封装式高功率窄线宽片状耦合光波导外腔激光器（SCOWECL）

----翻译自William Loh, Frederick J. O’Donnell等人的文章

摘要

我们展示了一种工作于1550 nm的高功率、低噪声、封装型半导体外腔激光器（ECL），其基于InGaAlAs/InP量子阱技术。该激光器由一个双通道弯曲片状耦合光波导放大器（SCOWA）和一个窄带宽（2.5 GHz）的光纤布拉格光栅（FBG）被动腔体通过带透镜的光纤耦合而成。在4 A偏置电流下，该ECL产生370 mW的光纤耦合输出功率，其谱线形状为Voigt分布，分别具有35 Hz和1 kHz的高斯和洛伦兹线宽，以及从200 kHz到10 GHz范围内小于−160 dB/Hz的相对强度噪声。

关键词：光波导、功率激光器、量子阱激光器、半导体激光器

I. 引言

高功率、低噪声、单频激光器在包括相干光通信、微波光子学和光学计量等应用中具有重要意义。例如，在高性能相位调制模拟光子系统中，高光功率和窄线宽对于实现高信噪比传输至关重要。对于使用平衡光电探测器的系统，相对强度噪声（RIN）进一步限制了噪声指标[1]。

在1550 nm波长下，掺铒光纤激光器和半导体激光器可用来满足光学系统的功率、噪声和线宽要求。光纤激光器以前已被证明可以实现相对高的功率（> 200 mW）和窄线宽（< 2 kHz）[2]，或者非常高的功率（> 100 W）和宽线宽（> 1 nm）[3]。然而，由于其相对较小的增益，光纤激光器通常较大且笨重[4]，这导致更高的成本、较低的效率以及更大的体积、重量和功耗（SWaP）。此外，光纤激光器在低频范围（0.1–1 MHz）内表现出较大的弛豫振荡谐振，这会显著降低系统性能，特别是在工作于MHz频率范围的天线阵列应用中。

最近，半导体激光器已经展示了高功率（> 400 mW）和宽线宽（~1 MHz）[5]，或者低功率（< 10 mW）和窄线宽（< 10 kHz）[6]。在本文中，我们基于光纤布拉格光栅外腔激光器的先前设计[7],[8]，结合一种新型片状耦合光波导（SCOW）有源区[9],[10]。SCOW增益介质具有低光学约束因子（Гxy≈0.25%）和大模场尺寸（5×7 µm2），从而实现了高耦合效率（~90%）和瓦级输出功率。SCOW增益介质的其他显著优势包括低光学损耗（~0.5 cm-1）和低噪声系数（~5.5 dB）[11]。

半导体激光器的线宽可以通过修正的Schawlow-Townes方程表示，如文献[12]所示。

添加图片注释，不超过 140 字（可选）

其中，υa是有源区域的群速度，Гxy是横截面约束因子，gth是阈值增益，Np是腔内光子密度，Vp是光子腔体体积，nsp是布居反转因子，αH是线宽增强因子，nu(np)是有源（无源）区域的群折射率，La(Lp)是有源（无源）区域的长度。

由于光学增益和损耗可以直接与Np和gth相关联，公式(1)表明SCOW增益介质的高光功率和低损耗特性有助于实现窄激光线宽。此外，外腔反馈增加了腔体品质因数，从而进一步减小了Δf。最后，频率选择性反馈用于在增益光谱蓝边操作，此时αH显著降低。

在本文中，我们展示了一种封装式SCOW外腔激光器（SCOWECL），其输出功率为370 mW，洛伦兹线宽为1 kHz，相对强度噪声（RIN）小于-160 dB/Hz。

II. 器件和封装描述

SCOWECL腔体（图1(a)）由一个1 cm长的双通道弯曲片状耦合光波导放大器（SCOWA）、一个带抗反射涂层的透镜光纤、一个光纤布拉格光栅（FBG）（λc=1550 nm，Δλ=20 pm，R=20%）以及一个带光纤尾纤的60 dB光学隔离器组成。透镜光纤、FBG和隔离器通过熔接方式相连。为了避免多模激光的产生，尽量缩短透镜光纤的长度（3 cm）。尽管SCOWECL封装的面积为16×6cm2（与光纤激光器相当），通过高效利用空间可以实现超过两倍的尺寸缩减。通过设计小于1 cm的腔体长度，可以进一步减小器件尺寸。

