基于InP的通用光子集成技术（二）

Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 083001

3.构建块

3.1. 介绍

通用集成技术背后的基础思想是通过一组精确表征的构建块实现单片集成，这些构建块提供了实现不同应用的PIC所需的基础功能。尽管基础思想看起来很简单，但其实际并不容易，因为构建块的数量往往会变得很大：不同类型的激光器（FP、DFB、DBR、CW、脉冲、可调谐等）、调制器、检测器、MMI耦合器（1×2、2×2、1×4、2×4、4×4等）和具有不同通道数量和间距的AWG。为了充分利用通用集成技术的潜力，必须准确地描述这些构建块的特征，以便用户能够基于它们准确地设计复杂的光路。基于这些标准元件设计光路的用户将非常正确地要求晶圆厂保证构建块符合约定的规范。如果以错误的方式进行验证，验证制造的晶圆的正确性能将给晶圆厂带来巨大的负担，因为每个MPW都应该保证整套构建块。此外，有这么多不同的构建块，优化集成工艺将成为一项复杂的任务：哪些构建块应该在工艺开发中获得优先权？

为了使通用工艺开发和验证易于管理，我们区分了基本构建块BBB和组合构建块CBB。其想法是使用少量的BBB，使用这些BBB组合更大的构建块CBB。通过这种方式，我们创建了一个构建块的层次结构，其中较高层的属性可以从最低层BBB的属性中导出。如图9所示，将在以下章节中进行详细解释。

通过这一细分，通用工艺的优化和验证现在可以集中在一小部分构建块上：BBB。如果对其性能进行了优化和验证，则根据设计规则构建的所有PIC的性能也应满足预期。因此，晶圆厂可以将所有精力集中在优化和验证一小部分BBB上，而不是优化和验证大量不同元件的工艺，这大大减少了技术开发和验证成本。

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3.2. BBB基础构建块

BBB是实现通用技术提供的全部功能所需的最小功能构建块集。如果一个构建块可以分解为更基本的构建块，那么它不是BBB，而是CBB。例如，激光器由增益部分和谐振器组成，因此它是CBB。谐振器本身可以由环形腔、FP腔（两个反射镜）或布拉格光栅形成。例如，对于FP激光器，BBB是用于提供增益的SOA部分，并有可形成腔的解理面。带有解理面的SOA是BBB，因为它们不能分解成更小的单元。环形谐振器由弯曲和/或直波导部分组成，因此它是CBB。直波导和弯曲波导是BBB。图9a中的箭头说明了CBB如何由多个BBB和/或CBB组成。

以下是对Oclaro、Fraunhofer HHI和COBRA/SMART当前通用集成工艺中可用的最重要BBB的简短描述。尽管不同的工艺有很多共同的BB，但它们的性能可能不同，而且它们也可以提供一些其他平台所没有的构建块。此外，可以利用一些构建块外延结构来提供几种不同的功能，这一点在下面的第3.4节中进行了扩展。表2给出了不同BBB的概览。

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（1）无源波导部分（WG）。透明波导部分是任何通用工艺中最基本的构建块。它们用于互连和构成CBB，如MMI耦合器和AWG。可以为它们提供不同的光学约束，例如深或浅刻以进行强或弱约束。它们最重要的特性是传输损耗，传输损耗应尽可能低。

（2）半导体光放大器SOA。SOA是一种有源波导部分，当施加注入电流时，它为引导信号提供增益。此外，该BBB的非线性特性可实现许多应用，例如全光交换。

（3）饱和吸收器（SA）。这是一个反向偏置的pin掺杂吸收波导部分，如果吸收的光产生足够的e–h对以获得粒子数反转，它将变得透明。一个短的反向偏置SOA部分可以用作SA。

