从头开始学模电/理解性概念总结（不定时更新）

引言：当初本科学习时就没搞很懂模电到底再讲什么，现在也做了一些项目，实践与理论结合，并主要为了锻炼下日益退化的脑子，利用空余时间再学模电，将自己对重难点的理解记录如下，个人觉得无论何时，良好扎实的基础的学习都是很有意义的。

2022.11.27更

1、二极管的基本原理分析。注：稳压二极管工作在反向击穿状态。

  N型半导体：硅参杂磷、P型半导体：硅参杂硼。
  扩散运动：浓度差、漂移运动：内电场力。
  PN结形成：漂移+扩散。N区多子（电子）与P区多子（空穴）在交界面中和，从而在交界面近N区侧留下正离子区域、近P区侧留下负离子区域，内部产生由N到P的内电场，将此区域称为“耗尽层”。注意：不加外部电源时PN结整体呈现中性，并不带电。
  PN结加正压（P区接外电源+、N区接-），可理解为电源不断的向P区注入空穴、N区注入电子，则P区空穴、N区电子浓度增加，加剧扩散运动，使PN结交界面靠近P区侧的负离子区域减小，N区类似，则耗尽层变小（也可以说是内电场减小）。电源的存在使一直有空穴与电子注入PN结，形成回路，故加正压时PN结导通。
  PN结加反压（P区接外电源-、N区接+），可理解为电源不断的向P区注入电子、N区注入空穴，P区注入的电子中和掉P区的多子空穴使P区的负离子数量增多，N区同理，则相当于耗尽层加宽（也可以说是内电场增大），一直至内电场与外接电源电压一致，内外保持平衡，此时由于内电场与外加电压一样，故外加电压不能再向PN结注入电子/空穴。即加反压时PN结截止。

2、三极管的基本原理分析（为何集电结反偏不截至？），NPN、PNP对比分析。

  对于1中原理做充分了解后，来分析三极管的基本原理。
  首先来看NPN管，从名字即可理解其基本结构。三个区域（发射区（参杂浓度高）、基区（薄且参杂浓度很低）、集电区（面积最大）、发射结、集电结注意区分）分别引出三根线。即b（base）、c（collector）、e（emitter），理解标识最好都找找对应英文单词，很快就记住了，否则死记硬背很容易混淆。
  发射结、集电结按所处状态可分为四种，以下一一分析：
  发射结正偏、集电结反偏：此时处于放大状态。Why？简单理解，发射结正偏，则发射结N区的电子因为浓度差会扩散到P区，注意由于外接正压，扩散到P区的电子是源源不断。集电结反偏形成内电场，按照二极管的理论应该截止了，但是注意集电结的P区有很多电子，这些电子是由发射结的N区提供的，由于集电结内电场（从N区指向P区）的作用，使P区的很多电子又漂移到集电结的N区，形成通路。当发射结流经的电流越大，则P区的电子越多，从发射区到集电区的电子数就越多，即电流就越大，体现出控制的作用。
  从上述分析也可以看出来三个区名字的由来，发射区-发射电子，集电区-收集电子，基区–就基础…那个意思。
  发射结正偏、集电结正偏：两个结都正偏了，都相当于二极管，注意三极管处于饱和区即为此状态。
  发射结反偏、集电结正偏：从原理上说是可以的，但是结构上来说就不适用了，注意上述每个区的特点。
  发射结反偏、集电结反偏：两个结都截止了，没啥意义。

  理解PNP管，将上述“电子”均用“空穴”替代，依旧是发射结正偏、集电结反偏。

2022.12.04更

3、结（PN结）型场效应管的‘场’理解，N\P沟道原理、MOSFET的叫法由来及四种不同的区别分析。各个器件符号画法的缘由。

  在理解基本原理之前先来一波名词解释，个人认为，知道为什么这么叫对于原理的理解非常重要。
  “场”即为电场，通过外电源对管子施加电场，从而形成（或者说控制）沟道使其导电。沟道即导电时由多数载流子产生的导电沟道（结型场效应管、MOS管均是通过多数载流子导电，故也称为单极性器件）。例如，N沟道管子即为电子在进行导电作用；P沟道管子即为空穴在进行导电作用。
  场效应管有四个极，栅极（grid）、源极(source)、漏极(drain)、基极（base），一般而言基极和源极连在一起。结型与MOS（metal-oxide semiconductor）的区别为前者直接由PN结组成，而后者的漏源极与基极之间（PN结交界面）均用氧化物（SiO2）隔离，且栅极为金属铝。
  对于MOS管，当Ugs为零时加Uds漏极电流也为零的管子属于增强型，当Ugs为零时加Uds漏极电流不为零的管子属于耗尽型。
  符号画法：即判断B极与G极之间的电流流向判断，注意是B与G，而不是S与G，B，S虽然连在一起，但从结构上看还是有区别的。

