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RSS订阅原创 【见合八方平面波导外腔激光器专题系列】用于干涉光纤传感的低噪声平面波导外腔激光器2
激光器的线宽≤ 2.6kHz，相位/频率噪声与长腔光纤激光器相当，1kHz时的 RIN≤-147dB/Hz，功率≥10mW。70 kHz速率的解调是通过相位生成的载波激励，然后是真相位数字解调来完成的，该方法具有低自噪声，能够对市面上噪声最低的激光器进行激光相位/频率噪声测量。RIN失真是由于微振动引起的，而尖峰是由于60Hz交流泄露引起的（译者注：全球电网频率主要为50Hz和60Hz ,欧洲、非洲、澳大利亚、中国为50Hz，和美洲、日本等地区是60Hz），即使所有电流源都由电池供电，其谐波也会泄漏。
2025-06-06 13:33:33
724
原创 【平面波导外腔激光器专题系列】用于光纤传感的低噪声PLC外腔窄线宽激光器
成本效益高、外形小巧、环境稳定性和可靠性高，使其成为复杂声学/地震传感系统的最佳光源，包括用于石油和天然气海上和下井传感系统的多通道系统，以及其他动态传感，包括水听器、周界和管道入侵检测、基础设施结构健康监测。与基于 FBG 的激光器（ECL 和光纤激光器）相比，PLANEX 腔坚固耐用且本质稳定，激光器的可靠性已通过 Telcordia 认证，集成模块设计用于在恶劣的环境条件和振动下运行。PLANEX 激光器结合了光纤/固态激光器的高性能以及半导体激光器的小尺寸高稳定性、高可靠性和成本效益的优点。
2025-05-27 14:58:36
783
原创 【见合八方平面波导外腔激光器系列专题】1064nm单纵模平面波导外腔激光器
在本文中，我们介绍了1064nm的PW-ECL的特性，我们正在将其开发为更大、更复杂的NPRO的替代品。在现有的碘稳定系统[16]中，我们用PW-ECL代替了NPRO，然后是双级镱光纤放大器，放大器的输出使用非线性晶体倍频，产生的532nm光用于探测碘的无多普勒吸收线，频率错误信号被反馈给注入电流。在10Hz以上，PW-ECL和NPRO的噪声分别下降了1/f1/2和1/f，因此，它们的差异在较高频率下变大，在10kHz时，PW-ECL产生的频率噪声大约是NPRO的100倍。
2025-05-07 10:19:13
968
原创 半导体光放大器SOA
----翻译自Michael Connelly在2004年的文章简介在过去的 25 年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长是新光电技术的发展带来的，这些技术充分利用了光纤的巨大带宽。如今，系统以超过100 Gb/s的比特率运行，光学技术已是全球信息的主要载体，它也是未来网络的核心。这些功能包括几乎无限的带宽，可以承载几乎任何类型的通信服务，以及允许终端容量升级和灵活通道路由的完全透明性。光放大器使光网络的发展成为可能。光放大器可分为两类：光纤放大器和半导体光放大器SOA。前者主导着传统的系统应用，
2025-04-28 10:07:32
856
原创 使用SOA进行光相位调制
然而，应该注意的是，这里介绍的调制器具有足够的带宽，因为微波传输链路所考虑的比特率通常低于500 Mbit/s。最后，应该注意的是，测量是在 -7 dBm 的光输入功率、70 mA 的偏置电流对应 10dB的光纤到光纤增益下进行的，因此光输出功率为 3 dBm。预测的强度变化如图4 所示，其是反相调制指数的函数，即输入部分的调制电流与输出部分的调制电流之比。如图 2 所示，幅度调制引入的强度变化非常大，对于 QPSK 调制，预计变化高达5dB，这在实际系统中是不能容忍的。
2025-04-22 14:41:50
851
原创 在硅氮化物光子平台中使用可调谐窄线宽端面耦合混合激光器实现光束操控
