见合八方-CSDN博客

原创基于InP的通用光子集成技术（五）

Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830019.通用测试9.1. 晶圆验证在通用工艺中，必须对每批次晶片的工艺性能进行验证；客户将期待这样的验证。在MPW中，验证用户ASPIC工艺性能是不实际的；每个ASPIC都需要不同的测试设置和程序，ASPIC的失败并不意味着工艺失败，问题也可能出现在用户设计中。验证通用过程的唯一实用方法是包括用于BBB表征的测试单元。如果BBB的性能是可以的，那么基于这些BBB的所有元件的性能也应该

2024-08-06 13:44:42 786

原创基于InP的通用光子集成技术（三）

Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830015.CBBCBB是两个或多个BBB的任意组合。我们是否将这种组合称为CBB取决于其重复使用的潜力：如果它可以在更复杂的光路中重复用作构建块，那么它就是CBB。因此，MMI耦合器和AWG是CBB，但更复杂的光路，如完整的DQPSK接收器，也可以是CBB。CBB可以参数化：在由一组DBR激光器和用于复用WDM信号的AWG组成的WDM发射器中，DBR激光器是CBB。但是，为了避免我们最终对每个

2024-07-30 14:49:24 832

原创基于InP的通用光子集成技术（二）

Meint Smit et al 2014 Semicond. Sci. Technol. 29 0830013.构建块3.1. 介绍通用集成技术背后的基础思想是通过一组精确表征的构建块实现单片集成，这些构建块提供了实现不同应用的PIC所需的基础功能。尽管基础思想看起来很简单，但其实际并不容易，因为构建块的数量往往会变得很大：不同类型的激光器（FP、DFB、DBR、CW、脉冲、可调谐等）、调制器、检测器、MMI耦合器（1×2、2×2、1×4、2×4、4×4等）和具有不同通道数量和间距的A

2024-07-25 17:00:54 755

原创带集成放大器部分的极高功率激光调制器（EML-SOAs）

SOA 在传输中的影响仍有待测试，但由于其负啁啾，其性能应该会有所提高。我们没有优化 DFB 部分的有源结构，而是优化了 SOA 部分的有源结构，以获得最高的 Psat，特别是降低了量子阱中的光学约束 ΓQW，并在量子阱下集成了 InGaAsP 包层，以吸引模式向下移动，减少顶部 p 掺杂 InP 的光学损耗。因此，具有分布式反馈（DFB）激光器部分和电吸收调制器的外部调制激光器（EML）成为许多应用的首选，但其光功率首先受到调制器吸收的限制，其次受到调制器饱和的限制，原因是光生空穴的堆积会屏蔽外加电场。

2024-07-19 13:32:49 871

原创用智能方法设计量子点半导体光放大器

在这项研究中，使用 17 个神经元的 ANN 获得了实际增益，并通过 MATLAB 软件中的 GA 工具箱定义了优化的实验来确定优化的有效参数。其中，xi 是算法的变量（ANN 模型中的 4 个输入参数），wi 是变量的相关权重。在为参数优化建立模型和定义适当的 ANN 结构后，方法是通过 MATLAB 软件的 GA 工具箱来实现方法是通过 MATLAB 软件的 GA 工具箱获得所需的增益。总体而言，考虑到所需的增益，所提出的方法在材料成本方面给出了合适的结果。本研究的目的是设计具有所需增益的放大器。

2024-07-12 13:42:26 693

原创提高SOA噪声系数和饱和功率的方法

----翻译自Kevin Carney, Robert Lennox等人撰写的文章摘要针对多触点体半导体光放大器（SOA），使用速率方程模型研究了有源层纵向载流子密度分布特性。结果表明，噪声系数和饱和输出光功率都可以通过偏置电流分布进行优化。本文还通过多触点SOA的实验验证了仿真结果。同时采用了使用聚焦离子束增加段间接触电阻，以优化载流子密度控制。最终，在总偏置电流为150mA的情况下，实验得到了3.8 dB的芯片噪声系数和9 dBm的饱和输出功率。1.简介半导体光放大器（SOA）作