4、三极管与MOSFET输出特性图的对比分析，每个区叫法的原因。重点对比区分三极管的饱和区和MOS的可变电阻区。及放大电路、开关电路等工作在哪个区？

  从宏观上讲，结型场效应管是通过施加电场减小导电作用（反向控制作用），而MOS管是通过施加电场产生导电作用（正向控制作用）。
  结型场效应管从结构上看实质为几个PN结，以N沟道结型场效应管为例：其栅极为P区，漏源为N区，当栅源电压Ugs为0时，施加Uds，即可在N沟道中产生漏极电流id（由电子产生）；当Ugs小于0 时，即PN结反偏，此时耗尽层会增大，定义Uds为0时施加Ugs使耗尽层将整个导电沟道全部覆盖时的电压为Ugs_off，请注意这个Ugs_off是个很重要的值，在分析不同的工作区域时非常重要。
  三极管的饱和区、放大区、截止区分别对应MOS管的可变电阻区、饱和区、截止区。注意结合曲线重点区分三极管的饱和区和MOS管的可变电阻区的区别！
  MOS管处于可变电阻区时可将DS之间视为一个由Ugs控制的压控电阻。
  当运用于放大电路中时，三极管工作在放大区、MOS管工作在饱和区。功率开关电路（整流、逆变、斩波、变频等）一般使用MOS或IGBT，此时MOS工作在可变电阻区与截止区。
  三极管处于饱和区的理解几个点：1、使三极管进入饱和导通的原因为基极电流增大到了进入饱和的程度，而非直接给三极管发射结和集电结加两个正向偏压。2、书中所述饱和状态下发射结和集电结均正偏，注意集电结的正偏不等于导通，所以说此时Ubc不是0.7V。3、当Ubc为0或者很小的正值（此正值小于导通时的压降，结合输出特性曲线理解），集电极收集电子的能力很差，只能靠浓度差的扩散运动收集基区的电子，但会很慢，出现“供”大于“求”，也就是饱和了。4、饱和和放大的临界状态：Ub=Uc，Uce=Ube=0.7，饱和时Uc<Ub。

5、对于N沟道增强型MOS来说，DS反接有何影响？MOS作为二极管时的接法及用法。

  学习之余产生这个疑问，觉得也比较有趣，可以拿来简单讨论一二。
  如题所示情况即Ugs>0，Uds<0，反型层的电子均被s极接的电源正极吃完了，导致反型层消失。此时SD之间相当于一个二极管（S与B相连，B与D之间相当于PN结）。
  经查阅资料（看网上大佬所述），NMOS也可以作为二极管使用，此时将S、G、B连在一起作为二极管的阳极，D作为二极管的阴极。

2022.12.09更

  三极管放大电路的分析方法：图解法与h参数等效模型法。
  一个困扰很久的点：静态工作点的设置与电路放大倍数的关系。
  先说结论：一个单独的三极管通过选择不同的静态工作点可以有不同的放大倍数，但是一旦外围电路Vcc、Rb、Rc确定，当输入信号变化时其放大倍数一般也认为不变了。
  原因：
  1、从图解法分析的思路：利用输入特性曲线分析静态工作点时，确定好某一静态工作点Q后分析交流小信号时即认为在Q附近的变化是线性的，但输入特性曲线却是非线性的，亦即随着Q点的升高，分析交流小信号时认为在Q附近的变化是线性的直线的斜率也在变大。再通过对相应输出特性曲线的分析即可得Q点越高，在不失真时对交流信号的放大倍数越大。
  2、从h参数等效模型法的思路：通过对rbe的推导得知rbe是与Ieq成负相关的量，即在交流通路的等效模型中的rbe的值是由直流通路所确定的静态工作点Ieq（Icq）决定的。由此可得当Ieq（Icq）变大时（Q点的位置变高），rbe变小，通过等效模型知，当输入交流电压不变时，rbe变小将使交流输入电流ib变大，从而使交流输出电流ic变大，即输出电压变大，放大倍数变大。

2023.01.04更

有关晶体管放大电路图解法的一些注意事项：
  因晶体管截止而产生的失真称为截止失真，因晶体管饱和而产生的失真称为饱和失真。
  对于共射放大电路来说，输出电压与ic成负相关，故输出电压顶部失真时晶体管处于截止状态，即该电路处于截止失真状态；输出电压底部失真时处于饱和失真状态。
  对于共基与共集放大电路来说，输出电压与ic成正相关，故输出电压顶部失真时晶体管处于饱和状态，即该电路处于饱和失真状态；输出电压底部失真时处于截止失真状态。
  

2023.02.23更
  共射放大电路中Re有很重要的作用，主要体现在直流通路中的作用：Re具有直流负反馈的作用，使在温度变化时静态工作点保持稳定。体现在交流通路中的作用：Re加旁路电容比不加旁路电容时的放大倍数要大几十倍，但不加旁路电容时虽然放大倍数减小了，但是温度稳定性有所提升。