--翻译自Yeyu Zhu, Siwei Zeng等人的文章摘要基于量子点RSOAs的1.3 µm芯片级可调谐窄线宽混合集成二极管激光器通过端面耦合到硅氮化物光子集成电路得以实现。混合激光器的线宽约为85 kHz，调谐范围约为47 nm。随后，通过将可调谐二极管激光器与波导表面光栅结合，展示了一个完全集成的光束操控器。该系统通过调谐混合激光器的波长，可以在一个方向上实现4.1˚的光束操控。此外，还展示了一个在~1 µm、1.3 µm和1.55 µm波段工作的波长可调谐三波段混合集成激光器系统，用于单芯片中宽
2025-04-15 10:16:53
635
原创 基于放大反馈的可灵活调谐双模半导体激光器
---翻译自Huibin Chen，Zhenyu You等人的文章摘要我们提出并制备了一种基于光学放大反馈的单片集成双模半导体激光器（DML）。该器件利用可调节的光学自注入反馈实现双波长激射，并且其亚毫米级总腔长使其具备作为微波源的潜力。在保持半导体光放大器（SOA）注入电流恒定的情况下，通过向分布反馈激光器（DFB）段注入不同电流，我们实现了可调谐微波信号，其频率范围分别为10 GHz和18 GHz。这一方案大幅简化了系统配置，降低了占用空间、功耗和成本。此外，通过特殊的电流注入方案，该双节半导体激光器可
2025-04-11 15:39:32
811
原创 Tunable laser激光器的前向和后向锁波长方案
在激光器封装时对激光器的波长进行校正，通过调节Etalon的位置或者TEC的温度将激光器的输出波长正确的卡在Etalon的Lock range 中间点，即可记录下激光输出波长和与两个PD之间的比例关系。设两反射面之间的距离为 𝐿，光在真空中的波长为 𝜆，折射率为 𝑛。标准具悬挂在PD 模块上，在热电制冷器（TEC）与etalon之间留有 500 微米的气隙，以此来降低热敏电阻的功耗（即热电制冷器所承受的热负载），并且为实现etalon的无热效应运行和封装外壳到etalon之间的热传导链路被隔开。
2025-04-08 14:30:36
572
原创 基于热增强光纤布拉格光栅（FBG）的热可调窄线宽外腔激光器
具体而言，该激光器实现了35 kHz的线宽和65 pm/℃（8.125 GHz/℃）的高线性热调谐速率，其调谐速率是传统基于FBG的外腔激光器的六倍。在此前采用硅波导光栅的紧凑型ECL设计中，硅材料占据了激光腔体的大部分（在紧凑型ECL设计中，），并且热灵敏度较低（Dg≈1GHz/℃）。通过调节增益芯片的电流，将腔模移动到光栅光谱红边的位置（如图2中标记的B点），可以实现窄线宽输出。提高FBG的热灵敏度可以增加ECL的热调谐速率（DECL），降低调谐速率差异（Ddiff），并实现更大的无模式跳变调谐范围。
2025-04-01 10:05:31
890
原创 通过启发式参数提取校准半导体光放大器的 TLM 模型
此外，一些再生器还在马赫-泽恩德（Mach-Zehnder）[11] 或萨格纳克（Sagnac）[12] 干涉仪的设置中使用SOA 处理光信号，能够处理 DPSK（差分相移键控）[13] 和 QPSK（正交相移键控）[14] 等相位编码信号。通过大量仿真优化了半导体光放大器模型的系统行为，在光增益与偏置电流、不同光输入功率（-25 至 0 dBm）以及不同 I 偏置（0 至 180 mA）下的增益饱和曲线方面，达到了与商用器件实验结果的合理近似。参数 OCE，顾名思义，表示从光纤耦合到放大器的光功率部分。
2025-03-25 13:51:51
698
原创 TW-SOA中的ASE：建模和实验
图 4 显示了 SOA 在偏置电流为 70 mA时的仿真 ASE 光谱，无输入信号（点），在 输入波长为1550 nm 功率为 -10 dBm（三角形）和 -3 dBm（方形）时的饱和信号，与相同条件下的测量光谱（实线）的对比。同样，对于饱和的ASE 光谱，我们可以看到与测量结果的良好一致性，尽管拟合是在线性情况下的测量进行的，这证明了模型的有效性。当输入信号引起的饱和可以忽略不计时，右侧的积分项代表了 ASE 引起的载流子耗尽，是沿放大器长度平均的 ASE 频谱，可以从方程 （1） 开始推导出来。
2025-03-18 15:14:03
575
原创 封装式高功率窄线宽片状耦合光波导外腔激光器（SCOWECL）
