51单片机 - 准双向I/O口结构

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1> P1口

• 没画【P1.0/T2】【P1.1/T2EX】第2功能；

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1.1> 写 “0” 过程

D触发器FF1，输入0;
则，Q# = 1， NMOS管Q1导通，引脚【P1.n】接地输出0；LED1灭；

1.2> 写 “1” 过程

D触发器FF1，输入1;
则，Q# = 0， NMOS管Q1截止，引脚【P1.n】通过R1接到VCC，输出1，LED1亮；

1.3> 读引脚

测试电路，S1连接2-3引脚；
开关S2断开，引脚【P1.n】为高电平，读使能三态门G2，读到高电平”1“；
开关S2闭合，引脚【P1.n】为低电平，读使能三态门G2，读到低电平”0“；

/* C程序 */
unsigned char data = P1^0;

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”准“双向问题：

如果对引脚先进行写‘0’操作，则NMOS管Q1导通，引脚【P1.n】接地；
这时无论开关S2断开，还是闭合，读引脚都是”0“；

所以读引脚前需，先写‘1’，使NMOS断开，这就是准双向的意思，要有”准“备；
😀这设计还挺麻烦；

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1.4> 读 寄存器

读寄存器，读的就是D触发器Q端值，Q = D；

P1^0 = ~P1^0; // 这个是读寄存器；

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2> P3口

增加了第2功能的输入与输出；

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3> P0口

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3.1> 作普通I/O口

功能选择为“0”， 则MUX1选择【Q#】输出端，
与门G4输出“0”，Q1截止
使NMOS管Q2漏极开漏输出；

• 为什么需要上拉电阻？

写“0”， Q2导通，接地，输出0，是正确的；
写“1”， Q2截止，Q1截止，这时P0端口是高阻状态，不是“1”， 因此必须上拉；

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3.2> 作低8位地址/数据线， 用于扩展外部存储器

功能选择为“1”， 则2选1多路开关MUX1选择非门【G3】输出端，
这样，
地址/数据线写“0”时，与门G4输出0，Q1截止；非门G3输出1，Q2导通；P0端口输出“0”；
地址/数据线写“1”时，Q1导通，Q2截止，P0端口输出“1”；

• Q1与Q2构成推挽输出，不需要接上拉电阻；

3.3> 读外部存储器数据过程

CPU执行读数据指令时，
第一步：首先低8位地址信息写在【地址/数据】总线上；
第二步：CPU使开关MUX1连接到【Q#】端， 并向P0口写入FF；
第三步：“读引脚”使能，数据读到总线；

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4> P2 口

功能1：通用I/O口；
功能2：高8位地址总线；