NORflash和NANDflash

目前市场上的flash 从结构上大体可以分为AND、NAND、NOR 和DiNOR 等几种。其中NOR 和DiNOR的特点为相对电压低、随机读取快、功耗低、稳定性高，而NAND 和AND 的特点为容量大、回写速度快、芯片面积小。现在，NOR 和NAND FLASH 的应用最为广泛。NOR 的特点是可在芯片内执行，这样应用程序可以直接在flash 内存内运行，不必再把代码读到系统RAM 中。NOR 的传输效率很高，但写入和檫写速度较低。而NAND 结构能提供极高的单元密度，并且写入和擦除的速度也很快，是高数据存储密度的最佳选择。这两种结构性能上的异同如下：
(1) NOR 的读速度比NAND 稍快一些。
(2) NAND 的写入速度比NOR 快很多。
(3) NAND 的擦除速度远比NOR 快。
(4) NAND 的擦除单元更小，相应的擦除电路也更加简单。
(5) NAND 闪存中每个块的最大擦写次数量是万次，而NOR 的擦写次数是十万次[7]。
由于以上flash 的特性决定了，在嵌入式设备中，把只读属性的映象文件，如启动引导程序blob、内核、文件系统文件存放在NOR Flash中，而把一些读写类的文件，如用户应用程序等存放在NAND Flash 中。本系统平台上有一个16M大小的NOR flash，和一个64M大小的NAND Flash，根文件系统是建立在NOR Flash的后大半部分，前小半部分用来存放bootloader和kernel映像；而NAND Flash上建立了用户文件系统。为了避免频繁的读写操作对Flash 造成的伤害，系统对频繁的读写操作的文件夹采用了Ramfs文件系统。根目录下的/var，/tmp 目录为Ramfs 临时文件系统的挂载点。