最后总结

校历第二十周计划（1.6-1.12）：关于Si（001）表面结构的总结和近期看的两个论文

本周与学长沟通，首先关于表面结构，对温度与结构的变化关系做一个总结。另外关于双层台阶的相关文献做一下笔记。

1.6

• 表面结构随温度变化

首先，温度在200K以下时，观察Si（001）表面结构为4x2（居多）和2x2结构；200K时发生有序-无序转变，表面结构转化为2x1结构。

来源：ORDER-DISORDER TRANSITION ON Si(001): c(4 x 2) TO (2 x 1)

表面结构一直保持2x1结构从室温到1440K，并在900K处发生转换——从不对称二聚体（900K以下）到对称二聚体（900K以上）的转换。二聚体结构在1485 K处断裂，在1660K时表面熔化。

来源：Fukaya Y,Shigeta Y. Phase transition from asymmetric to symmetric dimer structure on the Si(001) surface at high temperature.[J]. Physical Review Letters,2003,91(12).

1.7-1.8 

• 文献一：Toward the III–V Si co-integrationby controlling the biatomic steps onhydrogenated Si(001)

关于文献一之前有简单看过，但当时对于一些知识还不了解。以提问题的方式来阐述这篇与研究方向相关的核心文章。

理论分析

首先文献一从理论上分析了加氢对Si(001)表面二聚体空位线（DVL）的影响。其采用2x2重构结构作为模型。

为什么采用2x2重构表面作为模型？

答：（待议）2x2结构，其垂直于二聚体空链和平行于二聚体空链两个方向的分析是相同的。

然后在计算中考虑氢气的影响，对DVL、DVR（氢化/未氢化）四种情况下的表面总能量做了对比。

为什么要引入空位缺陷？

答：（推测，有待验证）去除表面二聚体链最上层的两个原子之后，该表面就形成了双层台阶，例如，去除A台阶上台面表面第一层原子，则该表面变成双层B型台阶，以此再来计算双层B型台阶的能量；相反去除B型台阶上台面第一层原子，则该表面就形成了双层A型台阶。后续文章有说DVR的几何结构是Si（001）台阶的前兆。

对DVR、DVL的判断：

依照文献图示1可以看到DVL、DVR是针对二聚体链的方向来定义的，DVR是平行于二聚体链的方向，DVL是垂直于二聚体链的方向。

裸氢情况下，DVR、DVL两种能量分别为2.98ev、2.63ev，两者相差0.37ev。加氢之后，能量差提高到0.51ev。

随后用氢原子修补表面缺陷，观测不同氢化学势（留待问题讨论：不同的化学势会有什么影响？）下的DVR和DVL形成能量关系图如下所示，不同氢气的化学势对DVL、DVR的形成具有不同的促进作用。没有氢气的情况下，两者可以共存。

实验阶段

实验条件及步骤：直径为300mm的Si（001）晶片，0.15°偏【110】或【100】。去除表面氧化物，MOVCD进行退火，随后30秒后将温度降低到700°C以下。采用AFM观察表面。

上图为AFM图像，【110】方向取偏角0.15°，退火10分钟（5-80torr），表面如图a，单层台阶，随后接近大气压下退火10分钟，表面台阶为双层台阶结构，如图b。时间10分钟对于双原子台阶的形成很重要。

总结：

这篇文章理论部分借用氢气的选择性讨论了DVR、DVL的形成能，发现DVR的形成能更低，结合其表面结构模型，和我之前看的文献得出的结论基本一样：即吸附原子更容易沿着二聚体链的方向运行。后来文章又通过实验简单介绍了双层台阶的形成。

1.9-1.10 

• Epitaxial growth of antiphase boundary free GaAs layer on 300 mm Si(001) substrate by metalorganic chemical vapour deposition with high mobility

无APB的GaAs薄层可以在微电子标准下Si（001）300 mm衬底上生长。使用传统的微电子基板，在[110]方向上具有0.15°的偏角取向，可以实现150 nm的无APB外延层厚度。

实验方法：

生长环境：MOCVD ， H2作为载气

材料来源：TMGa作为Ga前体、TBAs作为As前体和Si2H6 进行n型掺杂。使用Si（001）300毫米晶圆

实验步骤：生长之前，使用NF3 / NH3远程等离子体在SiConi™室中对Si衬底进行脱氧。然后将晶片转移到MOCVD腔室中，使用经典的两步工艺在其中生长GaAs层:首先在低温（400-500℃）下沉积成核层，然后是高温（600-700℃）以生长高质量的材料。

下图（a）是400 nm厚GaAs层的AFM图像，其具有典型的V槽形状，可以观察到取向随机的APB，其线性密度为3.7μm-1，表面粗糙度（RMS）为1.6 nm。

Si（001）衬底0.15°偏[110]，H2下（800℃-950℃）退火（1 min–10 min）。Si表面主要呈现双原子台阶（图（b）），台面宽度约为100 nm。使用两步工艺在此Si表面上生长GaAs层。 150 nm厚的GaAs层的AFM图像如图（c）所示。 RMS值为0.8 nm，没有观察到V槽特征，这表明由于形成了双原子台阶，形成了无APBs的表面。