2024-06-13 09:50:17 1066

原创 SOA半导体光放大器及其应用

---翻译自Michael Connelly于2015年发表的文章1.简介在过去的二十五年里，光纤通信网络的部署和容量迅速增长。这种增长得益于新光电技术的发展，这些技术可用于利用光纤的巨大带宽。如今，运行的系统比特率已超过100 Gb/s。光技术是全球信息的主要载体。它也是实现未来网络的核心，而未来网络将具备社会所要求的能力。这些能力包括几乎无限的带宽，可传输几乎任何类型的通信服务，以及完全透明，允许终端升级容量和灵活的通道路由。光网络的许多进步都得益于光放大器。光放大器可分为两类：光纤放大器

2024-05-24 14:03:09 1324

原创一种由RSOA和PIC集成的宽可调激光器

----翻译自Nouman Zia, Samu-Pekka Ojanen, Jukka Viheriala, Eero Koivusalo, Joonas Hilska, Heidi Tuorila, and Mircea Guina在optics letter上发的文章vol.48, Issue 5, pp. 1319-1322(2023)摘要：通过光子集成方式实现的2-3μm波长的可调激光器，在传感应用上极具吸引力，我们利用了低损耗特性的Si3N4波导，使用GaSb增益芯片与和可调Si3N4游标镜组

2024-05-07 10:15:29 762

原创光接入网络的超宽带半导体光放大器

在我们的工作中，我们还设计了一个多双有源层（MDAL）结构，通过它我们可以进一步拓宽我们提出的DAL SOA 的增益范围。三DAL结构如图4所示。此外，我们发现传统MQW SOA的3dB增益带宽为61nm（在1513和1574nm之间）和MDAL SOA的107nm（在1513和1620nm之间）（即带宽几乎是其两倍）。然而，很少有包含光纤放大器的LR-PON，例如掺铒光纤放大器（EDFA），这是因为EDFA的工作区域仅限于C（1524-1544nm）和L（1565-1625nm）波段[3,4]。

2024-04-23 09:55:48 918

原创光网络中的低偏SOA与无源波导单片集成

----翻译自Aref Rasoulzadeh Zali等人2021年撰写的文章摘要在光通信系统中，非常需要可以通过简单工艺与无源光路单片集成的低偏振相关半导体光放大器（SOA）。然而，尽管已经报道了几种SOA，但在InP平台中将偏振无关的体SOA与无源波导共同集成以生成复杂系统仍然是一个问题。在这项工作中，我们设计、仿真、制造和测试了基于体有源层的低偏振相关SOA，其与无源波导单片集成，并展示了其在实现光子集成电路中的潜在应用。仿真结果与实验结果高度吻合。基于仿真结果，所设计的长度分别为300

2024-04-17 14:26:07 702

原创波长可调激光器中的增益芯片和SOA

由于SOA的注入电流密度与增益芯片非常不同，为满足高饱和功率需求，SOA的光学限制因子较低，因此，与增益芯片相比有源层应该彼此不同，增益芯片应混合集成。为了在阈值电流下获得宽的增益带宽，可调激光腔中使用的增益芯片应该介于SOA和固定波长激光器设计之间，而固定波长激光器具有高的光学限制因子。除了端面反射率，增益芯片设计的有源层与SOA的有源层非常相似，然而如上所述，光学限制因子略有差别。这里的目的是写一篇关于芯片设计的教程论文，其中包括用于波长可调激光器的SOA和增益芯片的基本公式，并详细讨论。

2024-04-03 09:14:44 1022

原创基于GaN的半导体光学放大器SOA

摘要基于GaN的材料可覆盖很宽的光谱范围，以紫外、紫、蓝、绿和红波发射的激光二极管已经商业化。基于GaN的半导体光学放大器（SOA）具有提高激光二极管输出功率的能力，因此SOA将有很多潜在应用。未来需要利用短波、超快脉冲特性的应用，包括微加工、矫正光学和下一代光存储等将可以从基于GaN的SOA中获益最多，当前超快脉冲光源还依赖于大型、昂贵的固态激光器。当与锁模激光二极管一起使用时，基于GaN的 SOA可以产生高能量、高峰值功率的光脉冲。在本文中，讨论了这些器件的基本特性，专注于脉冲放大，并介绍了早期