SCOWA的材料设计由一个4.6-μm厚的轻掺杂InGaAsP波导组成，该波导与InGaAlAs量子阱（QW）有源区弱耦合（Гxy≈0.25%）。有源区由四个7-nm厚的压应变（1%）InGaAlAs量子阱、三个8-nm厚的张应变（-0.3%，λg=1240 nm）InGaAlAs势垒层、一个12-nm厚的上包层和一个6-nm厚的下包层，以及一个15-nm厚的InP电子阻挡层组成。量子阱的光致发光峰值波长为λ=1565 nm。

SCOWA通过使用一个弯曲通道（10-cm半径）波导几何结构实现，提供了一个高反射率（R>95%）的平面端面和一个抗反射涂层的5˚倾斜端面（R<10-5）。通道结构通过蚀刻InP-ML包层和量子阱（QWs）形成，然后对波导上片刻蚀0.46 μm并沉积SiO2钝化层。SCOWA安装在一个铜钼热沉（AuSn焊接合金80:20）上，通过热电冷却器（TEC）实现温度控制。

透镜光纤通过激光焊接与倾斜SCOWECL腔体相连接。FBG安装在压电换能器（PZT）上以实现波长调谐功能。施加1000 V的电压使布拉格波长红移1.1 nm。在实验中，为保持稳定的输出，PZT电压维持在0 V。其他设计和制造细节可参见文献[9],[13]。

添加图片注释，不超过 140 字（可选）

III. 封装式SCOWECL的结果与分析

图2显示了SCOWECL的输出功率和电-光（EO）转换效率（不包括TEC部分）随电流的变化情况。激光器的阈值为0.9 A，在4 A时达到连续波（CW）峰值功率0.37 W。峰值效率在0.25 W时为10%，在0.37 W时下降到7%。使用相同的SCOWA和FBG进行台式测试，在4 A时实现了0.41 W的最大功率。我们将封装器件功率的下降归因于次优的耦合。对II特性的建模表明，高电流时的功率下降部分归因于双光子吸收（TPA）[14]。热效应也可能是斜率效率下降的原因之一。II特性中的锯齿峰值被归因于模式跳变。

添加图片注释，不超过 140 字（可选）

图3显示了封装SCOWECL的谱线，采用延迟自外差技术（50 km光纤延迟）和驱动频率为35 MHz的声光调制器进行测量。通过使用泡沫块隔离的基座和有机玻璃外壳，减少了机械振动和热干扰。测得的谱线呈现Voigt分布，其中洛伦兹线宽ΔfL~1KHz，高斯线宽ΔfG~35KHz。高斯线宽主要由低频偏移的噪声引起[15]，通过进一步抑制外部噪声（如电源振动、热波动等）可以进一步减小。

添加图片注释，不超过 140 字（可选）

测得的低频（10 kHz–1 MHz）和高频（15 MHz–10 GHz）相对强度噪声（RIN）光谱如图4所示。RIN测量通过RIN传递标准方法校准[16]。测得的低频RIN在接近2 MHz处为−164 dB/Hz，且接近散粒噪声（-170 dB/Hz）。

添加图片注释，不超过 140 字（可选）

200 kHz以下的峰值来自系统噪声，因为即使没有施加光学输入，它们也会存在。高频测量结果表明，激光器的RIN低于散粒噪声限制的底部（−162 dB/Hz）。这表明边模抑制比超过80 dB。在图4(b)中，边模峰值的缺失（工作腔频率）表明子腔反射可以忽略。此外，在测试的偏置电流范围（1.5 A至4.5 A）内，没有观察到弛豫振荡共振峰。我们将其归因于SCOWA中较低光学损耗导致的长光子寿命。这与我们的计算结果一致，即弛豫振荡共振处的RIN阻尼峰值小于-170 dB/Hz（fR=5.4GHz）。在我们的测试中，我们发现接近模式跳变操作会降低低频RIN，但对高频RIN没有影响。对于低频RIN重要的应用，需要控制偏置以避免模式跳变。

IV. 结论

我们展示了一种基于片状耦合光波导概念的封装式高功率、低噪声、窄线宽外腔激光器（SCOWECL）。该SCOWECL在1550 nm波长、4 A偏置电流下，表现出0.37 W的输出功率、1 kHz的洛伦兹线宽，以及小于-160 dB/Hz的相对强度噪声（RIN）。目前，双光子吸收（TPA）是限制SCOWECL输出功率的因素之一。可以通过增加波导模场面积或提高波导层带隙能量来减小TPA的影响。SCOWECL有望在自由空间相干光通信和微波光子链路中找到应用，这些场景对高功率低噪声传输至关重要。

参考文献

[1] Y. Li and P. Herczfeld, “Coherent PM optical link employing ACPPPLL,” J. Lightw. Technol., vol. 27, no. 9, pp. 1086–1094, May 1, 2009.

