FPGAeer-CSDN博客

原创 LTM4622双路电源芯片的相关测试

2.如果输出电流不是特别大，例如只有1A左右，又不想加散热，那么最好降低输入电压，实测1A,1.8V输出，5V输入情况下，即使不加散热，芯片温度也会保持在30度左右。4.测试结果，当输入为5V，输出1.8V,2.3A电流时，芯片明显发热，并且输出电压也会有所下降，负载超过2.3A时，输出异常PDOOD引脚拉低。这个引脚可以作为输出正常的指示信号，当负载电流过大，输出为低，正常输出时为高。1.如果需要输出接近芯片极限的电流，且对输出电压精度有要求，那么需要输入的电压高一些，但是发热量也比较大，需要外加散热。

2024-09-05 17:51:13 394 1

原创 STM32读取at24c256数据异常

如果输入输出来回切换过程中不及时，会导致主机输出高电平，从机输出低电平(或者主机输出低电平，从机输出高电平)，导致引发总线短路的问题。1.测试STM32读取at24c256时发现读出来的数据和写入的数据不一致，我使用的是原子阿波罗开发板，主控芯片H743。仲裁过程中，一个输出高电平，一个输出低电平，也会造成短路的问题。使用开漏输出可以兼顾输入输出的同时，由于外加了上拉电阻才产生的高电平，就可以避免短路的问题。4.突然看到iic硬件初始化时，引脚模式都设为了推挽输出，读取数据时，推挽输出是有问题的。

2024-08-28 17:58:47 262 2

原创 FET场效应管的相关知识-MOSFET

可以看到MOS管的控制端一般需要一个较高的电平，我们常用的控制类IC都是3.3/5V电平，无法充分的将MOS管打开，我们看下面参数，不同的Vgs压差会影响Rds内阻，也就是说Vgs压差越大，内阻越小，功耗越低。要驱动大容量MOSFET需要提供短时瞬间大电流，并在沟道开通后维持合适的栅源电压(10～15V)，如果用普通控制芯片或单片机直接驱动，输出电流不够，输出电压也没有这么高，所以需要驱动器。如下图为一款mos管驱动器，我们可以看到他可以有6A的电流输出能力，宽工作电压4.5V-18V.

2024-08-23 16:23:15 222 2

原创晶体管电路设计学习（二）增强输出的电路

因此,为交流成分的输出信号Vo也与R的值无关。总之,即使改变负载电阻的值,输出电压V0也总是一定的(为vi),所以可以认为射极跟随器的输出阻抗几乎为0。该电路的设计方法是选择符合输入输出电流的晶体管(使用在数据表列出的互补对–即特性一致的NPN与PNP的对管)和在偏置电路上晶体管的基极电流(最大输出电流的1/hr),并使该电流按可以忽略的大小那样来进行流动。与在第2章所示的共发射极放大电路不同之处,在于信号是从发射极取出的,且没有集电极负载电阻Rc(该电阻在共发射极电路中是决定放大度的重要的电阻)。

2024-08-20 10:16:57 703 1

原创晶体管电路设计学习（一）放大电路的工作

输出信号uo的振幅(波形上下之间的值)为5V，这个电路的电压放大倍数A.为5。首先,在图2.1所示的电路中,基极的直流电位V(为”的直流部分,或者没有输人信号时的基极电位)是用R1和R2对电源电压Vcc进行分压后的电位(参见照片2.3),所以,流进晶体管的基极电流的直流成分是很小的,可以忽略,则。在图2.30的电路中,由于是将集电极电阻与发射极电阻取同一值,所以由集电极取出的反相输出的增益为0dB,与由发射极取出的正相输出信号的大小相一致(在发射极出现的信号大小与输入信号相同,就称增益为0dB)。

2024-08-19 15:54:41 759 2

原创时钟缓冲器的相关知识

时钟缓冲器是比较常用的器件，其主要功能作用有时钟信号复制，时钟信号格式转换，时钟信号电平转换等。

2024-08-12 14:10:07 440 2

原创 LDO(低压差线性稳压器)相关知识（二）

1.关键参数比较重要。

2024-08-07 15:59:02 114 1

原创 TVS管(瞬态电压抑制二极管)的了解

TVS即Transient Volatge Suppressor，中文名称：瞬态电压抑制二极管，又称雪崩击穿二极管。但在通常情况下，我们称之为TVS二极管。其在电路中的作用主要是保护敏感电路，免受高电压瞬变损坏的组件。其中，大部分用于端口的保护，防止端口瞬间的电压冲击造成后级电路的损坏。其中高压瞬变的主要来源是静电放电，电气快速瞬变和浪涌事件。