2024-04-01 09:24:35 689

原创宽光谱SOA光芯片设计（三）

-本文翻译自由Geoff H. Darling于 2003年撰写的文章。尽管文章较早，但可以了解一些SOA底层原理，并可看到早期SOA研究的思路和过程，于今仍有很高借鉴价值。5.1简介在本章中，介绍了用于检测SOA样品的实验装置。详细介绍了用于估计器件增益和耦合效率、确认单模和评估电触点完整性的初步诊断测量，这些测量是为收集数据中有意义的特征。5.2. 实验设施5.2.1探针台该平台为被测器件（DUT）的输入和输出面提供5轴对准，用于对准光纤和透镜。带有集成热电冷却器的温控真

2024-03-28 09:16:00 688

原创宽光谱SOA光芯片设计（二）

在本章中，将讨论现代SOA设计的关键问题。现有技术的基础将为后续章节的详细和专业研究提供必要的背景信息。上一章我们探讨了现代SOA设计理论。本章我们聚焦到如何通过将量子阱混合技术应用于双段SOA上来提高增益带宽。在本章中，介绍了一种新型SOA结构，并介绍了用于制作原型器件的生长和处理技术，随后分析了波导结构的导波特性，最后介绍并设计了MQW SOA的增益光谱模型，以提供对器件性能的定性分析。

2024-03-27 13:59:58 1230

原创宽光谱SOA光芯片设计（一）

-本文翻译自由Geoff H. Darling于2003年撰写的文章。尽管文章较早，但可以了解一些SOA底层原理，并可看到早期SOA研究的思路和过程，于今仍有很高借鉴价值。摘要本文介绍一种新型宽光谱半导体光放大器（SOA）技术，通过电控可调光谱形状的超宽光谱，来满足粗波分复用和城域网中出现的新放大需求。使用分子束外延在InGaAsP材料中制造多量子阱SOA，每个器件中沿其长度方向由两段组成。使用无杂质量子阱混合技术在每段的增益谱之间产生相对光谱蓝移。在总长500um-1600um的单段或双段SO

2024-03-26 10:22:12 893

原创半导体光放大器 (SOA) 设备

在 SOA 中（我们在此讨论的仅限于大多数应用中使用的行波放大器），光只需通过增益介质一次，背向反射是最小的。如图 4 所示的波导设计是一种基本设计，输入和输出位于芯片的两侧，两个面均涂有 AR（抗反射）涂层。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。当增益介质受到高强度泵浦（电或光）时，两个能级之间的粒子数反转，小的输入信号触发受激发射并被放大。光信号通过放大器时会被放大。

2024-03-18 14:15:03 1580

原创一种低噪声半导体光放大器SOA设计

就输出功率而言，人们认为，随着阱的数量从3-QW增加到5-QW和8-QW，净增益与Γ成比例地增加，因此输出功率在低于-5dBm的低输入功率侧较高，但由于高输入功率侧的增益饱和而降低。该半导体光放大器SOA在100mA的电流下具有>5dBm输出功率和<4dB的噪声系数（NF），其特性与EDFA的特性相似，且由于其具有小尺寸、低功耗和低噪声的特性，未来将有广泛的应用前景。然而，如图2所示，方程(3)的近似模型表明，随着注入载流子密度的增加，净增益有上升的趋势，而测量的净增益往往在高载流子密度侧迅速饱和。

2024-03-13 11:39:05 950

原创 OSNR 和 NF

在光传输通道中，噪声会逐渐累积（Rin,MPN,光放大器噪声，散粒噪声），进而影响OSNR。一般对10Gbits/S信号接收端要求在25dB以上（无FEC时），光信噪比在WDM发送端通常为35~40dB，但经过光放大器后，OSNR将会下降。长途光放大链路的设计使每级光放大器增益精确补偿了跨度损失，在这些系统中，唯一相关的噪声效应是每个EDFA引入的ASE噪声的积累，接收器的电噪声通常可以忽略不计。在接收机系统中，系统的噪声会降低接收信号的性能，从而影响整个系统的性能。NF值越低，系统的性能越好。