[2] C. Spiegelberg, G. Jihong, H. Yongdan, Y. Kaneda, J. Shibin, and N. Peyghambarian, “Low-noise narrow-linewidth fiber laser at 1550 nm (June 2003),” J. Lightw. Technol., vol. 22, no. 1, pp. 57–62, Jan. 2004.

[3] D. Y. Shen, J. K. Sahu, and W. A. Clarkson, “Highly efficient Er,Ybdoped fiber laser with 188 W free-running and W tunable output power,” Opt. Express, vol. 13, pp. 4916–4921, 2005.

[4] B. Wu, Y. Liu, Q. Zhang, H. Yue, and Z. Dai, “High efficient and narrow linewidth fiber laser based on fiber grating Fabry–Perot cavity,” Frontiers Optoelectron. China, vol. 1, pp. 215–218, 2008.

[5] R. Menna, A. Komissarov, M. Maiorov, V. Khalfin, L. DiMarco, J. Connolly, and D. Garbuzov, “High power 1550 nm distributed feedback lasers with 440 mW CW output power for telecommunication applications,” in Proc. IEEE Lasers and Electro-Optics Society (LEOS) Annual Meeting, 2001, pp. CPD12-CP1–2.

[6] RIO Orion Redfern Integrated Optics.

[7] D. M. Bird, J. R. Armitage, R. Kashyap, R. M. A. Fatah, and K. H. Cameron, “Narrow line semiconductor laser using fibre grating,” Electron. Lett., vol. 27, pp. 1115–1116, 1991.

[8] P. A. Morton, V. Mizrahi, T. Tanbunek, R. A. Logan, P. J. Lemaire, H.M. Presby, T. Erdogan, S. L. Woodward, J. E. Sipe, M. R. Phillips, A. M. Sergent, and K. W. Wecht, “Stable single-mode hybrid laser with high-power and narrow-linewidth,” Appl. Phys. Lett., vol. 64, pp.2634–2636, 1994.

[9] P. W. Juodawlkis, J. J. Plant, R. K. Huang, L. J. Missaggia, and J.P. Donnelly, “High-power 1.5- m InGaAsP–InP slab-coupled optical waveguide amplifier,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 17, no. 2, pp.279–281, Feb. 2005.

[10] P. W. Juodawlkis, W. Loh, F. J. O’Donnell, M. A. Brattain, and J. J. Plant, “Ultralow-noise packaged 1.55- m semiconductor external-cavity laser with 0.37-W output power,” in Proc. Conf. Lasers and Electro-Optics (CLEO 2009), Baltimore, MD, 2009, Postdeadline paper CPDA3.

[11] P. W. Juodawlkis, J. J. Plant, W. Loh, L. J. Missaggia, K. E. Jensen, and F. J. O’Donnell, “Packaged 1.5- m quantum-well SOA with 0.8-W output power and 5.5-dB noise figure,” IEEE Photon. Technol. Lett., vol. 21, no. 17, pp. 1208–1210, Sep. 1, 2009.

[12] L. A. Coldren and S. W. Corzine, Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits. Hoboken, NJ: Wiley, 1995, pp. 241–257.

[13] P. W. Juodawlkis, J. J. Plant, F. J. O’Donnell, L. J. Missaggia, R. K.Huang, and J. P. Donnelly, “Narrow-linewidth, high-power 1556-nm slab-coupled optical waveguide external-cavity laser,” in Proc. Conf.Lasers and Electro-Optics (CLEO), 2005, pp. 411–413.

[14] P. W. Juodawlkis, J. J. Plant, J. P. Donnelly, A. Motamedi, and E. P. Ippen, “Continuous-wave two-photon absorption in a Watt-class semiconductor optical amplifier,” Opt. Express, vol. 16, pp. 12387–12396,2008.

[15] L. B. Mercer, “ frequency noise effects on self-heterodyne linewidth measurements,” J. Lightw. Technol., vol. 9, no. 4, pp.485–493, Apr. 1991.

[16] G. E. Obarski and J. D. Splett, “Transfer standard for the spectral density of relative intensity noise of optical fiber sources near 1550 nm,”J. Opt. Soc. Amer. B, vol. 18, pp. 750–761, 2001.

注：本文由天津见合八方光电科技有限公司挑选并翻译，旨在推广和分享相关半导体光放大器如1550nm、1310nm等全波段SOA基础知识，助力SOA技术的发展和应用。特此告知，本文系经过人工翻译而成，虽本公司尽最大努力保证翻译准确性，但不排除存在误差、遗漏或语义解读导致的不完全准确性，建议读者阅读原文或对照阅读，也欢迎指出错误，共同进步。​