过程。这个过程如下

A:   precharge

B:   auto-refresh

C:   Load Mode Register

D: Normal Read/Write

在上电后输入初始化命令值钱，最少要100us延迟（这个其实很容易满足，呵呵）。

在输入precharge命令后，因为必须是对所有BANK进行Precharge，所以A10这个管脚要设置成高，因此在Precharge后面要做一个读的操作，这个操作最主要的是在SDRAM的寻址空间里设置的地址必须是A10是高的。

在输入Auto-refresh命令后，一般要跟几句空操作或者读什么之类的，反正要达到延迟的目的，以使得SDRAM有时间来完成refresh。

之后就是要设置SDRAM的模式寄存器，这个寄存器里一般设置了burst长度，CAS，burst类型，操作模式，还有是设置SDRAM是工作在 单个读写操作还是burst操作下。而这个寄存器的设置也是通过地址线来设置的，所以在发出Load Mode Register命令后要做一个操作可是使得在SDRAM的地址线上出线的值就是你要设置的值。这里很有必要提醒的一下的是，这个操作是8位的操作，切记 切记。

设置完模式寄存器后就进入正常操作模式。

实际上具体的操作要跟选用的处理器的SDRAM控制模块相结合来设置。对于这些初始化命令比较直观的理解就是拿逻辑分析仪来分析。

在这里需要提醒一下CAS这个参数很重要。还有SDRAM必须要刷新的，因此刷新频率可以按照手册算出来的，但是设置的高一点也是可以的。常常SDRAM都有工作频率，但是也可以工作在低一点的频率上，比如PC133的，你工作到100也是可以的，设置基本不需要修改。

 

6.基本读写操作：
SDRAM的基本读操作需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并 锁存相应的BANK地址（BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD(SDRAM的RAS到CAS的延 迟指标)时间后，发出读命令字。CL（CAS延迟值）个工作时钟后，读出数据依次出现在数据总线上。在读操作的最后，要向SDRAM发出预充电 （PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHARGE）命令，以关闭已经激活的页。等待tRP时间（PRECHAREG 命令后，相隔tRP时间，才可再次访问该行）后，可以开始下一次的读、写操作。SDRAM的读操作只有突发模式（Burst Mode），突发长度为1、2、4、8可选。

SDRAM的基本写操作也需要控制线和地址线相配合地发出一系列命令来完成。先发出BANK激活命令（ACTIVE），并锁存相应的BANK地址 （BA0、BA1给出）和行地址（A0～A12给出）。BANK激活命令后必须等待大于tRCD的时间后，发出写命令字。写命令可以立即写入，需写入数据 依次送到DQ（数据线）上。在最后一个数据写入后延迟tWR时间。发出预充电命令，关闭已经激活的页。等待tRP时间后，可以展开下一次操作。写操作可以 有突发写和非突发写两种。突发长度同读操作。

 

7.其他

我们有时候看到有的原理图上数据线有倒过来接的，其实这个无所谓的，反过接，写进去的就是反的，但是读出又反了一下，反反两次正好没反。

延伸一下到DDR，其实DDR就是SDRAM外面加了一个乌龟壳。因此初始化是一样的。当然DDR一是多了一个把时钟频率反相的时钟，因此有2个相 位差180度的时钟。这两个一般都是用同一个时钟源产生，一致性会比较好。还有多了2个DQS，这个也是一个时序要求，一般CPU的控制模块都有设置好 了。如果你使用的CPU不含有控制模块，那用FPGA去做一个控制模块的话，那就要好好研究时序了。

在有些处理器的控制模块中，由于EMI的设置，地址线映射关系复杂，因此推算会比较麻烦，一般如果没有什么映射的话，还是很容易操作的。