（4）波导光电探测器（PD）。波导PD是设置有用于承载光电流的电极的吸收波导部分。它的结构与SOA非常相似，并且可以使用一个短的反向偏置SOA部分作为检测器。

（5）电折射调制器（ERM，ERMI）。这是pin掺杂波导部分，反向（ERM）或正向偏置电压（ERMI，电流注入）引起相移。反向偏置操作下的物理效应非常快。通过适当的电极设计，调制速度可能快至40Gb/s。通过电流注入，速度被载流子复合时间限制在几Gb/s。

（6）电吸收调制器（EAM）。电吸收调制器是幅度调制器。它们在带边缘工作，并利用其偏置电压依赖性来调制吸收。它们需要具有不同外延结构的特殊pin掺杂波导堆叠，这在当前的晶圆平台中无法实现。HHI计划在未来的平台上发布。据报道，调制速度超过40 Gb/s。

（7）热光调制器（TOM）。热光调制器是一种无源透明波导部分，通过用波导顶部的加热电极加热，可以改变其相转移。调制速度在毫秒范围内。

（8）可调谐布拉格反射器（TBR）。这是具有周期性波纹的pin掺杂波导部分，其峰值反射波长可以通过改变偏置电流来调谐。它是可调谐DBR或DFB激光器的关键单元。

（9）电气隔离段（EI）。这是一个波导部分，其中高p掺杂的顶部包层已被去除或通过质子注入而具有高电阻。例如，它被用于将前向偏置SOA部分和后向偏置相位调制器彼此隔离。如果没有EI，电串扰会影响光路性能。

（10）偏振旋转部分（PR）。这是具有旋转模式和强双折射的非对称波导部分（例如，具有成角度的波导侧壁）。当正确连接到普通波导时，它可以提供偏振旋转。

（11）光斑尺寸转换器（SSC）。这是一个BBB，它适应PIC的输出波导中的模式大小，以更好地匹配解理或透镜光纤或介电中介层芯片的模式。在当前的平台中，这些BBB都使用平滑变化的锥形波导横截面来实现这一功能。

（12） 波导终端（WGT）。这是一种用于将光耦合出PIC或用于提供低反射或高反射终端的单元。它可以是简单的解理面或蚀刻面，直或斜的（后者用于减少反射），并且可以包含高反射或抗反射涂层。

3.3. CBB组合构建块

CBB是通过组合两个或多个BBBs组成的构建块，并且不需要额外的组合工艺。CBB可以由设计者使用设计工具进行组合，而无需考虑工艺。对于其中的一些人来说，CBB这个名字是违反直觉的：大多数设计师会将两个不同波导、MMI耦合器或FP激光器之间的连接视为CBB。如前几节所述，为了简化技术开发和工艺验证，保持BBB的数量尽可能少是很重要的，只有在我们将所有可以由BBB形成的元件标记为CBB而不进一步调整技术的情况下，才能实现这一点。所以激光器和MMI耦合器肯定是CBB。但更复杂的光路也可以用作CBB。实际上，每个可以在其他ASPICS中重新用作构建块的子光路都是CBB。为了实现其重用，重要的是通过将其包含在通用标准过程中提供给设计者的元件库中来向其他用户提供：构建广泛的CBB库是通用平台技术开发的重要目标。

