这一部分是展示几个例子关于如何设计一个稳定的高频放大器。接下来展示两个放大器示例-在第一个示例中，说明了使用探针计算具有实际设备模型的非线性归一化行列式函数需要什么，在第二个示例中，展示一种设计技术，可以使用巧妙的EM可视化来跟踪一些反馈回路。
第一个例子是935MHz的C类放大器，现在偏置情况下的导通角非常低，需要射频信号输入才能开启设备，如图一。因此，扫描输入功率时，会发现直到输入信号功率为-10dBm时，设备才会开启并出现增益，如图二，所以在低功率情况下进行稳定性分析(NDF)是不可取的，所以需要采用大信号模拟。进行NDF模拟的最大障碍是需要关闭晶体管内部增益元件(采用真实晶体管模型时，可以将模型中的Beta和Lambda参数归零，然后使用if语句根据输入变量来切换它，如图三)。
图一
图二
图三
但是为了确保DNF计算正确，需要考虑更实际的因素——即使设备关闭时也需要保持直流条件。所以添加了另一个与直流馈电相连的设备，当另一个关闭时我打开这个，反之亦然，所以即使这个设备关闭，仍然有直流电。如图四。这是构建支持NDF模拟的巧妙方法。
图四
接下来扫描增益切换开关，并且在结果中可以看到模型参数被关闭，增益是零。如图五。
图五
现在用WS探针来计算NDF，如图六。现在有两个设备，一个直接到地，另一个不接地。目标是让WS探针尽可能靠近设备 。上面一个设备，WS探针放在栅极和漏极，但是源极接地；对下面的设备栅极和漏极、源极都有WS探针，因为源极没有接地。所以图中有五个WS探针。现在移除功率扫描，使得Pin=13dBm,并在很宽的范围内扫描小信号频率，此时需要选中谐波平衡选项卡中的执行稳定性分析框，如图七。
图六
图七
用wsp_y_matrix这个函数来计算NDF，在DataDisplay窗口中调用，因为方程是基于文本的输入，所以需要点击等式上的更新键来确保跟随发生的变化。并且将所有探针名字作为字符串输入，然后需要在完成后按C键来计算它(或者对Eqn右击点击Calculate)。如图八、九。以上模拟给出了Y矩阵。接下来我做外部NDF等于带索引的行列式，除以带索引的行列式。我将添加另一个函数，CheckNDF，它等于ExtNDF函数的圈，现在我将绘制CheckNDF函数-使x轴为对数标度。如图十。
图八
图九
图十
图十表明NDF实际包围了——因此电路是不稳定的 ，这种电路的不稳定性取决于功率——意味着改变输入功率的同时，结果也会改变，现在就来演示这个结论——首先让Pin很高=27dBm，这时候可能会认为放大器非常不稳定，但是重新运行模拟后发现实际上电路稳定了。所以，探针可以帮助对设计来执行大信号NDF，并查看稳定性是如何随非线性条件变化。下面介绍的是另外一个示例——1GHz的GaN-PA，如图十一。
图十一
这个示例使用了Qorvo的晶体管和Modelithics的真实设备模型构建。接下来说明不小心构建了意想不到的反馈循环，问题就会出现。现在图十一是基础传输线的原理图——这是开始设计的很好的方法，并且如图十二放大器的基本性能看起来也是相当不错的——所以现在也许是分析稳定性的时候了。
图十二
这个原理图中考虑了稳定性的问题，比如栅极上的电阻器，直流电源上的旁路电容，这些都是稳定高频电路的好做法。图十一中，已经将Winslow探针添加到该设备的栅极和漏极，所以接下来运行大信号模拟来得到像刚刚那样的结果。与上个示例相比，无法将晶体管的本征源打开和关闭，但是这是个 很常见的情况，所以无法可靠地进行大信号NDF的计算。好消息是有完整的技术工具箱封装在WS探测器中，所以可以来查看其他的一些指标而不是NDF，数据显示如图十三。可以看出图中绘制了驱动点导纳，