2024-03-13 09:17:54 440

原创 TEC简介

所谓珀尔帖效应，是指当直流电流通过两种半导体材料组成的电偶时，在电偶的两端即可出现一端吸收热量，一端放出热量的现象。TEC具有无噪音、无振动、无需制冷剂、体积小、重量轻等特点，工作可靠，操作方便，制冷制热快，调节方便，温度控制精确。但是，它的制冷系数相对较小，功耗相对较大，因此主要用于冷耗小，占地面积小的场合，例如电子设备和无线电通信设备中某些组件的冷却。4、最大温差：小型半导体制冷片TEC的最大温差是衡量其制冷能力的指标，通常在几摄氏度到几十摄氏度之间。2、温度变化会引起SOA芯片增益谱的变化。

2024-01-17 10:29:52 1537

原创 SOA半导体光放大器应用于PON拉远

说到光放大，首先想到的是EDFA，但EDFA只对C波段的光进行放大，无法解决O波段的放大问题。采用半导体光放大器SOA制作的光放大器，全光放大无时延，可满足对O波和C，L频段光信号进行放大。PON光放大器中用一只天津见合八方的1550nm波长的SOA，对PON网络下行的1577nm和1490nm波长的光信号进行放大。利用天津见合八方的宽谱SOA器件制作的PON光放大器，只需2款就可覆盖新旧PON网络的上下行波长，提高PON网络的覆盖范围和接入率。为运营商保证PON网络的开通，提供了新的解决方法和手段。

2024-01-16 10:45:10 406

原创半导体光放大器SOA蝶型器件中热敏电阻的作用

如随着温度的升高，半导体光放大器SOA芯片需要有更多的载流子注入来维持所需的粒子数反转，SOA 芯片的阈值电流升高，这会导致SOA的能量转化效率降低，将更多的电能转换为热能，发射波长也随着温度的变化发生漂移。如果SOA芯片不能快速有效地制冷，则不仅会影响其输出特性，甚至会对SOA芯片造成损伤。检测电路将这个变化的信号传递给调温控制电路，调温电路会驱动可制冷和制热的器件（TEC半导体热电制冷器），这个TEC装在芯片下面的热沉上，通过调节热沉的温度来对芯片温度进行反向控制，使之维持在设定的25℃上。

2024-01-16 10:44:47 402

原创什么是热敏电阻

正温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而增大，负温度系数热敏电阻器的电阻值随温度的升高而减小。它是一个描述热敏电阻材料物理特性的参数，也是热灵敏度指标，它描述的是两个温度点之间特定温度范围内的电阻 (R/T) 曲线的梯度。它的定义为，在无功耗的状态下，当环境温度由一个特定温度向另一个特定温度突然改变时，热敏电阻体的温度变化了两个特定温度之差的63.2%所需的时间。制造商提供的产品资料，一般标热敏电阻的类型是NTC还是PTC，Rc（简写R）、T0、T1、T2、B值，以及温度与电阻值的关系表。

2024-01-16 10:44:18 365

原创光子芯片简介

光子芯片的问世，将对通信、计算、传感等领域产生深远影响，其应用前景广阔。在光子芯片中，光信号是通过光波导进行传输的。随着光子芯片技术的不断进步，它在通信、计算、传感等领域的重要性将日益凸显，为人类社会的发展带来更多可能性。光子芯片的原理：它将光子器件集成在芯片上，实现光电子的集成。光子芯片，这是一种依托光子学的集成电路，它将光子器件集成在芯片上实现光电子的集成。相较于传统的电子芯片，光子芯片在数据传输速度、能耗以及带宽方面都有着显著的优势。光子芯片具有极大的应用潜力，可应用于通信、计算、传感等领域。

2024-01-16 10:43:57 433

原创光的C波段L波段及DWDM波长换算

50G间隔，是指两个波长的频率差50GHz,比如基频193.1THz的相邻波长的频率就是193.05THz和193.15THz,对应波长就是299792458/193.05T=1552.12nm和299792458/193.15T=1552.93nm。DWDM的中心波长是算出来的，基频是F=193.1THz,光速是C=299792458m/s,则193.1T对应的波长就是光的C波段L波段及DWDM波长换算λ=C/F=299792458/193.1T=1552.52nm。192.30THz。