如果BBB和CBB之间的区别不相关，我们将称之为构建块。CBB的例子有：

（1） 各种波导之间的连接：

• 直波导和曲波导

• S波导中使用的具有不同（或相反）曲率的波导

• 不同宽度的波导（锥形）

• 浅波导和深波导

• 有源和无源波导

（2） MMI耦合器、滤波器和反射器：

• 光功率分配器和组合器。特例：3dB耦合器。

• MMI模式滤波器

• TE–TM分路器和组合器

• MMI反射器。这些是MMI耦合器，末端有一个深刻的角镜。它们可以用作宽带片上反射器。

（3） AWG复用/解复用器。

可以有不同的规格：多个输入和输出端口、不同的通道间距、自由频谱范围（FSR）、通道形状（抛物线或平坦）和通道宽度。

（4） 激光器，如FP激光器、可调谐DFB和DBR激光器以及锁模脉冲激光器。

（5） 马赫-曾德尔或迈克尔逊干涉仪（MI）调制器和开关

（6） 交换矩阵

（7） WDM发射机

（8） 接收机，如DQPSK或PM DQPSK接收机。

（9） 实际上，任何ASPIC都可以用作更复杂的ASPIC中的CBB。

通过将BBB和CBB包含在元件库中，设计者可轻松调用。BBB库模块由晶圆厂提供。CBB库将持续发展，有公库和私库两部分。设计师可以将其CBB作为模块添加到元件库中，并在模块所有者和设计套件经销商之间达成一致的条件下通过PDK进行分发。通过这种方式，可以利用许多设计师的贡献来扩展库。通用集成技术的潜力在很大程度上取决于其CBB库的规模和覆盖范围。

3.4. BTB基础技术块

BTB是可以具有不同功能的物理结构，因此可以在不同的BBB中使用。例如是SOA：一个简短的反向偏置SOA部分也可以用作检测器。在表2中，可以用来创建许多不同功能的构建块结构用粗斜体标记，可以从中派生的BBB用普通斜体标记。可以看出，通过从单个BTB实现一个或多个BBB，减少了晶圆厂必须集成的不同技术块的数量，这也降低了所需集成技术的复杂性。然而，我们需要单独描述它们的性能，并提供不同的验证标准。我们将在下面讨论两个这样的BTB。

SOA，如果在反向偏置下操作，可以用作检测器。如果有源层是块体材料，则检测器性能可以相当好（带宽>25GHz）。如果有源层基于QW或QD材料，则光学限制和吸收较低，长度需要较长，这减小了带宽并增加了暗电流。同样的结构也可以用作锁模激光器中的饱和吸收器。通过使用先进的外延技术，在有源层堆叠的带隙选择方面提供设计自由度（SAG技术），可以进一步减少通用工艺中的BBB数量：电吸收调制器和检测器也可以在与SOA相同的工艺中实现。

电折射相位调制器可以在反向偏置（耗尽模式）和正向偏置（电流注入模式）下使用。特性（电光效率和带宽）将显著不同。此外，如果电极设计足够灵活以用作加热器，则它们也可以用作热光调制器。

如果光刻具有足够的分辨率来支持一阶光栅（所需的分辨率在100nm的数量级），则相位调制器也可以用作可调谐光栅，例如在DBR激光器中。通常，这些光栅是通过电子束或全息光刻和外延过生长技术来实现的。如果它们可以在与波导相同的步骤中用侧壁光栅实现，例如使用DUV光刻，我们就不再需要相位调制器和可调谐光栅的不同技术步骤：它们可以从与BTB相同的调制器部分导出。BTB通过对许多不同的功能使用单一的结构，实现了工艺技术的非常有用的简化。这种组合是否可能取决于特定的平台技术。如图9b所示，因为BTB支持不同的功能，并且不形成一个完整的集合，所以基本功能不能由BTB形成，而只能在BBB的级别上形成，如图9所示。对于设计师来说，功能性BBB级别是设计的起点，在集成过程中形成BBB的方式与他们无关。

4.BBB

在下面的段落中，我们将详细讨论一些BBB。示例取自COBRA工艺，因为这是第一个提供MPW服务的通用工艺，并且大多数工艺和构建块信息已经公开。它们是Oclaro和Fraunhofer HHI其他通用晶圆工艺提供的构建块的代表。目前，SMART Photonics提供了使用COBRA工艺的途径。

我们为每个构建块提供了有关Oclaro和Fraunhofer HHI平台最重要功能的一些信息，我们还讨论了正在进行的改进工作，这些改进将在三个平台流程的后续版本中提供。