2024-08-07 11:19:39 1109 1

原创 LDO(低压差线性稳压器)相关知识（一）

LDO（low dropout regulator，低压差线性稳压器）。这是相对于传统的线性稳压器来说的。传统的线性稳压器，如78XX系列的芯片都要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就不能正常工作。但是在一些情况下，这样的条件显然是太苛刻了，如5V转3.3V，输入与输出之间的压差只有1.7v，显然这是不满足传统线性稳压器的工作条件的。针对这种情况，芯片制造商们才研发出了LDO类的电压转换芯片。如下为三端稳压器7805下面为LDO芯片ams1117。

2024-08-06 16:47:06 828 1

原创 DDR3的使用（五）利用XILINX MIGIP核（native）读写DDR3—AXI接口

我们在生成mig ip核控制DDR3时有一个选项，用来生选择生成IP核的类型，如果勾选则生成AXI接口，否则接口类型是native类型：那么什么是AXI接口，他有什么优势呢？一.AXI 的英文全称是AdvancedeXtensible Interface，即高级可扩展接口，它是 ARM 公司所提出的 AMBA（AdvancedMicrocontroller Bus Architecture）协议的一部分。

2024-08-02 16:42:39 1168 1

原创 MindMaster的学习（一）建立项目生成思维导图

MindMaster主要是用来做思维导图，当然也能直接生成PPT和甘特图，使用起来非常方便，简单分享下。5.给主题编号，我们选中中心主题，点击编号按钮可以看到子主题被编号了。1.安装软件，这个随便搜一个破解版，有的就免安装，直接打开就能用。其余的都很简单，可以一个个试一下。这个看起来还是非常清晰明了的。

2024-08-01 17:11:36 252 2

原创 DDR3的使用（四）利用XILINX MIGIP核（native）读写DDR3—IP核信号分析

我们这一节继续结合仿真波形和逻辑分析仪测试波形来分析下MIGIP核的各个信号使用，这里主要说的是用户端的信号，这些信号直接与ip核进行交互，只有正确使用才能按我们的要求来读写数据。1.我们先打开modelsim仿真软件，查看下example的仿真波形：modelsim仿真波形12.通过官方仿真波形我们来做一下初步分析： DDR3读写指令信号。

2024-08-01 16:47:58 796 2

原创 Project的项目管理学习（一）建立项目生成甘特图

我们每天面对需要处理的事务越来越多，做好规划，才能有条不紊的推进执行。4.可以看到，我们主要去两个城市，北京和西安。北京的景点有故宫，颐和园，鸟巢，长城。西安的景点有兵马俑，大唐不夜城，城墙，爬华山，陕西历史博物馆。然后分别规划每个景点的时间，但是发现规划的时间未包含周六周天，这和我们出游的实际情况不同，我们要新建日历，把周末也包含进去。6.划分好任务后我们要确定时间，整个出游任务我们定为15天，八月一日到八月十五日。7.点击更改工作时间，添加日历，将周末添加到新的日历中去。

2024-07-28 15:01:33 444 1

原创 DDR3的使用（三）利用XILINX MIGIP核（native）读写DDR3代码分析

这里重点讲下37行，{(MEM_DATA_BITS/8){rd_cnt}}中MEM_DATA_BITS=512，所以也就等效于{64{rd_cnt}}，意思就是64个rd_cnt，rd_cnt是8位数据，所以{64{rd_cnt}}就是将rd_cnt复制64次连在一起，一共512位。2=1600M，我们逻辑代码使用mig ip给的ui时钟位200M，1600/200=8，也就说ddr3接口处数据速率是我们逻辑代码处速率的8倍，如果速率要一样，那么接口处位宽为64位，我们只需要给一个64。

2024-07-25 22:29:35 525 1

原创 DDR3的使用（二）利用XILINX MIGIP核（native）读写DDR3

如下图，1处为给ddr3芯片的时钟，我们使用800M，2处comporment表示是芯片颗粒，下拉菜单里有其他选项，表示内存条。然后我们将写入的数据读出来，我们先发出读请求，当rd_burst_data_valid拉高时，表示读取数据有效。可以看到在1处我们发出了wr_burst_req，当wr_burst_data_valid拉高时我们开始往芯片里面写数据，每次数据累加1，直到7f为止。到这里我们就初步完成了读写实验，但是代码逻辑是怎样的，我们后面再分析，进行仿真实验。我们使用的芯片位ddr3。

2024-07-25 16:09:41 750 1

原创 DDR3的使用（一）XILINX MIGIP核里面的时钟结构

这里设置的参数就是 MIG 的PHY 接口对DDR3的时钟，也就是DDR3芯片实际跑的IO时钟频率，它由system clock（主时钟）倍频而来，最大频率不能超过DDR3 和MIG支持的最大频率中的最小值，如：我们的DDR3芯片最高支持933Mhz的IO时钟，我们使用的FPGA芯片的MIG最高只支持800Mhz的时钟，所以这里我们选择800Mhz（当然也可以选择比这个小）。4.）此处时钟要给到ddr3芯片，具体给多少，要关注两个，一个是fpga支持的时钟频率，另一个是ddr3芯片能跑到的时钟速率。