2024-01-16 10:43:42 1434

原创光隔离器详解

虽然块状自由空间光隔离器尺寸小，隔离度大(>50 dB)，插入损耗也小(<0.1 dB)，但是这种基于法拉第旋转器和线性偏振片的隔离器不和基于InP的半导体LD兼容，所以不能集成在一起。而对于反向光，非互易变换与各向异性介质所产生的互易变换是相加的，因而发生模式变换， TM模转换为TE高阶模或辐射模而截至，从而实现隔离反向光的功能。因此，适当的给半导体光放大器SOA注入电流，对正向传输的光通过，而对反向传输的光衰减，起到光隔离的作用。磁场方向与光的传输方向垂直，它是横向型光隔离器；

2024-01-16 10:43:26 1439

原创光电器件的可靠性要求（一）

因此，在一个设计良好的可靠性保证程序中，器件都购自经过资格审查的供应商，做过初始验证，并且以适当的时间间隔做重新验证。最后，可靠性保证程序的记录非常完整，确保文件的一致性和持续性。本标准提出了建议性的一般可靠性保证规则，这些规则适合大部分用于电信设备的光电子器件适合设备厂商和光电子器件供应商的设计，工程，制造和品保部门。通过确立一套最低的可靠性保证规则，来降低成本，确保器件的性能，厂商、服务提供商和最终用户都能够从中受益。此外，在器件寿命的不同部分中，不同类型的失效通常具有不同的失效率特性。

2024-01-16 10:42:53 1021

原创基于AWG路由器和SOA的数字调谐滤波器

信道组光频间距为400GHz，正好等于前端AWG的FSR。电流注入改变折射率指数调谐速度很快（ns量级）然而电流改变与调谐特性的关系却很难预见，然而电流改变与调谐特性的关系却很难预见, 也很难重复。为了克服以上的这些缺点，科学家们在InP衬底上开发出基于阵列波导光栅（AWG）路由器（WGR）和SOA的数字调谐滤波器。最后， 8个信号为1组的每个信号被第2级SOA选通，并通过8x1MMI耦合器输出到功率增强SOA。其次， 8个信号为1组的信号被第1级SOA选通，并由后端8x8AWG解复用。

2024-01-16 10:42:32 385

原创什么是蝶型封装

其内部一般由两部分组成，一部分是光学器件，比如激光器、光放大器、光调制器、光探测器、透镜、隔离器等，另一部分是电子器件，比如热敏电阻、热沉、制冷器等。蝶型管壳的大空间，易于半导体热电制冷器的贴装，壳体金属面积大，散热好，易于实现对应的温控功能。管腿分布两侧，易于实现壳内部件的引线键合，电路连接。蝶型器件的规格一般以伸出的管脚数表示，常见的是14P蝶型（双边，P表示管脚），少数有8P（双边）。蝶型封装的光电器件的优点是尺寸规整、重量轻、经密封后可靠性高、易于制造和组装出各种行业应用的模块。

2024-01-16 10:42:10 391

原创什么是COC

至于半导体光放大器SOA为何要有COC这样一种供货形态，是由光电半导体的特性和封装工艺决定的。纯电半导体，只有电子的流动，一个二极管、三极管可以做的很小，一个CHIP上可以做出上亿颗，如我们常见的CPU，内存等IC集成电路。而为了在不同特性的有源或无源光器件的光路之间对接光路，芯片就要抬起一定的高度，这高度就是COC中的载体提供的。COC技术是一种将芯片直接贴装在一个载体上的封装技术，载体也称为封装基板或封装载板，它可以是某种陶瓷材料或特种塑料，它是裸芯片与外界电路之间的桥梁，也是光电IC的重要组成部分。