2014年，JePPIX平台推出了对Oclaro、Fraunhofer HHI和SMART Photonics平台进程上运行的MPW的半商业访问。半商业化意味着工艺尚未完全合格（商业设备通常称为“测试版”）。因此，本文中提到的数字和功能只是一个快照，可能会发生变化。有关工艺规范的更多信息，读者可参考设计手册和工艺规范，这些手册和规范可通过NDA下的JePPIX平台[44]获得。

4.1. WG无源波导

透明波导部分（WG）是任何通用工艺中最基本的构建块。它们用于互连目的以及MMI耦合器和AWG等CBB中。它们可以具有不同的光学限制（波导强度），例如深刻强引导（WGS）或浅刻弱引导（WGW）。它们最重要的特性是传输损耗，传输损耗应尽可能低。弱约束波导通常具有最低的传输损耗，并且有利于互连，但它们不允许小半径的波导弯曲。对于紧凑的部件和小的弯曲半径，强约束波导是优选的，但它们的传输损耗通常更高。

图10左显示了COBRA工艺中深（强约束）和浅（弱约束）蚀刻波导的横截面。波导层是一层0.5μm厚的Q1.25大块材料层。Q1.25是指晶格匹配的四元材料（InGaAsP），其组成使得带边缘处于1.25μm的波长。对于浅刻波导，脊被蚀刻到波导层中100nm。深刻波导被蚀刻至波导层下方>150nm。波导宽度可由设计者选择，建议浅波导的标准宽度为2μm，深刻波导的标准宽为1.5μm。

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传输损耗由上部p掺杂包层中自由载流子吸收引起的吸收损耗和波导侧壁粗糙度引起的散射损耗引起。包层和波导层的下部被掺杂，因为在相位调制器中使用相同的波导结构。n型掺杂剂对损耗没有显著贡献，但p型掺杂剂有。上包层具有逐步分级的掺杂轮廓；它在波导附近最低，在那里它与导模相互作用最强烈。其最小水平由相位调制器的电光效率决定，这需要pn结靠近波导。掺杂水平可带来约2dB/cm的传输损耗，从而获得良好的电光效率。对于浅刻波导，散射损耗较低，总波导损耗约为3dB/cm。对于宽度为1.5μm的深刻波导，总损耗约为4dB/cm。如第2.1节所述，采用更先进的集成工艺，可以降低损耗（低于1dB/cm）。

浅刻波导的建议最小弯曲半径为500μm。深刻波导的弯曲半径可以小到10μm。在50μm以下，如果侧壁不是完全垂直的，则在直波导段和弯曲波导段之间的连接处可能发生显著的偏振转换。在COBRA工艺中，我们没有看到半径小于20μm[50]的显著偏振转换。

浅波导的有效折射率在1550nm波长下为3.25的数量级。浅波导的双折射率（TE和TM偏振模之间的有效折射率差）约为6.10-3，这将导致AWG和DBR光栅等波长敏感器件中约3 nm（400GHz）的偏移。对于深刻波导，它在1.5μm的波导宽度处穿过零点，但它对小的宽度偏差非常敏感。50 nm的宽度偏差已经导致了10-4倍的（波长相关）双折射变化，对应于AWG中高达100 GHz的TE-TM偏移。

电气隔离部分。上包层的高掺杂物水平在通过波导连接的所有有源元件（如SOA、检测器和调制器）之间提供了电阻路径。如果这些部件在不同的电压（例如正向和反向偏置）下工作，则可能发生大的泄漏电流，这可能会改变部件上的工作电压（串扰）。为了防止这种泄漏电流，必须在两个部件之间插入一个电隔离波导部分（EI），如图10所示。通过去除高掺杂的上包层，该截面的电阻大大增加，截面长度约为20kΩ/μm。隔离段的传输损耗略有增加，因此不应使其超过必要的长度。波导和隔离部分之间的过渡也引入了小的附加损耗。使用斜的隔离蚀刻来减少在该界面处的可能反射。