2024-07-24 16:39:35 1698 1

原创 SDR及DDR内存相关的各种频率总结

我们总结下动态存储器的各种时钟频率，为后面使用打下一个基础。

2024-07-24 11:15:34 1075 1

原创 quartus联合modelsim仿真

2.生成testbench文件模版在菜单栏依次点击processing>start>start testbench template write后会在modelsin文件夹下生成testbench模版。5.在quartus中启动仿真在菜单栏点击tools>run simulation>rtl simulation后启动modelsim。可以看到代码仿真后的结果和我们的设计一样。这里主要记录下仿真流程，testbench编写语法后面再详细介绍。我们记录下quartus联合modelsim仿真步骤。

2024-07-23 15:08:44 157 1

原创 FPGA读写操作SRAM_CY7C1051DV33

总结下，就是读写时间不能小于10nS,也就是最高频率100M，所以我们程序设计按100M时钟速率进行设计。注意，读写时，控制信号按下表进行设计。我们可以看到，在计数器delay分别计数到999 1999和2999时刻进行了写入，读出和比较。可以看到，写入数据和读出数据一致，并且led一直为低。手上有一块sram需要验证下功能是否正常，我门通过fpga来进行读写测试。时序图中读写时间都为一个时钟周期也就是10NS，我们使用芯片的极限速率。2.我们大概画下时序图，整理下思路。4.我们进行上板测试看下。

2024-07-23 11:12:37 453 1

原创 FPGA GT 高速收发器的一些认识（一）

FPGA内部的高速收发器一般称为GT（GT的意思是Gigabyte Transceiver），速度根据器件的不同能够支持的速率也不相同。在Xilinx 7系列的FPGA中，按支持的最高线速率排序，GTP是最低的，GTZ是最高的。例：假设线速度需要跑到1G，那么我们FPGA内部逻辑就需要跑到1GHz，才可以对外发出1G的bit流（即使采用DDR的方式发出，也需要内部500MHz）。下面简单介绍一下FPGA内部的高速收发器（主要以Xilinx的A7 FPGA为例，其他的“大概”大同小异）。

2024-07-16 16:00:32 944 1

原创 DDR3 DIMM 内存条硬件总结（四）

我们前三节讲到了ddr3的SO-DIMM内存条的相关知识，ddr3的SO-DIMM内存条应用在笔记本电脑，或者一些嵌入式领域。3.除了以上差异，dimm卡其余相关知识点可以参考so-dimm。通过这四节内容我们就把ddr3相关的内容整理的差不多了。以上是ddr3的dimm内存颗粒测试工装。可以看到，dimm卡共有240pin。2.与SO-dimm的比较。1.我们看下他的管脚定义。

2024-07-16 10:41:06 275 1

原创 DDR3 SO-DIMM 内存条硬件总结（三）

2.可以看到，ddr3内存条总位宽为64位，内存条的尺寸也做了规定，为67.6mm*30mm，总pin为204脚。组成内存条容量支持256MB, 512MB, 1GB, 2GB, 4GB, 8GB，也就是说ddr3单内存条最大能买到8GB的，不可能再大。我们可以看到上面的内存条图片，他上面标识为B类卡，我们看下上面列表，B类卡最大4G，我们使用的是2GB的大小，所以组织形式也唯一，为256M。以上是对前两节内容的补充。16，2Gb大小，8位。3.ddr3内存条被分为5种形式，分别为A,B,C,D,E,F。

2024-07-15 14:46:32 688 1

原创 DDR3 SO-DIMM 内存条硬件总结（二）

我们看到第二行2GB 1RX8 PC3-10600S-9-11-B2 具体含义上一节已经讲过了，我们深挖下1R*8，他的含义是排列一行，每颗芯片是8位的，什么？难道有两行排列不是一行的？是的看图，这个就是2R的样子.我们可以看出，若是16位芯片，我们可以用四片组成64位，如果是8位数据位宽，我们可以使用8片来组成64位位宽，例如上图就是8颗颗粒的内存条。这里就先看到这里，涉及到更多的内容我们后面继续总结。

2024-07-09 15:23:46 367 2

原创 DDR3 SO-DIMM 内存条硬件总结（一）

最近在使用fpga读写DDR3，板子上的DDR3有两种形式与fpga相连，一种是直接用ddr3内存颗粒，另一种是通过内存条的形式与fpga相连。简单的说就是把地址相同的位连在一起，数据线依次排列，单片位16位，4片的话就扩位展为64位。8=256M.看看手册总容量为4Gb，这里意思是4Gbit，我们计算的256M，是按组织形式16位的，如果换算为bit则，256。这个版本的意思其实是内存条的不同组织形式，每个版本的特征与将来PCB布局布线、和内存条的频率时序都有关系，设计之初就要确定好。

