存储管理器实验 嵌入式学习<s3c2440>

cpu访问0x30000000地址上的数据时,只需要以下汇编指令:

MOV R1,#0x30000000

LDR  R0 ,R1

LDR这条指令硬件上操作包括这写内容:

  1. 发出片选信号
  2. 发出bank选择信号
  3. 发出列地址,行地址信号

这些操作都是由2440中的存储管理器完成的

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问题:想访问一个芯片,需要哪些事情?

  1. 地址线(通过原理图
  2. 数据线 8/16/32  数据宽度 (通过原理图
  3. 时钟/频率(通过手册
  4. 芯片相关的一些特性(比如 sdram:行地址(位数)、列地址(位数),bank(位数)) (通过手册

在2440与内存连线时,根据内存位数的不同,连线也是不同的,因为如果内存是32的,那么一个地址就存在4个byte的数据,所以即使2440的 A0、A1与内存相连接,2440在进行访问时,每次读取了32位的数据

如下图:

而不能精确到一个字节或两个字节的访问,一次只能读4字节(每次读这么多也这么烦恼啊 呵呵刚开始好难理解)

所以A0、A1地址线是不需要连接的,同理

内存为16位时,A0地址线是不需要连接的
。具体如下图

内存 如果是32位的

16位

8位:

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访问使用SDRAM步骤:

配置寄存器:

  1. 位款
  2. 列地址、行地址
  3. 刷新周期
寄存器看手册吧。

(2440可以接内存类似的外设数量:8个,因为2440有8条对外片选信号(8 个BANK))

BANK0-BANK5                       BANCK6、BANCK7 比较特别,因为他们可以接sdram                        

sramsdram网卡,norflash(RAMlike)
速度快,贵,不需要刷新便宜,操作复杂,刷新信号
用bank6-7对sdram有特殊的设置
包括:列地址的长度,刷新,
bank0-1-2-3-4-5上面都可以

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2440的启动方式:

  1. norflash启动
  2. nandflash启动

norflash启动:从norflash的0地址开始

nandflash启动:从片内的sram启动,需要注意的是 sram的内容是nandflash中前4k的内容(硬件完成的)

  1. 上电,nandflash的前4k
  2. 关看门狗,初始化管理存储器
  3. 把nandflash的代码拷贝到sdram,继续执行

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链接地址:

运行时,程序“应该”位于的地方。

nandflash的地址和sram的地址不是一回事。

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一. 实验目的: 1.通过编写和调试存储管理的模拟程序以加深对存储管理方案的理解。熟悉虚存管理的各种页面淘汰算法 2.通过编写和调试地址转换过程的模拟程序以加强对地址转换过程的了解。 二.实验要求 实验程序由以下三大部分组成: (1) 通过随机数产生一个指令序列(实际上是指令的逻辑地址序列),共320条指令。指令的地址按下述原则生成: A:50%的指令是顺序执行的 B:25%的指令要实现向前跳转,均匀分布在前地址部分 C:25%的指令要实现向后跳转,均匀分布在后地址部分 具体的实施方法是: A:在[0,319]的指令地址之间随机选取一起点m B:顺序执行一条指令,即执行地址为m+1的指令 C:在前地址[0,m+1]中随机选取一条指令并执行,该指令的地址为m’ D:顺序执行一条指令,其地址为m’+1 E:在后地址[m’+2,319]中随机选取一条指令并执行 F:重复步骤A-E,直到320次指令 (2) 将每条指令的逻辑地址变换为页地址 设:页面大小为1K; 用户内存容量4页到32页; 用户虚存容量为32K。 在用户虚存中,按每K存放10条指令排列虚存地址,即320条指令在虚存中的存放方式为: 第 0 条-第 9 条指令为第0页(对应逻辑地址为[0,9]) 第10条-第19条指令为第1页(对应逻辑地址为[10,19]) ……………………………… 第310条-第319条指令为第31页(对应逻辑地址为[310,319]) 按以上方式,用户指令可组成32页。 (3) 分别使用FIFO算法和LFU算法,计算给用户进程的这32页分配4,5,…,32个页面(内存块)时其缺页率。
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