II特性中的锯齿峰值被归因于模式跳变。有源区由四个7-nm厚的压应变（1%）InGaAlAs量子阱、三个8-nm厚的张应变（-0.3%，λg=1240 nm）InGaAlAs势垒层、一个12-nm厚的上包层和一个6-nm厚的下包层，以及一个15-nm厚的InP电子阻挡层组成。其中，υa是有源区域的群速度，Гxy是横截面约束因子，gth是阈值增益，Np是腔内光子密度，Vp是光子腔体体积，nsp是布居反转因子，αH是线宽增强因子，nu(np)是有源（无源）区域的群折射率，La(Lp)是有源（无源）区域的长度。
2025-03-13 14:13:39
919
原创 单频可调半导体激光器
可以看出，在晶体温度T=25℃和泵浦电流Ip=80 mA下，该激光器的发射波长为λ=1063.35 nm，与短周期光栅的反射波长（图4a）很好地吻合。因此，我们证明了使用带外腔的半导体激光器的放大特性，可以实现稳定的单频激光发射，同时通过改变LD有源区的注入电流和/或温度，可以进行离散和连续波长调谐。当某个光栅的反射峰值处的反馈水平最高时，即在特定温度和电流下，该光栅的共振波长与激光晶体腔体本身发射的线吻合，激光发射发生。通过改变包含光栅的光纤段的折射率，可以实现更宽光谱范围内的波长调谐。
2025-03-05 13:29:15
866
原创 具有大增益、小噪声、高饱和输出功率的新型SOA设计（二）
特别是，在4 mm长的芯片中，使用56%的UC部分，在适中的偏置电流（1.3 A）下，实现了高达40 dB的增益和21.4 dBm的饱和输出功率。三种芯片设计的增益和NF结果如图14所示。因此，在1.3 A电流和1600 nm波长下，对于4 mm长的芯片，根据模型预测，56% UC的SOA的饱和输出功率高于43% UC的SOA。因此，为了减轻噪声系数的恶化，我们设计了一种新的SOA芯片，将未钳制部分置于芯片中心，以避免输入端出现严重的空间烧孔效应，同时在输入和输出端使用锥形结构连接标准部分，如图13所示。
2025-02-13 14:27:22
680
原创 具有大增益、小噪声、高饱和输出功率的新型SOA设计（一）
例如，使用模式求解器计算了MQW和包层中的光限制因子，从而可以推导出n型和p型掺杂区域的光损耗，而材料增益随载流子密度的变化以及增益介质的饱和功率则是分别使用方程（1）和（2）从现有SOA STD芯片的增益和饱和输出功率测量中提取的。在图5中，展示了在1.3 A偏置电流下，对于不同输入1600 nm信号功率的情况，一个4毫米长芯片上沿其长度的光功率值，其中40%的长度由UC区段组成。因此，对于7°倾斜的波导和典型的AR涂层系数4×10-3处的直径）的变化，以确定STD区段的条纹宽度。
2025-02-10 10:09:00
314
原创 SOA 增益恢复波长依赖性：使用单色泵浦探针技术进行模拟和测量（一）
摘要：迄今为止，对半导体光放大器（SOA）中增益恢复时间的波长依赖性的测量大多采用泵浦-探头技术，泵浦和探头在不同的波长上工作。泵浦波长的选择及其与探头波长的相对接近可能会影响测量结果，并妨碍对恢复动态波长依赖性的明确观察。我们使用单色泵浦-探针测量技术，直接获取了块状InGaAsP SOAs中增益恢复时间的波长依赖性。使用来自单模锁定激光器的超短脉冲，明确测量了SOAs的光谱依赖性和时间行为。我们使用单模锁定激光器发出的超短脉冲，明确测量了SOA的光谱依赖性和时间行为。使用考虑到带内和带间对
2025-01-08 14:59:08
1086
原创 硅基III-V光放大器SOA
--翻译自Kasper Van Gasse, Ruijun Wang, Gunther Roelkens的文章摘要具有高增益和高输出功率的硅基混合III-V半导体光放大器在许多应用中非常重要，如光收发器、集成微波光子学和光子波束成形。在这项工作中，我们介绍了高增益、高输出功率硅基III-V级半导体光放大器的设计、制造和表征。这些放大器支持混合III-V/Si光学模式，以减少有源区域的限制并增加饱和功率。在4.9 kA/cm2的电流密度下，测得的小信号增益为27 dB，饱和功率为17.24 dBm