2024-07-09 10:08:46 751 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread启动

9.我们看到rt_hw_spi_bus_init中用了stm_spi_ops，stm_spi_ops包含了spi_configure，其中又用了stm32_spi_init，1处为软件协议层面上的设置，就是MX_SPI1_Init中的设置.5.第一个函数rt_hw_interrupt_disable关闭中断，没啥可以看的，第二个rt_hw_board_init进去看下，他进了board.c文件，直接进hw_board_init函数。继续往下看，有个自动初始化，将对spi进行初始化，继续顺藤摸瓜。

2024-07-05 16:42:39 488 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（十二）spi设备fal驱动的使用

我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。8.我们测试下性能，性能将会测试 Flash的擦除、写入及读取速度，同时将会测试写入及读取数据的准确性，保证整个 Flash 或整个分区的写入与读取数据的一致性。fal驱动的使用是建立在sfud驱动之上的，所以我们在上一节使用的工程基础上继续实验。指令为fal bench 4096 yes。

2024-06-30 15:59:49 256 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（十一）spi设备SFUD驱动的使用

可以看到我们就可以通过sfud指令读写flash了。3.在工程中打开cubemx，设置串口及时钟，设置内容如上一章节，spi的管脚设置需要参考原理图。7.编译下载，发送list device指令查询下设备，如图可以看到有spi设备了。8.在applications文件夹下添加程序,注意，flash片选脚为G10.1.建立新工程，选择相应的芯片型号及debug引脚及调试器。9.编译下载可以看到打印信息，flash已经被检测到。10.读取下flash数据，可以看到读取成功。2.编译下载，可以看到串口打印正常。

2024-06-28 23:23:58 537 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（十）i2c设备使用

2.打开cubemux，设置外部时钟及串口外设，其余设置参照前面rtthread stm32h743的使用（一）新工程建立，使能两个串口，串口1为调试串口，串口2为我们的测试串口。我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。#define AT24Cxx_I2C_NAME “i2c3” /* PWM设备名称 */可以看到写入的值与读出的值一致，eeprom的读写就可以了。1.建立新工程，选择相应的芯片型号及debug引脚及调试器。

2024-06-26 12:26:26 827 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（九）RT_WEAK报错

我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。将RT_WEAK void rt_hw_board_init()改为。发现错误和警告都消失了。

2024-06-17 11:19:37 282 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（八）CAN设备使用

可以看到数据已经发送至CAN分析仪，帧参数和我们设置的一样。我们的CAN就能正常使用了，这里我们是将H7的FDcan当做标准can来使用的，因为目前所用的电机之类都还是标准can，后面遇到fdcan我再继续探索。在1处我们声明外设初始化函数，调用mx中生成的初始化函数进行外设初始化，2处我们声明两个结构体，一个作为句柄使用，一个进行参数初始化使用。3处我们对发送帧参数进行初始化，4处我们调用发送函数发送数据。我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。

2024-03-08 15:29:12 1065 2

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（七）dac设备使用

可以看到随着设置值的改变，输出电压也会跟着改变，这里我们的DAC外设就验证完了，我们依然使用了rtthread的内核，但是用的hal库直接操作的，主要原因是rtthread的外设驱动对H7系列支持还不是很完善。我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。2.生成工程后打开mx进行配置，时钟配置如前所讲，不在赘述。3.更改mx文件夹下的main,c文件。测试值为0.81V,和理想值基本一样。6.我们在更改下代码看看。1.我们还是先建立工程。

2024-03-07 11:10:05 851 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（六）adc设备使用 vofa+显示

我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。2.更改代码，为什么要这样改一下，这个需要看一下串口软件图形化显示的数据格式，这样才能正常按图形显示。可以看到模拟量可以被实时进行采集，非常直观。

2024-03-06 17:33:13 635 1

原创 RT-Thread Studio与CubeMX联合编程之rtthread stm32h743的使用（五）adc设备使用

这里adc外设就能够正常使用了，我们这里没有用到rtthread 的外设驱动，因为使用过程中发现rtthread的外设驱动编译错误，很久没有更新，所以先只使用rtthread的内核，外部驱动后面试着改下有问题的地方再发出来。我们要在rtthread studio 开发环境中建立stm32h743xih6芯片的工程。我们看到接3.3V时,16为值为65535，接gnd时值为1000左右，1000/65535*3.3=0.05V,有点误差都是正常的。5.再配置adc设备，如图我们配置adc1,0通道。

2024-03-06 16:42:04 696 1

空空如也

空空如也