其他平台。Oclaro平台仅支持与相位调制器部分相同的深刻波导。波导损耗与COBRA平台相当：约3dB/cm。Fraunhofer HHI提供具有三种不同蚀刻深度（弱、中和强）的波导。低约束波导的传输损耗在0.5到1dB/cm之间，对于强约束波导，其数量级为2dB/cm。COBRA正在一个改进的平台上工作，通过将p掺杂材料限制在有源元件（SOA和ERM）上并避免在无源波导中使用，波导损耗低于1dB/cm，如第2.1节所述。

4.2. SOA光放大器和PD光电探测器和SA饱和吸收器

对接外延再生长工艺的一个重要特征是增益块的模块化特性：只要有源波导层的总厚度不变，集成工艺对增益块的成分就不敏感。因此，该工艺可用于体有源层（120nm Q1.25材料）以及具有不同发射波长的量子阱（QW）或量子点（QD）有源层。有源层嵌入Q1.25单独的限制层中，并且有源波导堆叠的总厚度为500nm。在适当的电流注入水平下，所有层的增益最大值都在1550nm左右。

对于MPW，COBRA工艺使用具有嵌入500nm Q1.25层中的四个QW的MQW层。标准SOA脊宽度为2μm。在与浅波导相同的蚀刻步骤中对SOA进行浅刻。应用浅刻以避免蚀刻到达有源层，这会增加表面复合。图11左显示了横截面。800μm长的SOA部分在120mA的注入电流下具有20dB的模式增益。

用于光探测时，我们使用了宽度为10μm的反向偏置深刻SOA，如图11中所示，这允许设计者将任何宽度相等或更小的浅波导或深波导直接连接到检测器。增加的宽度还增加了发生饱和的输入功率电平。暗电流低于1nm/nA探测器长度。对于体有源层，50μm的长度足以吸收95%以上的入射光，对于QW有源层，检测器需要更长。对于体有源层，检测器电容和渡越时间足够小，允许远远超过10 Gb/s的速率，对于QW有源层，需要具有略低响应度的特殊设计来进行10 Gb/s操作。

反向偏置SOA结构也可以用作锁模激光器中使用的饱和吸收器。

其他平台。Oclaro平台提供了出色的SOA，通过适当的散热，可以在无源波导中产生高达50mW的输出功率。325μm长SOA在注入电流为15 mA时1550 nm处的模式增益通常为50/cm。Oclaro平台提供0.8–0.9A/W响应度和10GHz带宽的探测器。在编写本文时，HHI平台不支持SOA，正在开发一个改进的SOA和EAM工艺。HHI提供卓越的高速探测器，带宽>35 GHz，响应度0.8–0.9A/W，暗电流<5nA（-3V）。由于该平台使用SI基板，因此探测器可以在平衡探测器中使用。

如第2.1节所述，通过引入SAG技术，可以使设计者自由选择有源元件的带隙，从而实现平台性能的重要提高。HHI正在与III–V实验室合作，引入这项技术。

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4.3. ERM/ERMI/TOM相位调制器

图11显示了相位调制器横截面的示意图和SEM照片。它既可以用浅刻波导也可以用深刻波导来实现，它的设计是调制器的相位调制效率和透明波导中的传输损耗之间的平衡。调制器具有pin结构，其中调制是由许多效应引起的，其中最重要的是反向偏压下波导层中的载流子耗尽。为了优化相位调制效率，波导层提供了低水平的n型掺杂（3.10-16/cm3），这会在反向偏置中产生约15°/（V mm）的相位调制效率。这需要6–7 V才能使用2 mm长的电极实现180°相移。通过适当的电极设计，调制器可工作到10 Gb/s。

调制器部分也可以与正向偏置（电流注入）一起使用；相位调制效率在60°/mA的范围内，具体取决于配置。

热光相位调制器可与电光调制器相同的工艺中实现，方法是通过电极馈送电流并利用其电阻产生热量。热光调制器显示出比电折射调制器弱得多的波长依赖性。调制速度在毫秒范围内。它们可以提供几倍10-3的折射率变化，缺点是功耗较大，并有热串扰。