首先做的是查看实部并检查负值， 此处给出一个小技巧——取整个扫描的最小值并查看符号。在这种情况下，他是正的，这表明放大器是稳定的。另外还需要查看dB作为单位的环路增益的真实返回比——这个直接来自于探头的输出，这个值非常低，基本上就是零。如图十四。
图十三
图十四
实际上上述结果并不代表放大器很稳定，通过仔细查看原理图，发现在图十五中并没有模拟反馈环路——所有都连接到了理想地，并且电路中的任何地方都没有传输线的耦合，这个在高频设计中是需要额外注意的，特别是任何时候的环路增益值很低，都需要考虑这个可能性。
图十五
接下来看看物理布局，此时已经加载到Pathwave EM工具中(RFPro)，如图十六。如果熟悉电磁仿真，可能就会看懂一些潜在的反馈环路，所以接下来对布局进行了电磁模拟(0-10GHz，如图十七)。
图十六
图十七
RFPro最方便的是只需要单击一个按钮并获得一个电路模型，然后就能在仿真中使用它。如图十八、十九。
图十八
图十九
接下来回到电路用EM模型来替换所有的集总元件，然后重新进行分析，如图二十、二十一。
图二十
图二十一
观察图二十一可以发现，驱动点导纳有一个负的最小值，所以需要对Kurakowa状况下进行进一步的稳定性检查。为了完成这个目的，wsp_driving_point()可以做到这点。这个函数分析任意数量的驱动阻抗并返回不稳定的频率。因此，将两个探头输出都传递给此函数，并且多个频率被标记为不稳定，低于和高于主要发射频带，以上结论需要进一步分析。接下来查看双边环路增益(即是真实返回比)，可以看到高增益部分大致对应于不稳定的驱动点导纳频率。但是最重要的是需要弄清环路增益问题的根源。接下来分析循环的方向性，即是信号是从输出泄露到输入还是从输入泄露到输出？Osctest环路增益有助于分析这一点。为了模拟Osctest，图二十二中使用了方程式来处理探头的输出：wsp_loopgain()，这个函数中的因子UNI意味着信号是从探头的输出端发出，然后返回到输入端。观察图二十二发现，如果单向观察漏极探头环路增益，会发现几乎所有的低频环路增益似乎都是从输出端传输到输入端。当然也可以反转方向，使用函数中的因子REV，这表明反向传播的低频增益很少。 最有趣的是，在更高的频率下，环路增益更加双向。那么，如何弄清这种事情的真相呢?现在介绍一个简单方法——使用电路仿真来电磁激发物理布局。所以将运行AC仿真并传入一个大信号(如图二十三)，但现在扫描频率并在刚刚使用谐波平衡仿真的EM模型中的同一电路完成同样操作。完成以上操作后，返回到RFPro，在其结果选项卡中单击来查看电流密度(如图二十四)。
图二十二
图二十三
图二十四
现在有多种方式来激励这个布局，但是这儿选择电路激励，然后从前面运行的AC模拟中选择数据集，即使用了电路结果来驱动物理EM结构。如图二十五二十六。
图二十五
图二十六
图二十七
如图二十七，查看了100MHz的电流密度，发现这是较低频率的振荡。通过调整刻度来点亮可能振荡的部分。如图二十八。这是旁路电路接地，正在耦合信号。从Osctest中，知道耦合的方向是从输出到输入——所以这就是需要在设计中避免和解决的问题。接下来查看3.4GHz的结果，这是高频的振荡点，如图二十九。需要注意的是晶体管周围的地平面高亮——这表明匹配电容接地之间的耦合-输出到输入，实际上也是输入到输出，所以需要在这一区域添加更多的VIA来改善电路该区域的隔离。也可以通过修改设计——例如分离偏置线；在较大的旁路电容处添加电阻，为了在较低频率下对这些反馈环路进行去Q化，如图三十；在匹配网络下方添加更多的接地VIA来改善高频隔离。
图二十八
图二十九
图三十
重新运行电路仿真后，发现设计是稳定的，如图三十一。
图三十一
在图三十二、三十三EM激励中看到——耦合得到了很大的改善。
图三十二
图三十三
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