2024-01-16 10:41:53 514

原创 SLD超辐射二极管简介

超辐射发光二极管(Super LuminescentDiode，SLD)是一种性能介于激光二极管(Laser Diode，LD)与发光二极管(Light Emitting Diode，LED)之间的一种半导体光电器件。通常将放大的自发辐射叫做超辐射。SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱（低的时间相干性）和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中必不可少。其光学性质介于LD和LED之间，具有比LD更宽的发光光谱和更短的相干长度，比LED有更高的输出功率，更高的调制带宽。

2024-01-16 10:41:22 487

原创保偏器件详解

偏振束分离器（Polarization Beam Splitter）可将入射的自然光分为s、p两个偏振方向的光线，使其分别出射到不同的方向；偏振保持器（Polarization Maintaining）则是一种具有特殊结构的光纤，能够保持输入信号的偏振状态不变，从而保证信号的稳定性和准确性。在光纤通信中，由于光纤的折射率分布不均匀以及机械或温度应力等原因造成的偏振旋转现象会导致光信号的失真和损耗。理想情况下激光为偏振光，但光在传输中，会受到传输介质的均匀性、形状缺陷等各种因素影响，导致其无法保持偏振态。

2024-01-16 10:40:57 366

原创什么是CHIP

芯片是用半导体材料，经光刻腐蚀、蒸镀、掺杂等多种工艺制成的，具有微小的尺寸和高度的集成度，能实现单一或多种功能的半导体元器件。常见的芯片类型有处理器芯片、存储芯片、传感器芯片、功率芯片、光电芯片等。中文“芯片”也常指集成电路的成品（英文叫IC），拿来可焊在电路板上使用的。但英文“CHIP”一般是指裸片，一个纯半导体制作的颗粒，是器件的核心，一个半成品，没有固定在衬底上，没有引脚，无法直接使用。在光电子领域中，芯片通常指光电子器件的芯片，比如激光器芯片、半导体光放大器（SOA）芯片、光调制器芯片等。

2024-01-16 10:40:20 405

原创一文了解光的偏振

在传统的光信号传输中，我们是不希望光表现出一定的偏振度的，因为传输信号的偏振不仅局限于光纤网络之内，因此器件的插入损耗随偏振状态而异。但在真实应用中，光纤结构并不是完全均匀的，形状缺陷以及应力的存在使得光波无法保持偏振态，也就是说，一束线偏振光，在传输的过程中会有一部分泄露到垂直的偏振方向上，降低了偏振度，经过一段距离的光纤传输，其会变为非偏振光。简单的讲，它是介质对于不同方向偏振光的各向异性，在某个方向上的折射率大，另一个方向上的折射率小，产生了光程差，这样就将光分离成了偏振方向垂直的两束。

2024-01-16 10:39:42 1700

原创四种常见的高速光调制器

在用于调制光脉冲时，其将连续光信号输入到SOA，使用电脉冲控制SOA驱动电流，进而控制SOA输出状态为放大/衰减，其利用SOA放大特性和衰减特性，这种调制方式开始逐渐应用到一些新的应用中，如光纤传感、激光雷达、OCT医疗成像等领域，尤其是一些对体积、功耗、消光比要求比较高的场景。下表总结了各种解决方案的优缺点。某些情况下，需要用到SOA的放大特性，来放大光信号，以产生更高的消光比，但放大同时也会产生一部分ASE噪声，如果需要控制ASE噪声，可以增加一个波分滤波器来解决，或选用较好NF噪声系数的SOA器件。

2024-01-16 10:39:04 1686

原创 SOA半导体光放大器的产品形态

蝶型封装器件是焊接在电路板上，由光电设备制造商设计和制作成行业应用的模块或整机设备，如用于光传输的台式或卡式的SOA放大器。一般是标准的19寸台式结构，带网管系统，运营商及数据中心机房大量使用这种形态的产品。就是把SOA蝶型器件，加上配套的驱动和控制电路，统统装入一个长方型的金属盒内，手掌大小，俗称模块。模块上有输入和输出带光接头的尾纤，有低压直流电源的供电接头，有控制和通信接口，无显示装置。单一的SOA裸片，只具备光放大的半导体硅芯片，无任何附属连接，只能供给具有半导体激光器设计和封装能力的厂家使用。

2024-01-04 09:18:05 379

空空如也

空空如也