黑猫带你学Nand第11篇：万字长文带你了解NandFlash的数据保持原理及特性（Data Retention）

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文章所在专栏：《黑猫带你学：NandFlash详解》

1 数据保持（Data Retention）

1.1 什么是TAT、SILC、de-trapping？

• TAT

TAT：Trap-assisted tunneling，陷阱辅助隧穿，也有叫法称为电荷陷阱现象。

这是一种物理现象，它发生在非挥发性存储器，如NAND闪存。在这种效应中，存储在闪存单元浮动栅极上的电荷（电子）由于隧道氧化物中捕获的电荷形成的电场影响，导致电荷通过隧道效应从一个能级隧穿到另一个能级，从而造成电荷泄漏。这种电荷泄漏是导致闪存数据保持问题的主要原因之一，因为它可以改变存储在闪存单元中的电荷量，进而改变其阈值电压水平，最终可能导致数据错误。

在NAND Flash中，电荷被存储