2024-12-30 15:23:44
1039
原创 基于IMOS平台的PI-SOA
我们提出了适用于光开关应用的IMOS平台中的O波段偏振不敏感SOA的设计。所获得的峰值增益、输出饱和功率、增益的偏振灵敏度和3dB增益带宽表明了所设计的SOA适用于基于偏振不敏感SOA的光开关应用。因此，要在所有这些指标中获得良好的性能，SOA需要具有高的输入功率动态范围和输出饱和功率、足够的增益、宽的3dB增益带宽和低噪声系数。我们报道了IMOS平台中偏振不敏感SOA的设计，在60 nm带宽和26 dB输入功率范围内，最坏情况下偏振灵敏度为0.8 dB，500μm长的SOA提供21dB的峰值增益。
2024-12-24 14:41:12
771
原创 SOA关键技术专利分析（二）
在技术趋势方面，本研究发现，SOA 的关键技术主要集中在 H01S5 类别下，半导体激光器相关技术（H01S5 的中心性指标分别包括接近中心性、特征向量中心性、中介中心性和加固结构孔，分别位于 67.75、0.341、830.995 和 0.867），而不是更成熟的导光技术， 传输系统，或用于控制来自独立光源的光的装置或装置。这些技术和要素是跨学科研究的产物，是必不可少的。然而，随着移动通信和光通信技术的飞速发展，不同国家的政府可以考虑在公共部门和学术界投入额外的研发资金和资源，以帮助上述领域的技术发展。
2024-12-20 13:57:56
695
原创 用AI设计QD SOA
该ANN模型的输入是器件的长度、有源介质的有效厚度、施加的电流密度和约束因子，输出是放大器增益。实验表明，该神经模型具有较高的精度和较低的计算时间。在本研究中，利用MATLAB软件中的GA工具箱，获得了17个神经元的神经网络的实际增益，并进行了确定优化有效参数的实验。其中，xi是算法的变量（ANN建模中的4个输入参数），wi是变量的相关权重。拟合函数的第一项和第二项的值是通过为v选择合适的值来定义的。根据遗传算法的实验，确定了最优设计的最佳选择函数、交叉函数和第一种群，得到了最佳适应度函数的估计值v。
2024-12-11 15:09:35
398
原创 用于LiDAR测量的1.58um单芯片MOPA（二）
对于某些电流组合配置（DFB、激光器、调制器和喇叭形SOA），光谱似乎是单模的，但当我们对信号进行电学表征时，我们会看到一些不同频率的峰值，如图8b，这些峰值在光学模式之间跳动。MOPA总长4mm（1mmDFB激光器、1mm调制器和2mm喇叭形SOA），当激光器偏置电流为400mA，调制器偏置电流为300mA，SOA偏置电流为3A时，最大输出功率约为430mW，如图9a，相应的光谱如图9b所示，边模抑制比SMSR优于45dB。正如预期的那样，由于直MOPA的光谱的不稳定性，使得无法在激光雷达系统中使用。
2024-12-06 14:43:19
766
原创 用于LiDAR测量的1.58um单芯片MOPA（一）
在图4c中，我们保持了板层的总厚度，但我们增加了InGaAsP层的厚度，并减少了InP层的厚度。在本文中，第一部分我们首先给出了我们的模拟仿真结果，在第二部分，我们给出了1.58 μm MOPA的芯片垂直和水平结构设计，第三部份我们介绍了MOPA器件的制造，最后，第四部分我们展示了该MOPA器件的光学和电气测量结果。另一个方法是使用曲波导结构，如图1c[10]，这个结构中，DFB 激光器是直的，调制部分是弯曲的，喇叭形 SOA 是倾斜的，该结构既减少了SOA端面反射，也使得 DFB背面涂层可更好的控制。
2024-12-03 14:15:07
1283
原创 SOA 作为 100G EPON 前置放大器的初步实验结果
注：本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译，旨在推广和分享相关SOA基础知识，助力SOA技术的发展和应用。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。
2024-11-29 15:17:22
206
原创 高速调谐铌酸锂窄线宽激光器