在静态或准静态应用中，相位调制器通常表示为移相器。从技术上讲，除了带宽之外，没有什么区别，对于移相器来说，带宽可能很低。在本文中，我们将使用术语调制器来表示高速调制器和低速移相器。

其他平台。Oclaro平台提供了一种高效的QW相位调制器，在1mm长的调制器部分中，在3.5V偏压下，在1550纳米处产生180°相移。该结构支持10 Gb/s调制速度。在正向偏置中，调制器支持高达150°/mA的调制效率。该平台还提供热光调制器，在700μm长的调制器部分加热功率为35mW时产生180°相移。HHI平台仅支持热光调制器。在500μm长的调制器段中，25 mW的调制效率约为180°。

在PARADIGM项目中，Oclaro正在SI衬底上开发一个改进的平台，为40G/s的操作提供相位调制器和检测器，而HHI正在开发25 Gb/s直调DM激光器。

4.4. TBR光栅

可调谐波导光栅可用于通过将其放置在SOA增益部分的一侧或两侧来形成可调谐DBR激光器。它们通常是通过在蚀刻光栅结构之后使用外延过度生长的下或上波导表面的周期性波纹形成的。峰值反射波长可以通过引脚掺杂波导中的电流注入来调谐。设计者可以通过光栅的周期性和长度来选择峰值波长和反射系数。一般来说，光栅的耦合强度不能在晶片上变化，因此对于特定的MPW是确定的，即使它可以在不同的流片轮次之间改变。

COBRA平台和HHI平台目前不支持可调谐光栅。

其他平台。Oclaro平台支持可调DBR部分，设计者可以选择其长度和光栅间距。耦合强度可以在30~100/cm之间变化。对于MPW，典型值是50/cm的，但根据设计者的要求，可以在同一MPW批次的不同晶片上使用不同的光栅强度。光栅反射率可以通过在大约10nm上通过电流注入来调谐。

在2015年发布的新平台中，HHI将包括SOA和可调谐光栅，用于DBR和DFB激光器。COBRA正在使用其ASML DUV扫描仪开发蚀刻侧壁光栅，如图11右所示。这种创新向设计者开放，从而可以自由选择光栅周期、长度和耦合强度，并且光栅与调制器一起实现，而无需额外的工艺步骤。

4.5. PR偏振旋转器

利用上面讨论的BBB我们可以控制光信号的幅度和相位。光的第三个重要特性是它的偏振。此时我们需要另一个BBB：偏振旋转器PR。PR由深刻波导组成，该波导具有直侧壁和倾斜侧壁，其中两种偏振模式旋转45°。当集成在两个深刻波导之间时，它充当半波片，将入射偏振（TE或TM）旋转90°。因此，偏振旋转部分和两个波导结的组合成偏振转换器PC。PC非常紧凑：在COBRA工艺中，120μm的长度足以实现两个正交偏振模式之间所需的180°相移。偏振分离器或组合器可以通过在MZI的臂中集成两个PC来实现，如图12[51]所示。通过在偏振分离器和组合器之间集成移相器，我们可以获得对偏振状态的完全控制。PC演示了我们如何通过在通用集成方案中仅添加一个PR基础构建块来添加片上偏振控制所需的所有功能（偏振转换、偏振分离和组合以及动态偏振控制）。

偏振转换器已经在COBRA、Oclaro和HHI进行了演示。目前，由于对其宽度的严格工艺公差要求，它们尚未集成在通用晶圆平台中。

其他平台。COBRA开发了一种具有更好工艺公差的改进型PC[52]，这使得其在现有技术平台中的集成成为可能。因此，PC的集成是Fraunhofer HHI和SMART Photonics的路线图。使用先进的DUV光刻机，关键尺寸（CD）控制将足以支持PC的改进版和原始版。

