各种存储器的汇总：flash、RAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、SRAM、DRAM、SDRAM、IRAM等

ace_wty

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文章标签：硬件工程

于 2019-05-31 09:05:35 首次发布

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各种存储器命名缩写汇总

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各种存储器命名缩写汇总

Flash

闪存（Flash memory），全称flash EERROM memory；结合了RAM和ROM的优点
可以快速读取数据（NVRAM——non-volatile RAM 非易失性随机存储内存的优点）；

NAND flash 与 NOR flash

内部结构：
- NAND Flash：内部存储单元以 NAND（非与门）的形式排列，这种排列方式可以实现更高的密度和较低的成本。NAND Flash通常用于大容量存储，如USB闪存驱动器、SD卡、固态硬盘（SSD）等。
- NOR Flash：内部存储单元以 NOR（非或门）的形式排列，这种排列方式可以实现更快的读取速度和较低的延迟。NOR Flash通常用于嵌入式系统和执行代码存储，如BIOS、嵌入式控制器、微控制器等。
读写操作：
- NAND Flash：NAND Flash采用顺序读写方式，意味着只能按块（页）读写数据，不能直接在任意地址读写。它的读取速度较慢，但写入速度较快。
- NOR Flash：NOR Flash采用随机读写方式，意味着可以在任意地址读写数据，支持随机访问。它的读取速度较快，但写入速度较慢。
可执行性：
- NAND Flash：NAND Flash不能直接在其上执行代码，需要首先将代码加载到RAM中，然后执行。
- NOR Flash：NOR Flash可以直接在其上执行代码，它被用于嵌入式系统的启动和执行代码。
成本和容量：
- NAND Flash：NAND Flash的存储密度较高，成本较低，适用于大容量存储。
- NOR Flash：NOR Flash的存储密度较低，成本较高，适用于小容量且需要快速读取的应用。

NAND Flash和NOR Flash在适用场景和性能上有所不同。NAND Flash适用于大容量数据存储，如媒体存储和文件存储。而NOR Flash适用于嵌入式系统和执行代码存储，如启动代码和嵌入式控制器的固件。

RAM

Random access memory(随机存储内存），断电丢失，优点快速。如手机的运行内存，8G\16G。

ROM

read only memory（只读存储器），计算机发展初期BIOS都是烧写在ROM中，ROM是通过在工厂生产时通过特殊的方法烧录进去的，不能再修改。一旦有错误，只能舍弃重新制作

PROM

可编程（programmable）ROM，制作出厂时没有数据，设计人员通过专用的编程器将自己的资料烧写到PROM中，但机会只有一次，一旦烧写进去就不能修改。

EPROM

可擦除（erasable）可编程ROM,芯片可擦除，说明可重复烧写程序。EPROM有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上·，开有一个玻璃窗口，透过窗口可以看见其内部的集成电路，紫外线透过该窗口照射内部芯片就可以擦除其内的数据，需要用到专门的EPROM擦除器。擦除之后再用专门的编程器写入，完成之后用不透明的贴纸将窗口遮住，以免因为不必要的干扰使得资料受损丢失。