基于铌酸锂的光子电路还可以利用自注入锁定和相关的频率拉动效应[5]，实现低相噪的电光可调谐激光器。为此，在大马士革氮化硅（LNOD）上采用了铌酸锂的异质集成，将前者的电光调谐能力与后者的超低传播损耗相结合[7]。在原理验证实验中，我们展示了一个由聚苯乙烯甜甜圈形状和作为背景的仪器箱壁组成的简单场景的重建，分辨率为20厘米（图1(f)）。(e)当调制频率为100 kHz和1 MHz时，在LNOD微谐振器的电极上施加三角电压斜坡时，集成激光源和参考外腔二极管激光器（ECDL）之间的外差拍频时频图。
2024-11-13 16:21:54
888
原创 基于InP的通用光子集成技术（五）
Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830019.通用测试9.1. 晶圆验证在通用工艺中，必须对每批次晶片的工艺性能进行验证；客户将期待这样的验证。在MPW中，验证用户ASPIC工艺性能是不实际的；每个ASPIC都需要不同的测试设置和程序，ASPIC的失败并不意味着工艺失败，问题也可能出现在用户设计中。验证通用过程的唯一实用方法是包括用于BBB表征的测试单元。如果BBB的性能是可以的，那么基于这些BBB的所有元件的性能也应该
2024-08-06 13:44:42
965
原创 基于InP的通用光子集成技术（三）
Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830015.CBBCBB是两个或多个BBB的任意组合。我们是否将这种组合称为CBB取决于其重复使用的潜力：如果它可以在更复杂的光路中重复用作构建块，那么它就是CBB。因此，MMI耦合器和AWG是CBB，但更复杂的光路，如完整的DQPSK接收器，也可以是CBB。CBB可以参数化：在由一组DBR激光器和用于复用WDM信号的AWG组成的WDM发射器中，DBR激光器是CBB。但是，为了避免我们最终对每个
2024-07-30 14:49:24
1103
原创 基于InP的通用光子集成技术（二）
Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830013.构建块3.1. 介绍通用集成技术背后的基础思想是通过一组精确表征的构建块实现单片集成，这些构建块提供了实现不同应用的PIC所需的基础功能。尽管基础思想看起来很简单，但其实际并不容易，因为构建块的数量往往会变得很大：不同类型的激光器（FP、DFB、DBR、CW、脉冲、可调谐等）、调制器、检测器、MMI耦合器（1×2、2×2、1×4、2×4、4×4等）和具有不同通道数量和间距的A
2024-07-25 17:00:54
1005
原创 带集成放大器部分的极高功率激光调制器（EML-SOAs）
SOA 在传输中的影响仍有待测试，但由于其负啁啾，其性能应该会有所提高。我们没有优化 DFB 部分的有源结构，而是优化了 SOA 部分的有源结构，以获得最高的 Psat，特别是降低了量子阱中的光学约束 ΓQW，并在量子阱下集成了 InGaAsP 包层，以吸引模式向下移动，减少顶部 p 掺杂 InP 的光学损耗。因此，具有分布式反馈（DFB）激光器部分和电吸收调制器的外部调制激光器（EML）成为许多应用的首选，但其光功率首先受到调制器吸收的限制，其次受到调制器饱和的限制，原因是光生空穴的堆积会屏蔽外加电场。
2024-07-19 13:32:49
1416
原创 用智能方法设计量子点半导体光放大器
在这项研究中，使用 17 个神经元的 ANN 获得了实际增益，并通过 MATLAB 软件中的 GA 工具箱定义了优化的 实验来确定优化的有效参数。其中，xi 是算法的变量（ANN 模型中的 4 个输入参数），wi 是变量的相关权重。在为参数优化建立模型和定义适当的 ANN 结构后，方法是通过 MATLAB 软件的 GA 工具箱来实现 方法是通过 MATLAB 软件的 GA 工具箱获得所需的增益。总体而言，考虑到所需的增益，所提出的方法在材料成本方面给出了合适的结果。本研究的目的是设计具有所需增益的放大器。
2024-07-12 13:42:26
