STM32F103的FSMC读写NANDFlash的学习

1. STM32的FSMC接口可以控制外部的NANDFlash，因此学习下，先看下硬件电路，地址线是A16.A17，数据线D0-D7，那么映射的地址空间是多少？D0是数据/地址线，两个用途。

2. 引脚图，现在关心的是，这个NAND的地址映射的地址空间是多少？

3. 看下STM32的手册。

4. 看下代码，STM32的库基本都封装好的函数，直接调用即可，函数名字一看就明白，还是回到原来的问题，划分的地址空间是多少？代码为我们划分ZONE，Block, Page，封装了底层的地址,一块nand flash也分为若干block，每个block分为如干page。一般而言，block、page之间的关系随着芯片的不同而不同。
需要注意的是，对于flash的读写都是以一个page开始的，但是在读写之前必须进行flash的擦写，而擦写则是以一个block为单位的。

  FSMC_NAND_Init();

  /* NAND read ID command */
  FSMC_NAND_ReadID(&NAND_ID);

  /* Verify the NAND ID */
  if((NAND_ID.Maker_ID == NAND_ST_MakerID) && (NAND_ID.Device_ID == NAND_ST_DeviceID))
  {

    /* NAND memory address to write to */ 
    WriteReadAddr.Zone = 0x00;
    WriteReadAddr.Block = 0x00;
    WriteReadAddr.Page = 0x00; 

    /* Erase the NAND first Block */
    status = FSMC_NAND_EraseBlock(WriteReadAddr);

    /* Write data to FSMC NAND memory */
    /* Fill the buffer to send */
    Fill_Buffer(TxBuffer, BUFFER_SIZE , 0x66);

    status = FSMC_NAND_WriteSmallPage(TxBuffer, WriteReadAddr, PageNumber);

    /* Read back the written data */
    status = FSMC_NAND_ReadSmallPage (RxBuffer, WriteReadAddr, PageNumber);
   
    /* Verify the written data */
    for(j = 0; j < BUFFER_SIZE; j++)
    {
      if(TxBuffer[j] != RxBuffer[j])
      {     
        WriteReadStatus++;
      } 
    }

    if (WriteReadStatus == 0)
    {	/* OK */
      /* Turn on LD1 */
      GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_6);
    }
    else
    { /* KO */
      /* Turn on LD2 */
      GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_7);     
    }
  }
  else
  {
    /* Turn on LD3 */
    GPIO_SetBits(GPIOF, GPIO_Pin_8);  
  }

5. 看下芯片资料，页是512字节，Block是16K字节，不懂后面+16什么意思？

Page size – x8 device: (512 + 16 spare) Bytes
Block size – x8 device: (16K + 512 spare) Bytes

6. 问题是为啥是Bank2不是Bank3，怎么确定的？大致去推测一下，

FSMC_NANDInitStructure.FSMC_Bank = FSMC_Bank2_NAND;

7. 开始推测，NANDFlash的地址总线最多16位，算了，好像是FSMC_NCE2（看原理图）决定选的那个BANK，所以是BANK2