STM32F103核心单元电路设计规范

摘    要： 本文介绍了STM32F103核心单元电路DE 设计注意事项和规范，考虑在不同产品类型设计的时候避免产生设计错误。

1.规范满足的技术指标

   温度范围：-40~85℃。

    满足功能：单片机最小系统运行，AD检测检测准确度满足0.5%

单片机最小系统设计电路的原理图如下图所示：

      

图1 最小系统电路图

        5.2.1 IO口设计要点

图2 单片机电流要去

图3单片机IO口默认电平

  1.图2 IO口总电流不能超过20mA，在设计过程中不能采取多个IO口直接驱动LED和光耦的设计方法，IO检测电路需要有足够大得上拉电阻，通常3.3V 10k。

  2.图3单片机分配IO需要注意IO默认电平，如JTAG接口中有上拉接口，电阻通常在50K左右。该接口在CPU没有运行或者失效、死机中为高电平，该引脚不能用于继电器控制，RS485控制，风扇控制等，推荐复用输入。否则单个芯片死机会导致485总线异常，输出控制继电器风扇等误动作。严重影响系统运行，如果必须使用该接口可以采用三极管反向，使用10K左右下拉(待验证)方式解决。

5.1.2 晶振及负载电容的选择

晶振对于运行影响，除了本身准确度之外还有温飘是对于产品最大的影响。影响最直接的是时钟准确度，包含定时器 RTC（主晶振提供分频时钟） 输出PWM。所有晶振需要考虑温飘及负载电容。

5.1.3

 5.3 详细设计计算

   5.3.1  复位电路选择       

          Vt = V0 + (Vu – V0) * [1 – exp( -t/RC)]

如果电容上的初始电压为0，则公式可以简化为：      

 Vt = Vu * [1 – exp( -t/RC)]  （充电公式）

  备注：exp是高等数学里以自然常数e为底的指数函数，e是一个常数为2.71828，当t=RC时，Vt = Vu*(1-e^(-1)) = Vu * (1 - 1/e) = 0.63Vu

   当t = RC时，Vt = 0.63Vu；

    当t = 2RC时，Vt = 0.86Vu； 

    当t = 3RC时，Vt = 0.95Vu；  

    当t = 4RC时，Vt = 0.98Vu；

    当t = 5RC时，Vt = 0.99Vu；   

    当电容充满电后，将电源Vu短路，电容C会通过R放电，则任意时刻t，电容上的电压为：

        Vt = Vu * exp( -t/RC)       （放电公式）

电容充电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压等于充电电源电压的0.63倍，放电时，经过一个时间常数RC时，电容上的电压下降到电源电压的0.37倍。

电路中采用10K电阻0.1μF电容。

   5.3.2 负载电容选择

晶振及负载电容选择 参考手册 AN2867

公司使用的物料是54050040，晶振负载电容20PF，本身寄生电容7pf。

CL=CQ+CS+ 

CL为负载电容，CS为晶体寄生电容，CQ为单片机引脚及走线分布电容。

则负载电容CS取7p CQ7pf 晶振电容使用12PF

增益电阻计算：TDB

5.3.3 RTC晶振选择

7.RTC晶振的选择推荐使用AN2867表6中的晶振，该晶振采购可获得性非常差，对于ST的M3系列单片机有个通用的BUG，rtc晶振为了降低功耗所以驱动电流特别小。对于32.768的晶振负载电容有特别严格的要求。在S2005项目中发现，使用公司的12.5PF负载电容晶振，外接CL负载电容越大，晶振稳定时间特别长甚至6S钟@20pf。不接外部晶振，启震速度是ms级别。这两个情况在低温-20℃下都表现除了

无法启震的情况。经过测试，采用8M主分频的方案准确度在高低温环境下24H误差1分钟高温55低温-20℃，满足绝大多数使用场景。

所以在以后设计中除非产品必须通过RTC来维持低功耗的时钟，比如纽扣电池，超级电容给设备供电，如果只是使用RTC作为短时间的计时工具，上电后有自动同步时间的功能，或者有连接互联网自动

校时的情况下，必须使用主晶振分频方式，不得采用外部32.768晶振的设计。

5.3.4 BOOT引脚选择

常规使用情况下，我们可以BOOT0通过10K电阻接GND,boot1复用为其他功能引脚。

5.3.5 退耦电容选择

参考上图配置引脚电容

5.5 应用场合变化时的相应调整办法

        对于不同CPU，主要注意手册中要求的引脚电容，供电范围，复位时间，IO输出默认电平及ADC模拟部分参考设计