776
原创 提高SOA噪声系数和饱和功率的方法
----翻译自Kevin Carney, Robert Lennox等人撰写的文章摘要针对多触点体半导体光放大器（SOA），使用速率方程模型研究了有源层纵向载流子密度分布特性。结果表明，噪声系数和饱和输出光功率都可以通过偏置电流分布进行优化。本文还通过多触点SOA的实验验证了仿真结果。同时采用了使用聚焦离子束增加段间接触电阻，以优化载流子密度控制。最终，在总偏置电流为150mA的情况下，实验得到了3.8 dB的芯片噪声系数和9 dBm的饱和输出功率。1.简介半导体光放大器（SOA）作
2024-06-13 09:50:17
1492
原创 SOA半导体光放大器及其应用
---翻译自Michael Connelly于2015年发表的文章1.简介在过去的二十五年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长得益于新光电技术的发展，这些技术可用于利用光纤的巨大带宽。如今，运行的系统比特率已超过100 Gb/s。光技术是全球信息的主要载体。它也是实现未来网络的核心，而未来网络将具备社会所要求的能力。这些能力包括几乎无限的带宽，可传输几乎任何类型的通信服务，以及完全透明，允许终端升级容量和灵活的通道路由。光网络的许多进步都得益于光放大器。光放大器可分为两类：光纤放大器
2024-05-24 14:03:09
2272
原创 一种由RSOA和PIC集成的宽可调激光器
----翻译自Nouman Zia, Samu-Pekka Ojanen, Jukka Viheriala, Eero Koivusalo, Joonas Hilska, Heidi Tuorila, and Mircea Guina在optics letter上发的文章vol.48, Issue 5, pp. 1319-1322(2023)摘要：通过光子集成方式实现的2-3μm波长的可调激光器，在传感应用上极具吸引力，我们利用了低损耗特性的Si3N4波导，使用GaSb增益芯片与和可调Si3N4游标镜组
2024-05-07 10:15:29
1067
原创 光接入网络的超宽带半导体光放大器
在我们的工作中，我们还设计了一个多双有源层（MDAL） 结构，通过它我们可以进一步拓宽我们提出的DAL SOA 的增益范围。三DAL结构如图4所示。此外，我们发现传统MQW SOA的3dB增益带宽为61nm（在1513和1574nm之间）和MDAL SOA的107nm（在1513和1620nm之间）（即带宽几乎是其两倍）。然而，很少有包含光纤放大器的LR-PON，例如掺铒光纤放大器（EDFA），这是因为EDFA的工作区域仅限于C（1524-1544nm）和L（1565-1625nm）波段[3,4]。
2024-04-23 09:55:48
975
原创 光网络中的低偏SOA与无源波导单片集成
----翻译自Aref Rasoulzadeh Zali等人2021年撰写的文章摘要在光通信系统中，非常需要可以通过简单工艺与无源光路单片集成的低偏振相关半导体光放大器（SOA）。然而，尽管已经报道了几种SOA，但在InP平台中将偏振无关的体SOA与无源波导共同集成以生成复杂系统仍然是一个问题。在这项工作中，我们设计、仿真、制造和测试了基于体有源层的低偏振相关SOA，其与无源波导单片集成，并展示了其在实现光子集成电路中的潜在应用。仿真结果与实验结果高度吻合。基于仿真结果，所设计的长度分别为300
2024-04-17 14:26:07
848
原创 波长可调激光器中的增益芯片和SOA
由于SOA的注入电流密度与增益芯片非常不同，为满足高饱和功率需求，SOA的光学限制因子较低，因此，与增益芯片相比有源层应该彼此不同，增益芯片应混合集成。为了在阈值电流下获得宽的增益带宽，可调激光腔中使用的增益芯片应该介于SOA和固定波长激光器设计之间，而固定波长激光器具有高的光学限制因子。除了端面反射率，增益芯片设计的有源层与SOA的有源层非常相似，然而如上所述，光学限制因子略有差别。这里的目的是写一篇关于芯片设计的教程论文，其中包括用于波长可调激光器的SOA和增益芯片的基本公式，并详细讨论。
