高速电路设计实践学习笔记（8）——逻辑器件的应用要点（一）-CSDN博客

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一、逻辑器件概要

1、TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS 逻辑电平介绍及互连

逻辑器件的选型首先是逻辑电平的选择，在传统的单板设计中，TTL和CMOS逻辑电平被广泛应用，是数字电路设计中最常见的两种逻辑电平，LVTTL和LVCMOS 是它们的低电平版本，其他的高速电平大多都衍生自TTL和CMOS。

TTL ：晶体管-晶体管逻辑，由于晶体管是流控器件，且输入电阻较小，因此 TTL 电平的器件速度快，但功耗较大。

CMOS：MOS管逻辑，由于MOS管是压控器件，且输入电阻极大，因此CMOS电平的器件速度较慢，但功耗较小，同时由于CMOS器件输入阻抗很大，外界微小的干扰就可能引起电平的翻转，因此 CMOS 器件上未使用的输入引脚应做上下拉处理，不能浮空。

在图中，对每种逻辑电平都定义了四个值，即 VOH、VOL、VIH、VIL。

当逻辑器件输出高电平时，电平的幅值应高于VOH，即VOH为输出高电平的最小值；

当逻辑器件输出低电平时，电平的幅值应低于VOL，即VOL为输出低电平的最大值；

当逻辑器件输入高电平时，电平的幅值应高于VIH，即 VIH为输入高电平的最小值；

当逻辑器件输入低电平时，电平的幅值应低于VIL，即VIL为输入低电平的最大值。

只有同时满足以下条件时，不同逻辑电平的器件才能够直接互联：

1、发送方VOH大于接收方VIH，且提供一定的噪声容限。

2、发送方VOL小于接收方VIL，且提供一定的噪声容限。

对于电平不同，且不能满足直接互连条件的逻辑器件，可采用以下方法实现互连：

方法一：使用电平转换芯片。例如，74ACT16245，其输入端为TTL电平，输出端为CMOS 电平，因此支持 TTL 到 CMOS 电平的转换。当存在大量信号需做电平转换时，可采用这种方法。

方法二：使用OC(集电极开路)门或OD(极开路)门实现逻辑电平的转换。通过 OC 门电路，TTL 器件可与 CMOS 器件相连。OC 或 OD 门还常被用于低逻辑电平驱动高逻辑电平的场合。

方法三：高逻辑电平驱动低逻辑电平时，可串联50~330Q电阻实现电平的转换。

2、逻辑器件的分类

根据工艺不同，逻辑器件可分为三类：

1、Bipolar（双极型）：由双极型晶体管组成的集成电路，如TTL电路就属于Bipolar，特点是速度快，驱动能力强，但功耗较大。

2、CMOS （互部金属氧化物半导体）：由场效应管构成的集成电路，特点是功耗低，集成度高，但驱动能力和速度比 Bipolar差。

3、BiCMOs(Bipolar CMOs)：以CMOS工艺为主，CMOS电路充当高集成度和低功耗的电路核心部分，用 Bipolar电路充当输入/输出接口部分，因此可以充分发挥 Bipolar和CMOS的优势同时具有速度高、驱动能力强和功耗低、集成度高的优点。BiCMOS工艺将 Bipolar 和CMOS 这两种具有互补特性的工艺结合在一起，使得器件参数随工作电压和工作温度的变化曲线较平缓，提高了器件的性能。

根据制造工艺、IO 接口结构的不同，可分为多种系列：

ABT:先进 BiCMOS技术(Advanced BiCMOS Technology);
AC/ACT:先进CMOS 逻辑(AdvancedCMOs Logic);
AHC/AHCT:先进高速CMOS 逻辑(Advanced High-Speed CMOs Logic);
ALS:先进低功耗肖特基逻辑(AdvancedLow-PowerSchottky Logic);
ALVC:先进低电压CMOS 技术(AdvancedLow-Voltage CMOs Technology);
ALVT:先进低电压 BiCMOS 技术(Advanced Low-Voltage BiCMOS Technology);
AS:先进肖特基逻辑(Advanced Schottky Logic);
AVC:先进极低电压CMOS逻辑(Advanced Very Low-Voltage CMOS Logic);
CBT:Crossbar 技术(Crossbar Technology);
F:快速逻辑(F Logic);
FCT:快速 CMOS TTL 逻辑(Fast CMOS TTL Logic);
HC/HCT:高速 CMOS 逻辑(High-speed CMOs Logic);
LS:低功耗肖特基逻辑(Low-PowerSchottky Logic);
LV/LVC:低电压CMOS 技术(Low-Voltage CMOs Technology);
LVT:低电压 BiCMOS 技术(Low-Voltage BiCMOs Technology);
S:肖特基逻辑(Schottky Logic)。

以上所列出的系列可被分别归入 Bipolar、CMOS、BiCMOS 三种工艺类别：

Bipolar 工艺:F、S、AS、LS、ALS 等。
CMOS 工艺:LV、LVC、AC、AHC、AVC、ALVC、HC、HCT、CBT、FCT等。
BiCMOS 工艺:LVT、ABT、ALVT、GTL等。

基于制造工艺、IO接口结构的不同，这些系列的逻辑器件具有不同的特性。在选型时需要注意，Bipolar 工艺的逻辑器件，接口电平一般是TTL或LVTTL。CMOS工艺的逻辑器件，接口电平则可能是 CMOS、TTL、LVTTL,等类型。BiCMOS 工艺的逻辑器件，为提高接口速率和驱动能力，输入和输出接口电平往往是 TIL或LVTTL。

通常定义流入器件的电流为正，流出器件的电流为负，以输出端口为TTL电平的逻辑器件为例，输出高电平时电流流出器件，电流方向为负，称为拉电流(负载从逻辑器件拉出电流);输出低电平时电流流入器件，电流方向为正，称为灌电流(负载将电流入逻辑器件)，如图所示。因此“驱动能力”列的IL参数用正值表示，而lon参数用负值表示。