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4.6. SSC模斑转换器

光斑转换器是将光从芯片高效地耦合到光纤的关键构建块。转换器起到光学漏斗的作用，使芯片上波导的小模直径适应解理或透镜光纤的模尺寸。为了获得高耦合效率和良好的生产公差，转换器绝热地扩展了模式的水平和垂直直径。

HHI和COBRA使用类似的SSC结构[53，54]。如图13所示，垂直锥形波导使光从顶部高折射率无源波导转移到下方低对比光纤匹配波导FMW。FMW携带更大的模式，该模式允许与解理/透镜光纤或介电中介层的有效耦合。FMW可以由高折射率厚n-掺杂InP层和高掺杂n+衬底形成，也可以通过在较厚的InP势垒层之间具有几个（通常为三个）薄的四元层组成的稀释波导形成。

COBRA SSC与光斑直径为3μm的透镜光纤或中介芯片的耦合损耗为0.5–1 dB，且间距较小（25μm），适合集成在密集阵列中[55]。在MPW中还不可用。

将SSC用于密集阵列中，如交叉矩阵，有助于减少SSC占用的芯片面积。对于这种密集阵列，由于光纤直径太大，无法匹配25μm的间距，因此需要介电波导材料的中介芯片将光耦合到芯片外。中介器可用于使SSC阵列的间距与光纤阵列的间距相适应，但它也可包含无源器件，如延迟线和高Q滤波器，由于电介质波导平台的损耗低得多（<0.1dB），因此可提供比InP芯片的更好的性能。通过这种方式，它可以作为一个混合平台，结合InP和电介质波导技术的优点，而密集的SSC阵列可以作为两个芯片之间的光学总线。JePPIX的合作伙伴正在与荷兰LioniX公司合作开发这种混合平台技术。

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其他平台。HHI提供了一种与上面介绍的结构相似SSC，使模场直径（MFD）与解理标准单模光纤（SSMF，MFD=9μm）的模场直径相适应。耦合损耗为1.5–2 dB，最小间距为25μm。在Oclaro平台中，采用选择性区域外延来扩大模式尺寸，使其成为直径为3μm的圆形。对MFD为3μm的透镜光纤的耦合损耗为0.5 dB。Oclaro允许SSC灵活间隔，最小间隔为500μm。

COBRA目前正在研究SSC，该SSC通过使用上部波导的横向锥形来将模式向下推到FMW来避免垂直锥形。如果在与波导相同的光刻步骤中写入横向锥度，这导致工艺步骤的数量减少。它要求光刻的高分辨率和尺寸控制，这在DUV光刻中是可行的。

[50] Stabile R and Williams K A 2011 Relaxed dimensional tolerance with whispering gallery microbends J. Lightwave Technol. 29 1892–8

[51] Augustin L M et al 2007 A compact integrated polarization splitter/converter in InGaAsP/InP IEEE Photonics Technol. Lett. 19 1286–8

[52] Dzibrou D O, van der Tol J J G M and Smit M K 2013 Tolerant polarization converter for InGaAsP-InP photonic integrated circuits Opt. Lett. 38 3482–4

[53] Trommer D et al A novel flexible, reliable and easy to use technique for the fabrication of optical spot size converters for InP-based PICs Proc. IPRM’99 postdeadline paper PDA-4

[54] Soares F M et al 2006 A compact and fast photonic true-timedelay beamformer with integrated spot-size converters Proc. IPRA (Uncasville, Connecticut, 24 April 2006) paper IMF5

[55] D’Agostino D, Kleijn E, Santos R, Ambrosius H P M M and Smit M K 2013 A dense spot size converter array fabricated in a generic process on InP Integrated Photonics: Materials, Devices, and Applications II, Proc. SPIE 8767 87670Q

注：本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译，旨在推广和分享相关SOA基础知识，助力SOA技术的发展和应用。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。