2024-04-03 09:14:44
1611
原创 基于GaN的半导体光学放大器SOA
摘要基于GaN的材料可覆盖很宽的光谱范围，以紫外、紫、蓝、绿和红波发射的激光二极管已经商业化。基于GaN的半导体光学放大器（SOA）具有提高激光二极管输出功率的能力，因此SOA将有很多潜在应用。未来需要利用短波、超快脉冲特性的应用，包括微加工、矫正光学和下一代光存储等将可以从基于GaN的SOA中获益最多，当前超快脉冲光源还依赖于大型、昂贵的固态激光器。当与锁模激光二极管一起使用时，基于GaN的 SOA可以产生高能量、高峰值功率的光脉冲。在本文中，讨论了这些器件的基本特性，专注于脉冲放大，并介绍了早期
2024-04-01 09:24:35
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原创 宽光谱SOA光芯片设计（三）
-本文翻译自由Geoff H. Darling于 2003年撰写的文章。尽管文章较早，但可以了解一些SOA底层原理，并可看到早期SOA研究的思路和过程，于今仍有很高借鉴价值。5.1简介在本章中，介绍了用于检测SOA样品的实验装置。详细介绍了用于估计器件增益和耦合效率、确认单模和评估电触点完整性的初步诊断测量，这些测量是为收集数据中有意义的特征。5.2. 实验设施5.2.1探针台该平台为被测器件（DUT）的输入和输出面提供5轴对准，用于对准光纤和透镜。带有集成热电冷却器的温控真
2024-03-28 09:16:00
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原创 宽光谱SOA光芯片设计（二）
在本章中，将讨论现代SOA设计的关键问题。现有技术的基础将为后续章节的详细和专业研究提供必要的背景信息。上一章我们探讨了现代SOA设计理论。本章我们聚焦到如何通过将量子阱混合技术应用于双段SOA上来提高增益带宽。在本章中，介绍了一种新型SOA结构，并介绍了用于制作原型器件的生长和处理技术，随后分析了波导结构的导波特性，最后介绍并设计了MQW SOA的增益光谱模型，以提供对器件性能的定性分析。
2024-03-27 13:59:58
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原创 宽光谱SOA光芯片设计（一）
-本文翻译自由Geoff H. Darling于2003年撰写的文章。尽管文章较早，但可以了解一些SOA底层原理，并可看到早期SOA研究的思路和过程，于今仍有很高借鉴价值。摘要本文介绍一种新型宽光谱半导体光放大器（SOA）技术，通过电控可调光谱形状的超宽光谱，来满足粗波分复用和城域网中出现的新放大需求。使用分子束外延在InGaAsP材料中制造多量子阱SOA，每个器件中沿其长度方向由两段组成。使用无杂质量子阱混合技术在每段的增益谱之间产生相对光谱蓝移。在总长500um-1600um的单段或双段SO
2024-03-26 10:22:12
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原创 半导体光放大器 (SOA) 设备
在 SOA 中（我们在此讨论的仅限于大多数应用中使用的行波放大器），光只需通过增益介质一次，背向反射是最小的。如图 4 所示的波导设计是一种基本设计，输入和输出位于芯片的两侧，两个面均涂有 AR（抗反射）涂层。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。当增益介质受到高强度泵浦（电或光）时，两个能级之间的粒子数反转，小的输入信号触发受激发射并被放大。光信号通过放大器时会被放大。
2024-03-18 14:15:03
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空空如也
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